刻蝕較簡單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、。優點是選擇性好、重復性好，上海氮化鎵材料刻蝕外協、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多，包括光揮發、氣相、等離子體等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，上海氮化鎵材料刻蝕外協，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕，上海氮化鎵材料刻蝕外協。氮化鎵材料的刻蝕需要使用氧化硅作為掩膜來刻蝕，而氧化硅的刻蝕需要使用Cr充當硬掩模。上海氮化鎵材料刻蝕外協
等離子刻蝕是干法刻蝕中較常見的一種形式。一種或多種氣體原子或分子混合于反應腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體。其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。一個等離子體干法刻蝕系統基本部件包括：發生刻蝕反應的反應腔、產生等離子體氣的射頻電源、氣體流量控制系統、去除生成物的真空系統。刻蝕中會用到大量的化學氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅，氯和氟刻蝕鋁，氯、氟和溴刻蝕硅，氧去除光刻膠。廣州半導體材料刻蝕服務介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅，氮化硅。
對于被刻蝕材料和掩蔽層材料（例如光刻膠）的選擇比SR可通過下式計算：SR=Ef/Er；其中，Ef為被刻蝕材料的刻蝕速率，Er為掩蔽層材料的刻蝕速率（如光刻膠）；根據這個公式，選擇比通常表示為一個比值，一個選擇比差的工藝這一比值可能是1:1，意味著被刻蝕的材料與光刻膠掩蔽層被去除地一樣快，而一個選擇比高的工藝這一比值可能是100:1，說明被刻蝕材料的刻蝕速率為不要被刻蝕材料的（如光刻膠）刻蝕速率的100倍。廣東省科學院半導體研究所。
干法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸孔和通孔結構的制作需要刻蝕介質，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深寬比（窗口的深與寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰性。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互連線。廣東省科學院半導體研究所。干法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類，如刻蝕氮化鎵、氧化硅、氮化硅、鋁鎵氮等材料。
等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來的區域，便是往下的所在；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性，便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當其被蝕出某深度時，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸，故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象(undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕刻蝕技術因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術！濕法刻蝕優點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。安徽氧化硅材料刻蝕技術
二氧化硅的刻蝕，可以采用濕法的方法來，也可以采用ICP干法來刻蝕。上海氮化鎵材料刻蝕外協
刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形，然后把此圖形地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。上海氮化鎵材料刻蝕外協
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