可控硅模塊選購注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái)）、配置散熱器型號。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?

可控硅模塊使用注意事項(xiàng)：

(1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門已短路或開路。陰陽間電阻，應(yīng)大于1MΩ，陜西小功率可控硅模塊，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件間絕緣性能不良，電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且所規(guī)定的冷卻條件。為散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，陜西小功率可控硅模塊，陜西小功率可控硅模塊，以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制的正向過載和反向擊穿。

接下來需要檢測的是控制與陰之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽與控制之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制和陰之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大，表明控制與陰之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽，紅表筆仍接陰，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽接黑表筆，陰接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 陜西小功率可控硅模塊我們愿與您共同努力，共擔(dān)風(fēng)雨，合作共贏。

單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時(shí)黑筆接的引腳為控制G，紅筆接的引腳為陰K，另一空腳為陽A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽A，紅表筆仍接陰K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短接線瞬間短接陽A和控制G，此時(shí)萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽A接黑表筆，陰K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二管，利用其可控功能，實(shí)現(xiàn)了弱電流對強(qiáng)電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點(diǎn)通斷：用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩為陰陽，而是稱作T1和T2，G為控制，其控制上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來��；

（3）為控制可靠觸發(fā)，加到控制的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和等環(huán)節(jié)，主要依靠國內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預(yù)期和操控范圍內(nèi)，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用，對電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要，涉及到工藝、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗(yàn)證、可靠性等。當(dāng)前國內(nèi)可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器行業(yè)發(fā)展迅速，我國 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列，但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，我國企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游，尤其是可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國外。目前汽車行業(yè)、醫(yī)治、航空、通信等領(lǐng)域的無一不刺激著電子元器件。就拿近期的話題“5G”來說，新的領(lǐng)域需要新的技術(shù)填充。“5G”所需要的元器件開發(fā)有限責(zé)任公司要求相信也是會(huì)更高，制造工藝更難。電子元器件銷售是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業(yè)商已承擔(dān)了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求，了原廠產(chǎn)品在終端的應(yīng)用，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價(jià)值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長，國內(nèi)市場表現(xiàn)優(yōu)于市場，多個(gè)下游行業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長潛力。陜西小功率可控硅模塊

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