在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，湖南MEMS材料刻蝕公司，與硅片發生物理或化學反應（或這兩種反應），湖南MEMS材料刻蝕公司，從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法。而在濕法中，湖南MEMS材料刻蝕公司，液體化學試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學方式去除硅片表面的材料。濕法一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法仍然用來硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。鈍化層基本的刻蝕劑是氫氟酸，它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優點。湖南MEMS材料刻蝕公司
工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩模或停止層）通常都希望有更高的選擇比。湖南MEMS材料刻蝕公司刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。
等離子刻蝕是將電磁能量（通常為射頻（RF））施加到含有化學反應成分（如氟或氯）的氣體中實現。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料，并和活性自由基產生化學反應，與刻蝕的材料反應形成揮發性或非揮發性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌，這種形貌是現今密集封裝芯片設計中制作細微特征所必需的。一般而言，高蝕速率（在一定時間內去除的材料量）都會受到歡迎。反應離子刻蝕（RIE）的目標是在物理刻蝕和化學刻蝕之間達到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強度足以去除必要的材料，同時適當的化學反應能形成易于排出的揮發性殘留物或在剩余物上形成保護性沉積（選擇比和形貌控制）。采用磁場增強的RIE工藝，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式，改進了處理過程。
氮化硅的干法刻蝕S13N4在半導體工藝中主要用在兩個地方。1、用做器件區的防止氧化保護層（厚約lOOnm）。2、作為器件的鈍化保護層。在這兩個地方刻蝕的圖形尺寸都比較大，非等向的刻蝕就不那么重要了。刻蝕Si3N4時下方通常是厚約25nm的Si02，為了避免對Si02層的刻蝕，Si3N4與S102之間必須有一定的刻蝕選擇比。S13N4的刻蝕基本上與Si02和Si類似，常用CF4+0等離子體來刻蝕。但是Si-N鍵強度介于Si-Si與Si-0之間，因此使Si3N4對Si或Si02的刻蝕選擇比均不好。在CF4的等離子體中，Si對Si3N4的選擇比約為8，而Si3N4對Si02的選擇比只有2一3，在這么低的刻蝕選擇比下，刻蝕時間的控制就變得非常重要。除了CF4外，也有人改用蘭氟化氮(NF3)的等離子體來刻蝕Si3N4，雖然刻蝕速率較慢，但可獲得可以接受的Si3N4/Si02的刻蝕選擇比。刻蝕是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術。
刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。二氧化硅的刻蝕，可以采用濕法的方法來，也可以采用ICP干法來刻蝕。江西氮化硅材料刻蝕外協
介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅，氮化硅。湖南MEMS材料刻蝕公司
等向性刻蝕：大部份的濕刻蝕液均是等向性，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向速度并無明顯差異。故一旦定義好刻蝕掩膜的圖案，暴露出來的區域，便是往下的所在；蘭記婚只要刻蝕配方具高選擇性，便應當止于所該止之深度。然而有鑒于任何被蝕薄膜皆有其厚度，當其被蝕出某深度時，刻蝕掩膜圖案邊緣的部位漸與刻蝕液接觸，故刻蝕液也開始對刻蝕掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象(undercut)。該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕刻蝕技術因之而無法應用在類似次微米線寬的精密棄擊乃制程技術！湖南MEMS材料刻蝕公司
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