高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據悉，云南MEMS微納加工實驗室，某公司新上市的手機產品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，云南MEMS微納加工實驗室，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節，可以實現良好的灰度光刻能力。微納加工包括光刻、磁控濺射，云南MEMS微納加工實驗室、電子束蒸鍍、濕法、干法、表面形貌測量等。云南MEMS微納加工實驗室

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當的深度時停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。廣東真空鍍膜微納加工代工微納結構器件是系統重要的組成部分，其制造的質量、效率和成本直接影響著行業的發展。

在光刻圖案化工藝中，先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區域的光刻膠發生化學變化，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代，聯同其他多個物理過程，便產生集成電路。

聚合物等溫微納米熱壓印技術同時適用于結晶型聚合物和非晶型聚合物，研究人員分別選用PP和PMMA作為兩類聚合物的象征，對較優加工工藝及其內在成型機理展開探索。結果表明，對PMMA等非晶型聚合物而言，模具溫度設定在Tg附近即可獲得成型效果優異的微納結構制品；在加工PP等結晶型聚合物時，模具溫度則應設置在Tm以下40~60℃的溫度區間內。利用聚合物等溫微納米熱壓印技術制得的微納結構制品結構穩定，微納結構一致性高且成型效率高。目前，聚合物等溫微納米壓印方法的相關中心技術已申請國家發明專利和PCT專利。相信在范圍內的微納制造技術研發大潮中，聚合物等溫微納米熱壓印技術的出現會為研究人員提供新的靈感和動力。微納制造的加工材料多種多樣。

微納制造技術一般是指微米、納米級的材料、設計、制造、測量控制和產品的研發、加工、制造以及應用技術。微納制造技術是繼IT、生物技術之后，21世紀較具發展潛力的研究領域和新興產業之一。微納制造技術較早是由加工精度研究的角度延伸出來的。伴隨著科技進步和制造業的快速發展，人們對加工精度的要求越來越高，傳統加工方式的加工精度越來越難以滿足諸多領域的應用和研究需求。這一需求促使人們投入到更高精度加工技術的研發上。從較初的毫米級（10-3m）到微米級（10-6m）和納米級（10-9m），人類的制造水平逐步由宏觀尺度向微觀尺度邁進，“微納制造技術”的概念也應運而生。在微納加工過程中，蒸發沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。廣東功率器件微納加工實驗室

高精度的微細結構具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率低。云南MEMS微納加工實驗室

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態結構都是隨機的，而沒有固定的晶態結構。外延生長實質上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態結構相同或相似的晶態薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都普遍用于微納制作工藝中。云南MEMS微納加工實驗室