發(fā)貨地點(diǎn):山東省淄博市
發(fā)布時(shí)間:2025-02-16
晶閘管模塊常用的保護(hù)措施
① 過電流保護(hù)
過流保護(hù)一般都外接快速熔斷器的方法,可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可,三相模塊三只,單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓,MTDC30晶閘管智能模塊功能,額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十,MTDC30晶閘管智能模塊功能。但快速熔斷器對(duì)于短路引起的過流保護(hù)效果很好,對(duì)于一般性的過流并不能起到很好的保護(hù)效果,因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果,除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護(hù)功能的模塊或具有過流保護(hù)功能的控制板,MTDC30晶閘管智能模塊功能。
②過電壓保護(hù)
模塊的過壓保護(hù),使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。
阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可,反并聯(lián)芯片可共用一組。

晶閘管智能模塊的輸出特性
模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負(fù)載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別:
單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~ 180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V。
單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V;感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°~90°,控制電壓對(duì)應(yīng)于5V~9.5V。
三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~120°,控制電壓對(duì)應(yīng)2V~8V;感性負(fù)載時(shí)α范圍為0°~90°,控制電壓對(duì)應(yīng)于3.5V~8V。
三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V。
三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~150°,控制電壓對(duì)應(yīng)1.5V~9V。
三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負(fù)載時(shí),α有效范圍為0°~210°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~9.5V。
三相整流充放電模塊逆變放電時(shí),α有效范圍為90°~180°,控制電壓對(duì)應(yīng)0.5V~5V;整流充電時(shí),α有效范圍為0°~90°,控制電壓對(duì)應(yīng)5V~9.5V。
注:交流調(diào)壓模塊用于感性負(fù)載時(shí)α應(yīng)大于負(fù)載阻抗角Ψ,即α≥Ψ;當(dāng)α≤Ψ時(shí),模塊已輸出較大電壓,且不再隨α的改變而變化。

晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法
1、各功能端相對(duì)com端必須為正,若com端為負(fù),性相反,則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。
2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正性,即控制電壓越高,模塊強(qiáng)電主回路輸出電壓越高。
3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時(shí)刻宜使用一種輸入控制方式,若2種以上方式同時(shí)輸入使用,則輸入信號(hào)較強(qiáng)的一種起主要作用。
4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進(jìn)下出,三相交流電路的進(jìn)線R、S、T無相序要求,導(dǎo)線粗細(xì)按實(shí)際使用電流選擇。
5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用,用1平方細(xì)導(dǎo)線即可,N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設(shè)計(jì)。
6、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象,應(yīng)先檢查負(fù)載有無短路等故障。可在模塊的進(jìn)線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進(jìn)行過流保護(hù),規(guī)格可按實(shí)際負(fù)載電流的1.5倍選配。
7、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應(yīng)與散熱器配合使用,在機(jī)柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時(shí)可安裝風(fēng)扇強(qiáng)制散熱。
