對于被刻蝕材料和掩蔽層材料（例如光刻膠）的選擇比SR可通過下式計算：SR=Ef/Er；其中，Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率，Er為掩蔽層材料的刻蝕速率（如光刻膠）；根據這個公式，選擇比通常表示為一個比值，一個選擇比差的工藝這一比值可能是1:1，意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快，而一個選擇比高的工藝這一比值可能是100:1，說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的（如光刻膠）刻蝕速率的100倍。廣東省科學院半導體研究所。干法刻蝕優點是：各向異性好，山西Si材料刻蝕技術，山西Si材料刻蝕技術，山西Si材料刻蝕技術，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好。山西Si材料刻蝕技術
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層（如STI氮化硅剝離和用于制備晶體管注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離）。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。山西Si材料刻蝕技術深硅刻蝕是MEMS器件制作當中一個很重要的工藝。
刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形，然后把此圖形地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案�？涛g就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。
早期的刻蝕技術為濕法刻蝕，就是將刻蝕材料浸泡在液中進行的技術。這個過程是純化學的過程。濕法刻蝕具有良好的選擇性，例如實驗室經常采用磷酸來鋁金屬化，而不會金屬化層間的介質層材料；半導體制造過程中用調配后的氫氟酸（加入NH4F緩沖液）來二氧化硅，而不會對光刻膠造成過量的傷害。隨著半導體特征尺寸的不斷減小，濕法刻蝕逐漸被干法刻蝕所替代。其原因在于濕法刻蝕是各向同性的，橫向刻蝕的寬度接近于縱向刻蝕的深度，因此會產生鉆蝕的現象，因此在小尺寸的制程中，濕法刻蝕的精度控制非常困難，并且可重復性差。一般而言，高蝕速率（在一定時間內去除的材料量）都會受到歡迎。
刻蝕是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。刻蝕分為干法刻蝕和濕法。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會根據客戶的需求，設計刻蝕效果好且高的刻蝕解決方案�？涛g技術主要應用于半導體器件，集成電路制造，薄膜電路，印刷電路和其他微細圖形的加工等。廣東省科學院半導體研究所。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程。山西Si材料刻蝕技術
刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。山西Si材料刻蝕技術
同樣的刻蝕條件，針對不同的刻蝕暴露面積，刻蝕的速率會有所不一樣。通常來說，刻蝕面積越大，刻蝕的速率越慢，暴露面積越小，刻蝕的速率越快。所以在速率調試的過程中，需要使用尺寸相當的樣品進來調試，這樣調試的刻蝕速率參考意義比較大。氮化硅濕法刻蝕：對于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅�？梢杂靡后w化學的方法來刻蝕，但是不想其他層那樣容易。使用的化學品是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發，所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進行。主要問題是光刻膠層經不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導致對于氮化硅使用干法刻蝕技術。山西Si材料刻蝕技術
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