石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結，使器件研發效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術優勢：摒棄傳統掩模，圖案實時調整，研發成本降低 70%，小批量生產經濟性突出。天津POLOSBEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸
在tumor轉移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構建了仿生tumor微環境芯片。通過無掩模激光光刻技術，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網絡與間質纖維化結構，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環境中，tumor細胞遷移速度較傳統二維培養提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數據高度吻合。該團隊通過軟件實時調整通道曲率和細胞外基質密度，成功復現了tumor細胞上皮 - 間質轉化（EMT）過程，相關成果發表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉移藥物的篩選平臺開發。天津POLOSBEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。
德國 Polos 光刻機系列是電子學領域不可或缺的精密設備。其無掩模激光光刻技術，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠實現超高精度的圖案繪制。在芯片研發過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結構，為芯片性能提升奠定基礎。 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優勢，為電子學領域的科研成果產出提供有力保障，推動電子技術不斷創新。
在微流體領域，Polos系列光刻機通過無掩模技術實現了復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結構的批量生產，推動醫療診斷芯片的研發。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設計，科研級精度實現復雜結構一次性成型。
某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統馮諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發電支持無源物聯網。北京PSP光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
緊湊桌面設計：Polos-BESM系統only占桌面空間，適合實驗室高效原型開發。天津POLOSBEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸
在科研領域，設備的先進程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術，摒棄了傳統光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進行曝光，在微流體、電子學和納 / 微機械系統等領域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復雜的微通道網絡，助力藥物傳輸、細胞培養等研究。在電子學方面，可實現高精度的電路圖案曝光，為芯片研發提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創新的得力助手 。天津POLOSBEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸
