可控硅模塊的特性
單向晶閘管模塊具有其獨特的特性：當陽連接到反向電壓時，或陽連接到正向電壓時，但控制不增加電壓，則不會導通，當陽和控制同時連接到正向電壓時，將變為接通狀態。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓，河南大功率可控硅模塊選型，無論控制電壓的性如何，都將始終處于接通狀態。若要關閉，只能將陽電壓降到某個臨界值或反向，河南大功率可控硅模塊選型。
雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當電管腳朝著帶有字符的一側向下時），河南大功率可控硅模塊選型。當改變施加到控制G的觸發脈沖的大小或時間時，其接通電流的大小可以改變。
相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。
可控硅模塊的主要參數有：
(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽---陰間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制開路未加觸發信號，陽正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。
可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
