構成一個PNP型三管和一個NPN型三管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用，山東MTDC55晶閘管智能模塊結構。圖2中每個晶體管的集電電流同時就是另一個晶體管的基電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門機電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電電流相應為Ic1和Ic2；發射電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽電流等于兩管的集電電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門電流為Ig,則晶閘管陰電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1一1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽電壓，而門未受電壓的情況下，式（1一1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽電壓下，山東MTDC55晶閘管智能模塊結構，從門G流入電流Ig，山東MTDC55晶閘管智能模塊結構,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的電電流Ic2流過PNP管的發射結。

模塊內部晶閘管主要參數

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應用于各行各業需要對電力能量大小進行調整和變換的場合。如變壓器調壓；加熱行業調溫；金屬加工行業的電鍍、電解；電源行業電池充放電、電源穩壓；電磁行業的勵磁以及各行業使用的直流電機調速、交流電機軟起動等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個可調的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調節，從而實現弱電對強電的控制。

電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法。控制信號可以有0～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時用�？赏饨� 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入

晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關系因負載性質和電路形式的不同而有所區別：

單相交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

單相整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于5V～9.5V。

三相全控整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應2V～8V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于3.5V～8V。

三相半控整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相全控交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對應1.5V～9V。

三相半控交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對應0.5V～5V；整流充電時，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對應5V～9.5V。

注：交流調壓模塊用于感性負載時α應大于負載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當α≤Ψ時，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。