刻蝕較簡單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、。優點是選擇性好，黑龍江Si材料刻蝕平臺、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多，黑龍江Si材料刻蝕平臺，包括光揮發、氣相、等離子體等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕，黑龍江Si材料刻蝕平臺、介質刻蝕和硅刻蝕。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性（或者稱為微負載），通常以百分比表示。黑龍江Si材料刻蝕平臺
鋁膜濕法刻蝕：對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應的副產物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應。結果既可能產生導致相鄰引線短路的鋁橋連，又可能在表面形成不希望出現的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題。典型的活性溶液成分配比是：16：1：1：2。除了特殊配方外，典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動。有時聲波或兆頻聲波也用來去除氣泡。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。黑龍江Si材料刻蝕平臺刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。
刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中，經過掩模套準、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形，然后把此圖形地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要是利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。
在等離子蝕刻工藝中,發生著許多的物理現象。當在腔體中使用電或微波產生一個強電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發生電離現象,并且產生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發電離現象則無法產生穩定且能發生反應的中性物當足夠的能量提供給系統,一個穩定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應中性物通過物理和化學方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強電場來加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過程將能量傳遞給了離子,當它們撞擊到襯底表面時,內部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統抽走。刻蝕的工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。
隨著光刻膠技術的進步，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。與此同時，這兩項技術對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠先不能與浸沒液體發生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必須大于透鏡，液體和頂部涂層。因此光刻膠中主體樹脂的折射率一般要求達到1.9以上；接著，光刻膠不能在浸沒液體的浸泡下和后續的烘烤過程中發生形變，影響加工精度；較后，當浸沒工藝目標分辨率接近10nm時，將對于光刻膠多個性能指標的權衡都提出了更加苛刻的挑戰。浸沒ArF光刻膠制備難度大于干性ArF光刻膠，是ArF光刻加工分辨率突破45nm的關鍵之一。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。刻蝕配方要進行調整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。黑龍江Si材料刻蝕平臺
濕法刻蝕特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、。黑龍江Si材料刻蝕平臺
反應離子刻蝕（RIE）是當前常用技術路徑，屬于物理和化學混合刻蝕。在傳統的反應離子刻蝕機中，進入反應室的氣體會被分解電離為等離子體，等離子體由反應正離子、自由基，浙江氮化硅材料刻蝕服務價格、反應原子等組成。反應正離子會轟擊硅片表面形成物理刻蝕，同時被轟擊的硅片表面化學活性被提高，之后硅片會與自由基和反應原子形成化學刻蝕。這個過程中由于離子轟擊帶有方向性，RIE技術具有較好的各向異性。目前集成電路制造技術中用于刻蝕關鍵層的刻蝕方法是高密度等離子體刻蝕技術。傳統的RIE系統難以使刻蝕物質進入高深寬比圖形中并將殘余生成物從中排出，因此不能滿足0.25μm以下尺寸的加工要求，解決辦法是增加等離子體的密度。高密度等離子體刻蝕技術主要分為電子回旋加速振蕩（ECR）、電容或電感耦合等離子體（CCP/ICP）。刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱。黑龍江Si材料刻蝕平臺
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