磁控濺射可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶qiang電源和不同靶材，例如TiW合金，通過獨自調整Ti、W的濺射速率，同時開始濺射2種材料，則在襯底上可以形成Ti/W合計，對不同材料的速率進行調節，即能滿足不同組分的要求。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，較終能得到SiNx薄膜，重慶電子束蒸發真空鍍膜技術。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整，重慶電子束蒸發真空鍍膜技術，重慶電子束蒸發真空鍍膜技術。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。重慶電子束蒸發真空鍍膜技術
在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。東莞磁控濺射真空鍍膜加工平臺磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶qiang電源和不同靶材。
解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射；2.采用閉環控制反應氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理的氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜、熱阻蒸發等。另一種是化學氣相沉積法（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓氣相沉積法）、PECVD（等離子體增強氣相沉積法）等方法。
化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時，物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下。電子束蒸發源由發射電子的熱陰、電子加速和作為陽的鍍膜材料組成。
反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒，不能繼續濺射。影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。磁控濺射方向性要優于電子束蒸發，但薄膜質量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發。遼寧金屬真空鍍膜公司
磁控濺射常用來沉積TSV結構的阻擋層和種子層，通過對相關參數的調整和引入負偏壓。重慶電子束蒸發真空鍍膜技術
PECVD反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至襯底表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。化學氣相沉積法（CVD）是一種利用化學反應的方式，將反應氣體生成固態的產物，并沉積在基片表面的薄膜沉積技術。主要有常壓CVD、LPCVD（低壓氣相沉積法）、PECVD（等離子體增強氣相沉積法）等方法。重慶電子束蒸發真空鍍膜技術
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