晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)需要留出一定余量。選擇方法可按照以下公式計(jì)算：

I>K×I負(fù)載×U較大∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5，濱州MTDC200晶閘管智能模塊價(jià)格，感性負(fù)載K= 2；

I負(fù)載：負(fù)載流過的較大電流；    U實(shí)際：負(fù)載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，濱州MTDC200晶閘管智能模塊價(jià)格，其余規(guī)格均為1，濱州MTDC200晶閘管智能模塊價(jià)格.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標(biāo)稱的電流一定要大于該值。

例：某系統(tǒng)用三相整流模塊電爐調(diào)溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調(diào)350V～450V，應(yīng)選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負(fù)載,按公式輸出電流應(yīng)不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。

晶閘管智能模塊的基本組成

晶閘管芯片以不同的形式連接，并與觸發(fā)控制系統(tǒng)集成。可形成單相和三相交流整流形式。該模塊的直流控制電源信號可由手動(dòng)、儀表或微機(jī)控制。

主要結(jié)果如下：(1)選用進(jìn)口(DCB)陶瓷銅層壓板、金屬M(fèi)o片、純銅導(dǎo)熱基板等材料實(shí)現(xiàn)無間隙焊接，絕緣性能好，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱循環(huán)次數(shù)比國家標(biāo)準(zhǔn)高10倍。

（2）采用進(jìn)口方形芯片，電連接部分采用高分子復(fù)合材料作為支撐板和連接橋，使模塊工作壓降低、功耗低、熱阻小、工作效率高。

（3）均采用貼片元件，自行設(shè)計(jì)的10位A/D數(shù)字觸發(fā)電路，高集成觸發(fā)控制系統(tǒng)，在電感和電容負(fù)載條件下具有一定優(yōu)勢，輸出電壓對稱性好，無相序接入要求。

（4）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離，絕緣電壓大于2500V，可以人身和設(shè)備使用安全。

（5）該模塊以輸入直流0-5V、0-10V和4-20mA控制三種不同的控制信號，以滿足用戶的不同控制模式。

（6）輸出電壓不對稱度小于2%，輸出電壓不穩(wěn)定度小于0.5%。

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù)

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應(yīng)用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應(yīng)用于各行各業(yè)需要對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵(lì)磁以及各行業(yè)使用的直流電機(jī)調(diào)速、交流電機(jī)軟起動(dòng)等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，從而實(shí)現(xiàn)弱電對強(qiáng)電的控制。

電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法。控制信號可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時(shí)用。可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入