它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速，行吊集成智能調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家，行吊集成智能調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，行吊集成智能調(diào)壓模塊生產(chǎn)廠家，因此圖1繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達到臨界飽和，所以GTO門上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽比較大可關(guān)斷電流IATM與門比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門電流對陽電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，當(dāng)黑表筆接G。

晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中，晶閘管模塊的陽A和陰K與電源和負載相連，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵G和陰K與控制可控硅的裝置相連，形成晶閘管模塊的控制電路。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1、J2和J3的三個pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三管和NPN型三管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽電壓時，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電電流同時是另一個晶體管的基電流。因此，當(dāng)有足夠的柵電流Ig流入時，兩個復(fù)合晶體管電路會形成較強的正反饋，從而導(dǎo)致兩個晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。

    產(chǎn)生足夠大的電電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的電電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1一1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)�通狀態(tài)。式（1一1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當(dāng)門加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。不使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點。