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與碳纖維導熱材料相比，氮化硼導熱薄膜絕緣性能更強，擊穿電壓≥15kV/mm，同時具備更好的耐化學腐蝕性和耐溫性能，適配更廣泛的應用場景。 昆山首科電子材料科技有限公司在2024年成功開發“低維氮化硼導熱薄膜”，該散熱膜以高導熱系數、高電擊穿強度和低介電常數等特點著稱，SK-BN 氮化硼導熱薄膜是一種基于二維氮化硼納米片的復合薄膜，該散熱膜具有透電磁波、高導熱、高柔性、高絕緣、低介電系數、低介電損耗等優異特性，是當前5G射頻芯片、毫米波天線領域較為有效的散熱材料之一。
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AR/VR 設備散熱黑科技！氮化硼導熱薄膜超薄設計（幾納米至幾十納米），面內熱導率高達 2000-6000W/（mK），為 AR/VR 設備的高性能芯片提供高效散熱，帶來更流暢的沉浸式體驗。昆山首科電子材料科技有限公司在2024年成功開發“低維氮化硼導熱薄膜”，該散熱膜以高導熱系數、高電擊穿強度和低介電常數等特點著稱，SK-BN 氮化硼導熱薄膜是一種基于二維氮化硼納米片的復合薄膜，該散熱膜具有透電磁波、高導熱、高柔性、高絕緣、低介電系數、低介電損耗等優異特性，是當前5G射頻芯片、毫米波天線領域較為有效的散熱材料之一。昆山首科氮化硼導熱絕緣薄膜，導熱性能可按需定制，從低功率到高功率設備均能完美適配。消費電子氮化硼導熱絕緣薄膜批發價
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