單向可控硅模塊有陽A、陰K、控制G三個引出腳。雙向可控硅有一陽A1(T1)，二陽A2(T2)、控制G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽A與陰K之間加有正向電壓，同時(shí)控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A，北京小功率可控硅模塊廠家、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽A與陰K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽A和陰K之間仍保持正向電壓，北京小功率可控硅模塊廠家，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽A電壓拆除或陽A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)，北京小功率可控硅模塊廠家。單向可控硅一旦截止，即使陽A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務(wù)需要。北京小功率可控硅模塊廠家

導(dǎo)通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導(dǎo)通角與模塊能輸出的器強(qiáng)大電流有直接關(guān)系，模塊的標(biāo)稱電流是強(qiáng)大導(dǎo)通角時(shí)能輸出的強(qiáng)大電流。在小導(dǎo)通角（輸出電壓與輸入電壓比值很�。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽�，但電流的有效值很�。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值�。�，但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應(yīng)選擇在強(qiáng)大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。北京小功率可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不具有單向?qū)щ娦裕�而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí)，可控硅會誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí)，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽A1和控制G，另一空腳即為第二陽A2。確定A、G后，再仔細(xì)測量A1、G間正反向電阻，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽A1，紅表筆所接引腳為控制G。將黑表筆接已確定了的第二陽A2，紅表筆接陽A1，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G瞬間短接，給G加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右�；�換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽A2，黑表筆接陽A1。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無窮大。用短接線將A2、G間再次瞬間短接，給G加上負(fù)向的觸發(fā)電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。 淄博正高電氣有限公司通過的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。北京小功率可控硅模塊廠家

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可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二管，利用其可控功能，實(shí)現(xiàn)了弱電流對強(qiáng)電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點(diǎn)通斷：用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制。 北京小功率可控硅模塊廠家

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