雙向可控硅的檢測
用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽A1和控制G，另一空腳即為第二陽A2。確定A、G后，再仔細測量A1、G間正反向電阻，雙向可控硅模塊優點，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽A1，紅表筆所接引腳為控制G。將黑表筆接已確定了的第二陽A2，紅表筆接陽A1，此時萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G瞬間短接，給G加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽A2，黑表筆接陽A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G間再次瞬間短接，給G加上負向的觸發電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應不變，保持10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳性判斷正確。
檢測較大功率可控硅管是地，雙向可控硅模塊優點，需要在萬用表黑筆中串接一節1，雙向可控硅模塊優點.5V干電池，以提高觸發電壓。
可控硅模塊的出現已經歷史悠久，它的出現也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優勢，使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎，下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的，并因此得到長足發展。
可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。
選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際
K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；
I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；
U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；
I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。
