可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好。可控硅模塊的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)性氣體、通風(fēng)、無(wú)塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置，吉林高壓可控硅模塊廠家。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，吉林高壓可控硅模塊廠家，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個(gè)螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸，吉林高壓可控硅模塊廠家。

  4、可控硅模塊的電易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)防止重力將電拉起折斷。

可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對(duì)電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中，因此不能用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對(duì)維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

5 對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。

可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過(guò)程中將產(chǎn)生大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。