根據曝光方式的不同，光刻機主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應，缺點是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和光刻版上產生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機，光刻版與光刻膠有一個很小的縫隙，因為光刻版與襯底沒有接觸，缺陷減少，優點是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率低，貴州功率器件光刻，存在衍射效應。投影式曝光，貴州功率器件光刻，一般光學系統將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對準后曝光，貴州功率器件光刻，每次曝光一小部分，曝完一個圖形后，硅片移動到下一個曝光位置繼續對準曝光，這種曝光方式分辨率比較高，但不產生缺陷。光刻技術是借用照相技術、平板印刷技術的基礎上發展起來的半導體關鍵工藝技術。貴州功率器件光刻

正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理，涂膠、軟烘、曝光、顯影、圖形檢查，后烘。負膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。正膠曝光前，光刻膠不溶于顯影液，曝光后，曝光區溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同；而負性光刻膠，曝光前光刻膠可溶于顯影液，曝光后，被曝光區不溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同。光刻可能會出現顯影不干凈的異常，主要原因可能是顯影時間不足、顯影溶液使用周期過長，溶液溶解膠量較多、曝光時間不足，主要的解決方法有增加顯影時間、更換新的顯影液，增強溶液溶解能力、增加曝光時間。貴州功率器件光刻光刻技術成為一種精密的微細加工技術。

光刻膠國產代替是*半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，*大陸積布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的中心工藝，對制造出更，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配。現在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學院半導體研究所。

光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業與化工行業交叉的領域，是典型的技術密集行業。從事微電子化學品業務需要具備與電子產業前沿發展相匹配的關鍵生產技術，如混配技術、分離技術、純化技術以及與生產過程相配套的分析檢驗技術、環境處理與監測技術等。同時，下游電子產業多樣化的使用場景要求微電子化學品生產企業有較強的配套能力，以及時研發和改進產品工藝來滿足客戶的個性化需求。光刻膠的生產工藝主要過程是將感光材料、樹脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級的黃光區潔凈房進行混合，在氮氣氣體保護下充分攪拌，使其充分混合形成均相液體，經過多次過濾，并通過中間過程控制和檢驗，使其達到工藝技術和質量要求，較后做產品檢驗，合格后在氮氣氣體保護下包裝、打標、入庫。常用的光刻機是掩模對準光刻，所以它被稱為掩模對準系統。

邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法：a、化學的方法（ChemicalEBR）。軟烘后，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反面邊緣處，并小心控制不要到達光刻膠有效區域；b、光學方法（OpticalEBR）。即硅片邊緣曝光（WEE，WaferEdgeExposure）。在完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解；對準方法：a、預對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準；b、通過對準標志（AlignMark），位于切割槽（ScribeLine）上。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。珠海芯片光刻

在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。貴州功率器件光刻

光刻技術是集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻技術是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應；再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上；較后利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。貴州功率器件光刻