雙向可控硅第 一陽A1與第二陽A2間，無論所加電壓性是正向還是反向，只要控制G和第 一陽A1間加有正負性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當第 一陽A1，棗莊可控硅模塊配件、第二陽A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。
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可控硅模塊的出現已經歷史悠久，它的出現也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優勢，使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎，下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的，并因此得到長足發展。
可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電，陽a，陰K和控制機G所構成的。
可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：
可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。
