PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進入在反應腔體，在射頻源的左右下，氣體被電離成活性基團�；钚曰鶊F進行化學反應，北京叉指電真空鍍膜加工，在低溫（300攝氏度左右）生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導體器件的絕緣層，可有效的進行絕緣。PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，北京叉指電真空鍍膜加工，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中，北京叉指電真空鍍膜加工。在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現控制。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。北京叉指電真空鍍膜加工
磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，較終能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。磁控濺射還可用于不同金屬合金的共濺射，同時使用多個靶qiang電源和不同靶材，例如TiW合金，通過獨自調整Ti、W的濺射速率，同時開始濺射2種材料，則在襯底上可以形成Ti/W合計，對不同材料的速率進行調節，即能滿足不同組分的要求。北京叉指電真空鍍膜加工熱氧化氧化過程主要分兩個步驟：氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面：氧氣或者水蒸氣等擴散到硅表面。
在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧氣，硅片與氧化反應生成氧化硅，氧化速率比較慢，氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當中通入氧氣和氫氣，兩者反應生長水蒸氣，水蒸氣與硅片表面反應生長氧化硅，濕法氧化，速率比較快，可以生長比較厚的薄膜。對于薄膜應力主要有以下原因：1.薄膜生長初始階段，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產生熱應變；3.薄膜和襯底間點陣錯配而產生界面應力；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產生壓應力；5.斜入射造成各向異性成核、生長；6.薄膜內產生相變或化學組分改變導致原子體積變化。熱氧化與化學氣相沉積不同，它是通過氧氣或水蒸氣擴散到硅表面并進行化學反應形成氧化硅。
等離子可在接近基片的周圍被激發(近程等離子法)。而對于半導體硅片等敏感型基材，輻射和離子轟擊可能損壞基材。另一方面，在遠程等離子法中，等離子體與基材間設有空間隔斷。隔斷不能夠保護基材，也允許激發混合工藝氣體的特定成分。然而，為化學反應在被活動的粒子真正抵達基材表面時才開始進行，需精心設計工藝過程。在等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中，由等離子體輔助化學反應過程。在等離子體輔助下，200 到500°C的工藝溫度足以實現成品膜層的制備，因此該技術降低了基材的溫度負荷。磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。江西貴金屬真空鍍膜實驗室
電子束蒸發是蒸度高熔點薄膜和高純薄膜的一種主要加熱方法。北京叉指電真空鍍膜加工
在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場的作用下較終沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。北京叉指電真空鍍膜加工
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