光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過采用了烯類單體，在光作用下生成自由基從而進一步引發單體聚合，較后生成聚合物的過程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過采用含有疊氮醌類化合物的材料在經過光照后,發生光分解反應的過程。光交聯型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負性光刻膠。按照應用領域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠，江西微納光刻、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低，江西微納光刻，而半導體光刻膠表示著光刻膠技術較水平，江西微納光刻。接觸式光刻機，曝光時，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應。江西微納光刻

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優點：涂底均勻、避免顆粒污染；旋轉涂底。缺點：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性旋轉涂膠方法：a、靜態涂膠（Static）。硅片靜止時，滴膠、加速旋轉、甩膠、揮發溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動態（Dynamic）。低速旋轉（500rpm_rotationperminute）、滴膠、加速旋轉（3000rpm）、甩膠、揮發溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越薄；激光器光刻實驗室光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。

光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性光刻膠；光交聯型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。動態噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大，靜態涂膠已經不能滿足較新的硅片加工需求。廣東省科學院半導體研究所。

光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。目前光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。同時，國內光刻膠企業積抓住晶圓制造擴產的百年機遇，發展光刻膠業務，力爭早日追上水平，打進國內新建晶圓廠的供應鏈。光刻膠的國產化公關正在各方面展開，在面板屏顯光刻膠領域，已經出現了一批有競爭力的本土企業。在半導體和面板光刻膠領域，盡管國產光刻膠距離水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，已經有一批光刻膠企業陸續實現了技術突破。廣東省科學院半導體研究所。接觸式光刻機的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。

光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮氣保護）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變為憎水性，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。河南光刻工藝

正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預處理，涂膠、軟烘、曝光、顯影、圖形檢查，后烘。江西微納光刻

光刻膠供應商與客戶粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應和效果的穩定，下游客戶與光刻膠供應商一旦建立供應關系后，不會輕易更換。通過建立反饋機制，滿足個性化需求，光刻膠供應商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應商行列，往往需要滿足比現有供應商更高的要求。所以光刻膠行業對新進入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學品不品質要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規模效益，供應商就無法承擔滿足高品質多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規模構成了進入該行業的重要壁壘。廣東省科學院半導體研究所。江西微納光刻