在等離子蝕刻工藝中,發生著許多的物理現象。當在腔體中使用電（DC或RF激發）或微波產生一個強電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發生電離現象,并且產生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發電離現象則無法產生穩定且能發生反應的中性物當足夠的能量提供給系統,一個穩定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應中性物通過物理和化學方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強電場來加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過程將能量傳遞給了離子，廣東MEMS材料刻蝕工藝,當它們撞擊到襯底表面時,內部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞，廣東MEMS材料刻蝕工藝,襯底表面的原子會被噴射到氣體中，廣東MEMS材料刻蝕工藝,較終被真空系統抽走。氮化硅濕法刻蝕：對于鈍化層，另外一種受青睞的化合物是氮化硅。廣東MEMS材料刻蝕工藝
等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟：1、在低壓下，反應氣體在射頻功率的激發下，產生電離并形成等離子體，等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團（Radicals）2、活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應并形成揮發性的反應生成物3、反應生成物脫離被刻蝕物質表面，并被真空系統抽出腔體。在平行電等離子體反應腔體中，被刻蝕物是被置于面積較小的電上，在這種情況，一個直流偏壓會在等離子體和該電間形成，并使帶正電的反應氣體離子加速撞擊被刻蝕物質表面，這種離子轟擊可較大加快表面的化學反應，及反應生成物的脫附，從而導致比較高的刻蝕速率，正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現。廣東MEMS材料刻蝕工藝一般而言，高蝕速率（在一定時間內去除的材料量）都會受到歡迎。
基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。這樣才能地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，對環境污染少，適用于工業生產。
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法�？涛g基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。廣東省科學院半導體研究所。二氧化硅濕法刻蝕：較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅。廣東MEMS材料刻蝕工藝
濕法仍然用來硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。廣東MEMS材料刻蝕工藝
工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩�；蛲Ｖ箤樱┩ǔ６枷Ｍ懈叩倪x擇比。廣東MEMS材料刻蝕工藝
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