可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下：
（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓，功耗低，效率高，節(jié)能效果好。
（2）采用進(jìn)口插入元件，晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。
（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝，了晶閘管組件的焊接層無空腔，導(dǎo)熱性好。
（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。
（5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，萊蕪可控硅模塊，萊蕪可控硅模塊，萊蕪可控硅模塊，導(dǎo)熱基板不帶電，介電強(qiáng)度≥2500V，安全。
（6）通過輸入0-10V直流控制信號(hào)，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。
（7）可采用手動(dòng)控制、儀表控制或微機(jī)控制。
（8）適用于電阻和電感負(fù)載。
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問題，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。
選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際
K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2；
I負(fù)載：負(fù)載流過的強(qiáng)大電流； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；
U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）；
I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。
可控硅模塊的使用注意事項(xiàng)
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過相應(yīng)電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。
3.嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。
5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護(hù)裝置。
6.防止控制正向過載和反向擊穿。
