真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術）的基本原理可分為三個工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質，福建反射濺射真空鍍膜加工，福建反射濺射真空鍍膜加工、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設備幾乎都使用強力磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加,提高濺鍍速率，福建反射濺射真空鍍膜加工。降低PVD制備薄膜的應力，可以提高襯底溫度。福建反射濺射真空鍍膜加工
電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。云南ITO鍍膜真空鍍膜工藝物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。
使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜，已被普遍應用于半導體器件工藝當中。在LED工藝當中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結構致密，介電強度高、硬度大等優點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數很小，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。評價氧化硅薄膜的質量，較簡單的方法是采用BOE氧化硅薄膜，速率越慢，薄膜質量越致密，反之，速率越快，薄膜質量越差。另外，沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質量，沉積速率過快，會導致氧化硅薄膜速率過快，說明薄膜質量比較差。
LPCVD工藝在襯底表面淀積一層均勻的介質薄膜，在微納加工當中用于結構層材料、xi牲層、絕緣層、掩模材料，LPCVD工藝淀積的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀積采用不同的氣體。磁控濺射方向性要優于電子束蒸發，但薄膜質量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發。但磁控濺射可用于多種材料，適用性普遍，電子束蒸發則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完整性、表面能態的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等。
在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于水冷的坩堝當中，可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜。LPCVD反應的能量源是熱能，通常其溫度在500℃-1000℃之間，壓力在0.1Torr-2Torr以內，影響其沉積反應的主要參數是溫度、壓力和氣體流量，它的主要特征是因為在低壓環境下，反應氣體的平均自由程及擴散系數變大，膜厚均勻性好、臺階覆蓋性好。目前采用LPCVD工藝制作的主要材料有：多晶硅、單晶硅、非晶硅、氮化硅等。電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜中常用的一種方法，是在高真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料，使蒸發材料氣化并向襯底輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。解決靶中毒主要有使用射頻電源進行濺射、采用閉環控制反應氣體通入流量、使用孿生靶交替濺射等。福建反射濺射真空鍍膜加工
等離子體化學氣相沉積法使局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強。福建反射濺射真空鍍膜加工
真空蒸發鍍膜是在真空室中，加熱蒸發容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到襯底或者基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空蒸發鍍膜法，設備比較簡單、容易操作、制成的薄膜純度高、、膜厚容易控制，成膜速率快，效果高。在蒸發溫度以上進行蒸發試，蒸發源溫度的微小變化即可引起蒸發速率發生很大變化。因此，在鍍膜過程中，想要控制蒸發速率，必須控制蒸發源的溫度，加熱時應盡量避免產生過大的溫度梯度。蒸發速率正比于材料的飽和蒸氣壓，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個數量級左右。福建反射濺射真空鍍膜加工
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