PECVD，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，貴州磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，貴州磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng)，貴州磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因此，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（材料進(jìn)行有機(jī)清洗和無機(jī)清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）。熱氧化與化學(xué)氣相沉積不同，它是通過氧氣或水蒸氣擴(kuò)散到硅表面并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成氧化硅。貴州磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)

在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。化學(xué)氣相沉積法（CVD）是一種利用化學(xué)反應(yīng)的方式，將反應(yīng)氣體生成固態(tài)的產(chǎn)物，并沉積在基片表面的薄膜沉積技術(shù)。主要有常壓CVD、LPCVD（低壓氣相沉積法）、PECVD（等離子體增強(qiáng)氣相沉積法）等方法。PECVD反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴(kuò)散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。東莞低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠熱氧化氧化過程主要分兩個(gè)步驟：氧氣或者水蒸氣等吸附到氧化硅表面：氧氣或者水蒸氣等擴(kuò)散到硅表面。

磁控濺射一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離，物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。

PECVD的主要性能指標(biāo)，PECVD設(shè)備的主要特點(diǎn)，該設(shè)備成膜種類為氮化硅，這種PECVD成膜均勻性好、穩(wěn)定性高。每片硅片間不均勻性誤差在5%之內(nèi)，同一批硅片間的誤差在6%之內(nèi)，不同批次硅片間誤差在7%之內(nèi)。溫度要求比較低，成膜溫度為150℃～500℃，恒溫區(qū)溫度均勻，誤差范圍在2℃之內(nèi)，并且在整個(gè)成膜過程中隨時(shí)間變化小，誤差范圍為2℃/24h之內(nèi)。升溫時(shí)間較短，工作壓力范圍廣，恢復(fù)真空時(shí)間短，設(shè)備封閉性強(qiáng)并且具有溫度控制和計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)控等安全措施功能。除此之外，PECVD與一般CVD相比有更多的優(yōu)點(diǎn)。PECVD主要由工藝管及電阻加熱爐、凈化推舟系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)6大部分組成。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。

磁控濺射主要利用輝光放電(glowdischarge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢比較多。新型的濺鍍設(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氬氣離子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。真空鍍膜的物理過程：PVD（物理的氣相沉積技術(shù)）的基本原理可分為三個(gè)工藝步驟：（1）金屬顆粒的氣化：即鍍料的蒸發(fā)、升華或被濺射從而形成氣化源（2）鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞，產(chǎn)生多種反應(yīng)。（3）鍍料粒子在基片表面的沉積。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。北京貴金屬真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室

利用PECVD生長的氮化硅薄膜均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜。貴州磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)

PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于活動(dòng)的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)，以在襯底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件當(dāng)中作為鈍化絕緣層，來提高器件的可靠性。等離子體化學(xué)氣相沉積法，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行。優(yōu)點(diǎn)是：反應(yīng)溫度降低，沉積速率較快，成膜，不容易破裂。缺點(diǎn)是：設(shè)備投資大、對(duì)氣管有特殊要求。貴州磁控濺射真空鍍膜平臺(tái)

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