在圖1b所示的系統(tǒng)中，發(fā)射器線圈(tx)106被電路102(電路102可以是集成電路)激勵(lì)，以生成被示出為emf場108的可變電磁場(emf)。磁場108與接收器線圈(rx)104耦合。如圖1b所示，如果將導(dǎo)電金屬目標(biāo)124放置在接收器線圈104的上方，則會(huì)在金屬目標(biāo)124中生成渦電流。該渦電流生成新的電磁場，該電磁場理想情況下與場108相等并相反，從而抵消了在金屬目標(biāo)124正下方的接收器線圈104中的場。接收器線圈(rx)104捕獲由發(fā)射線圈106生成的可變emf場108和由金屬目標(biāo)124感應(yīng)的場，得到在接收器線圈104的端子處生成的正弦電壓。在沒有金屬目標(biāo)124的情況下，在rx線圈104(在圖1b中被標(biāo)記為rxcos110和rxsin112)的端子處將沒有電壓。當(dāng)金屬目標(biāo)124相對(duì)于rx線圈104被放置在特定位置時(shí)，在被金屬目標(biāo)124覆蓋的區(qū)域上的合成電磁場理想地為零，因此在rx線圈104的端子處的電壓將具有不同的特性，這取決于金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的位置。rx線圈104以以下方式被設(shè)計(jì)：隨著在整個(gè)接收器線圈104上掃描金屬目標(biāo)124，福建防爆傳感器線圈，在一個(gè)rx線圈(rxsin112)的端子處產(chǎn)生正弦電壓，在另一個(gè)rx線圈(rxcos110)的端子處產(chǎn)生余弦電壓，福建防爆傳感器線圈，福建防爆傳感器線圈。目標(biāo)相對(duì)于rx線圈104的位置調(diào)制在rx線圈104的端子處的電壓的幅度和相位。傳感器線圈哪家專業(yè)，無錫東英電子有限公司值得信賴，有需求的不要錯(cuò)過哦！福建防爆傳感器線圈

    但可以提高速度。例如，如果每次仿真需要10秒鐘來完成，則使用100次迭代的優(yōu)化可能需要16分鐘。然而，如果每次仿真需要10分鐘完成，則同一優(yōu)化可能需要16個(gè)小時(shí)來完成。在一些實(shí)施例中使用的有效簡化是用一維導(dǎo)線模型來表示用于形成發(fā)射線圈和接收器線圈的導(dǎo)電跡線。在與一維導(dǎo)線模型偏離嚴(yán)重的情況下，考慮一個(gè)具有35μm的高度和。該矩形跡線可以由例如銅的任何非磁性導(dǎo)電材料形成。其他金屬也可以用來形成跡線，但銅更為典型。對(duì)于厚度為趨膚深度的大約兩倍的跡線部分，矩形跡線中流動(dòng)的電流的電流密度可以是非常均勻的。對(duì)于銅，在5mhz的頻率下的趨膚深度為30μm。因此，對(duì)于上述基準(zhǔn)矩形跡線，跡線內(nèi)的電流密度將是基本上均勻的。圖10b示出由承載電流的一維導(dǎo)線1020生成的場。如果在兩個(gè)結(jié)構(gòu)中流動(dòng)的電流相同，則由導(dǎo)線1020或由一定直徑的直的圓柱體生成的場沒有差異。然而，圖10c示出在基準(zhǔn)跡線1022周圍生成的場，基準(zhǔn)跡線1022是上述由銅形成的并且具有35μm的高度和。如圖10c所示，即使在小于1mm的短距離處，該場看起來也與圖10b中的由導(dǎo)線1020所生成的場相同。區(qū)別在距離跡線小于約1mm的場中。貴州空氣傳感器線圈傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，還等什么，快來call我司吧！

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對(duì)于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對(duì)目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對(duì)于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。

    圖10f示出正在算法704中進(jìn)行仿真的位置定位系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的接收器線圈1028和接收器線圈1026上方的金屬目標(biāo)1204的定位。為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計(jì)800的示例，其中接收器線圈1028和接收器線圈1026分別與接收器線圈804和接收器線圈806的跡線的一維近似相對(duì)應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實(shí)施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計(jì)算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時(shí)，感應(yīng)電流密度在整個(gè)層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。如果不是這種情況。江蘇制作傳感器線圈的地方；

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    并且在線圈106內(nèi)沿著指出頁面的方向且在線圈108的外部沿著進(jìn)入頁面的方向，其中電流方向如圖1a所示。如圖1b所示，接收線圈104位于線圈106內(nèi)部。發(fā)射線圈106可以以可以產(chǎn)生用于在接收器線圈104中感應(yīng)電壓的電磁場108的任何頻率被驅(qū)動(dòng)。通常，可以存在任意數(shù)量的接收二器線圈，然而，為了便于時(shí)論，下文時(shí)論具有兩個(gè)接收器線圈的系統(tǒng)。圖1b示出發(fā)射線圈(tx)106內(nèi)的傳感器接收線圈(rx)104的布置。如圖1b所示，傳感器接收線圈104包括正弦波定向線圈rxsin112和余弦定向信號(hào)線圈rxcos110。正弦波定向線圈rxsin112包括正弦環(huán)路114、正弦環(huán)路116和正弦環(huán)路118，其中，線圈112沿同相或反相方向(此處描繪為順時(shí)針或逆時(shí)針圖示)纏繞，以由于電磁場108的存在而在環(huán)路中產(chǎn)生相反符號(hào)的電壓。如圖所示，正弦波定向線圈112的布線提供環(huán)路114和環(huán)路118的順時(shí)針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標(biāo)稱正電壓、以及環(huán)路116的逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標(biāo)稱負(fù)電壓。類似地，余弦定向線圈110可以包括具有順時(shí)針定向的環(huán)路120和具有逆時(shí)針定向的第二環(huán)路122。圖1b示出由箭頭指示的可能的電動(dòng)勢參考方向，該方向與由如圖1a所示的發(fā)射器線圈106產(chǎn)生的磁場一致。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，可以以其他方式解釋所述定向。福建防爆傳感器線圈

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