影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到防止，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室，靶完全中毒，山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室，不能繼續濺射磁控濺射主要利用輝光放電將氬氣離子撞擊靶材表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室
利用PECVD生長的氮化硅薄膜具有以下優點：1.均勻性和重復性好，可大面積成膜2.可在低溫下成膜3.臺階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制 5.應用范圍廣，設備簡單，易于產業化。磁控濺射的優勢在于可根據靶材的性質來選擇使用不同的靶qiang進行濺射，靶qiang分為射頻靶(RF)、直流靶(DC)、直流脈沖靶(DC Pluse)。其中射頻靶主要用于導電性較差的氧化物、陶瓷等介質膜的濺射，也可以進行常規金屬材料濺射。直流靶只能用于導電性較好的金屬材料，而直流脈沖靶介于二者之間，可濺射硅、鍺等半導體材料。山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室在蒸發溫度以上進行蒸發試，蒸發源溫度的微小變化即可引起蒸發速率發生很大變化。
解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射；2.采用閉環控制反應氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應曲線，使進氣流量控制在產生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理的氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜、熱阻蒸發等。另一種是化學氣相沉積法（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓氣相沉積法）、PECVD（等離子體增強氣相沉積法）等方法。
在一定溫度下，在真空當中，蒸發物質的蒸氣與固體或液體平衡過程中所表現出的壓力， 稱為該物質的飽和蒸氣壓。此時蒸發物表面液相、氣相處于動態平衡，即到達液相表面的分子全部粘接而不離開，并與從液相都氣相的分子數相等。電子束蒸發蒸鍍如鎢(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發的溫度。經過實驗的驗證，蒸發高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到蒸發的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程。
PECVD，等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，兩種或多種氣體很容易發生反應，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因此，這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）。降低PVD制備薄膜的應力，可以提高襯底溫度。山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室
利用PECVD生長的氮化硅薄膜均勻性和重復性好，可大面積成膜。山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室
PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進入在反應腔體，在射頻源的左右下，氣體被電離成活性基團。活性基團進行化學反應，在低溫（300攝氏度左右）生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導體器件的絕緣層，可有效的進行絕緣。PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質量流量計來實現控制。山西等離子體增強氣相沉積真空鍍膜實驗室
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