接下來需要檢測的是控制與陰之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽與控制之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制和陰之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制與陰之間的PN結已經損壞，菏澤反并聯可控硅模塊生產廠家。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值，菏澤反并聯可控硅模塊生產廠家，菏澤反并聯可控硅模塊生產廠家。
如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽，紅表筆仍接陰，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰不動，黑表筆在不脫開陽的同時用表筆尖去瞬間短接控制，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽接黑表筆，陰接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。
可控硅模塊是有PNPN四層半導體構成的元件，有三個電，陽a，陰K和控制機G所構成的。
可控硅模塊的應用領域模塊應用詳細說明介紹：
可控硅模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現穩流、穩壓、軟啟動等功能，并可實現過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。
雙向可控硅的檢測
用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽A1和控制G，另一空腳即為第二陽A2。確定A、G后，再仔細測量A1、G間正反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽A1，紅表筆所接引腳為控制G。將黑表筆接已確定了的第二陽A2，紅表筆接陽A1，此時萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G瞬間短接，給G加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右�；Q紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽A2，黑表筆接陽A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G間再次瞬間短接，給G加上負向的觸發電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應不變，保持10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳性判斷正確。
檢測較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。
