微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發(fā)生反應(yīng)生成SiO2，后續(xù)O2通過(guò)SiO2層擴(kuò)散到Si/SiO2界面，繼續(xù)與Si發(fā)生反應(yīng)增加SiO2薄膜的厚度，生成1個(gè)單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；相對(duì)CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結(jié)構(gòu)層，提高M(jìn)EMS器件的可靠性。同時(shí)致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件，中山刻蝕微納加工。同時(shí)氧化工藝一般采用傳統(tǒng)的爐管設(shè)備來(lái)制作，成本低，產(chǎn)量大，一次作業(yè)100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內(nèi)，中山刻蝕微納加工。在微納加工過(guò)程中，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜，中山刻蝕微納加工、合金薄膜、化合物等。中山刻蝕微納加工

目前微納制造領(lǐng)域較常用的一種微細(xì)加工技術(shù)是LIGA。這項(xiàng)技術(shù)由于可加工尺寸小、精度高，適合加工半導(dǎo)體材料，因而在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到普遍的應(yīng)用，其較基礎(chǔ)的中心技術(shù)是光刻，即曝光和刻蝕工藝。隨著LIGA技術(shù)的發(fā)展，人們開(kāi)發(fā)出了比較多種不同的曝光、刻蝕工藝，以滿足不同精度尺寸、生產(chǎn)效率等的需求。LIGA技術(shù)經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，但是這項(xiàng)技術(shù)的基本原理*了它必然會(huì)存在的一些缺陷，比如工藝過(guò)程復(fù)雜、制備環(huán)境要求高（比如需要凈化間等）、設(shè)備投入大、生產(chǎn)成本高等。浙江微納加工廠微納制造的加工材料多種多樣。

微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：（1）微電子化：采用MEMS工藝，可以把不同功能、不同敏感方向或致動(dòng)方向的多個(gè)傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感陣列、微執(zhí)行器陣列甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復(fù)雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出可靠性、穩(wěn)定性比較高的微電子機(jī)械系統(tǒng)。（2）MEMS技術(shù)適合批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在同一硅片上同時(shí)可制造出成百上千微型機(jī)電裝置或完整的MEMS，批量生產(chǎn)可較大降低生產(chǎn)成本。（3）多學(xué)科交叉：MEMS涉及電子、機(jī)械、材料、制造、信息與自動(dòng)控制、物理、化學(xué)和生物等多學(xué)科，并集約當(dāng)今科學(xué)發(fā)展的許多成果。

當(dāng)前納米制造技術(shù)在環(huán)境友好方面有望大展身手的一些領(lǐng)域：1、照明：對(duì)于傳統(tǒng)的白熾光源來(lái)說(shuō)，LEDs是一種高效能的替代，納米技術(shù)可用來(lái)開(kāi)發(fā)更多新的光源。2、發(fā)動(dòng)機(jī)/燃料效率：采用納米顆粒燃料添加劑能夠減少柴油機(jī)的能耗并改善局部空氣質(zhì)量。微納材料也用來(lái)改善飛機(jī)渦輪葉片的熱阻性能，使得發(fā)動(dòng)機(jī)可以在更高的溫度下繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)，進(jìn)而提高整個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)的效率。3、減重：新型較強(qiáng)度復(fù)合材料能夠減輕材料的重量。未來(lái)的目標(biāo)包括：在金屬合金和塑料中摻雜納米管來(lái)減少飛機(jī)的重量；改進(jìn)橡膠配方中摻雜入輪胎的納米顆粒；利用通過(guò)納米技術(shù)制得的汽車等的催化式排氣凈化器優(yōu)化車內(nèi)燃料的燃燒過(guò)程。我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界水平業(yè)的杰出位置。

隨著聚合物精密擠出成型技術(shù)和現(xiàn)代納米技術(shù)的發(fā)展，聚合物制品逐漸向微型化發(fā)展，傳統(tǒng)擠出成型也朝著微型化發(fā)展，出現(xiàn)了微擠出成型技術(shù)。如今，微擠出成型技術(shù)常應(yīng)用于納米介入導(dǎo)管、微型光纖和微細(xì)齒輪等的制備。在聚合物熔體微擠出成型的過(guò)程中，機(jī)頭流道結(jié)構(gòu)直接影響到熔體流動(dòng)的流場(chǎng)分布與穩(wěn)定性。不合理的機(jī)頭結(jié)構(gòu)參數(shù)，將導(dǎo)致制品尺寸誤差、形狀誤差和機(jī)械性能不足等問(wèn)題的出現(xiàn)，出現(xiàn)諸如壁厚不均、開(kāi)裂、蜜魚(yú)皮和翹曲等缺陷。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)基于微尺度條件下的聚合物流動(dòng)行為進(jìn)行了大量有意義的嘗試和研究，主要研究?jī)?nèi)容包括微細(xì)流道聚合物溶體流動(dòng)、表面張力、壁面滑移現(xiàn)象、微擠出機(jī)頭設(shè)計(jì)等。為更深入、系統(tǒng)的微擠出成型研究奠定了理論基礎(chǔ)。微納制造技術(shù)是由零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、組裝、集成與應(yīng)用技術(shù)。浙江微納加工廠

機(jī)械微加工是微納制造中較方便，也較接近傳統(tǒng)材料加工方式的微成型技術(shù)。中山刻蝕微納加工

微納加工當(dāng)中，GaN材料的刻蝕一般采用光刻膠來(lái)做掩膜，但是刻蝕GaN和光刻膠，選擇比接近1:1，如果需要刻蝕深度超過(guò)3微米以上就需要采用厚膠來(lái)做掩膜。對(duì)于刻蝕更深的GaN,那就需要采用氧化硅來(lái)做刻蝕的掩模，刻蝕GaN的氣體對(duì)于刻蝕氧化硅刻蝕比例可以達(dá)到8:1。應(yīng)用于MEMS制作的襯底可以說(shuō)是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。硅晶圓包括氧化硅片、SOI硅片、高阻硅片等，硅片晶圓包括單晶石英玻璃、高硼硅玻璃、光學(xué)玻璃、光敏玻璃等。塑料材料包括PMMA、PS、光學(xué)樹(shù)脂等材料。其他材料包括陶瓷、AlN材料、金屬等材料。中山刻蝕微納加工