真空鍍膜：真空涂層技術(shù)發(fā)展到了現(xiàn)在還出現(xiàn)了PCVD（物理化學(xué)氣相沉積）、MT-CVD（中溫化學(xué)氣相沉積）等新技術(shù)，各種涂層設(shè)備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式，廣東ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)。多弧鍍?cè)O(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下，當(dāng)涂層厚度達(dá)到0。3um時(shí)，廣東ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個(gè)不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差。可見，多弧鍍膜與磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)，將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層機(jī)應(yīng)運(yùn)而生。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底，廣東ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)，然后利用磁控濺射法增厚涂層，較后再利用多弧鍍達(dá)到較終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法。化學(xué)氣相沉積法主要有常壓CVD、LPCVD、PECVD等方法。廣東ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場(chǎng)的作用下，在飛向襯底過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。深圳ITO鍍膜真空鍍膜加工蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓，溫度變化10%左右，飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右。

針對(duì)PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴(kuò)散，并加速反應(yīng)過(guò)程，有利于形成擴(kuò)散附著，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對(duì)薄膜進(jìn)行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài)，緩解應(yīng)力帶來(lái)的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力

等離子體化學(xué)氣相沉積法，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行。優(yōu)點(diǎn)是：反應(yīng)溫度降低，沉積速率較快，成膜質(zhì)量好，不容易破裂。缺點(diǎn)是：設(shè)備投資大、對(duì)氣管有特殊要求。PECVD，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，使局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應(yīng)，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因此，這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。真空鍍膜是在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來(lái)打到被鍍物體的表面上。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點(diǎn)材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進(jìn)，以提高鍍膜的效率。高熔點(diǎn)的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當(dāng)中，因?yàn)樗�冷坩堝�?dǎo)熱過(guò)快，材料難以達(dá)到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證，蒸發(fā)高熔點(diǎn)的材料可以用薄片來(lái)蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過(guò)坩堝邊沿來(lái)導(dǎo)熱，散熱速率慢，有利于達(dá)到材料蒸發(fā)的熔點(diǎn)。經(jīng)驗(yàn)證，采用此種方式鍍膜，薄膜均勻性良好，采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。真空鍍膜技術(shù)有真空束流沉積鍍膜。深圳磁控濺射真空鍍膜加工

真空鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化。廣東ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)

真空鍍膜：真空蒸鍍基本工藝鍍前處理：包括清洗鍍件和預(yù)處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學(xué)溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預(yù)處理有除靜電，涂底漆等。裝爐：包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發(fā)源安裝、調(diào)試、鍍件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打開擴(kuò)散泵的前級(jí)維持真空泵，加熱擴(kuò)散泵。待預(yù)熱足夠后，打開高閥，用擴(kuò)散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：將鍍件烘烤加熱到所需溫度。離子轟擊：真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負(fù)高壓，離擊時(shí)間為5min～30min,預(yù)熔：調(diào)整電流使鍍料預(yù)熔，除氣1min～2min。蒸發(fā)沉積：根據(jù)要求調(diào)整蒸發(fā)電流，直到所需沉積時(shí)間結(jié)束。冷卻：鍍件在真空室內(nèi)冷卻到一定溫度。出爐：取件后，關(guān)閉真空室，抽真空至1×10-1Pa，擴(kuò)散泵冷卻到允許溫度，才可關(guān)閉維持泵和冷卻水。后處理：涂面漆等。廣東ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)