賽芯： XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)二級(jí)保護(hù)芯片、置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過(guò)檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過(guò)充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過(guò)充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過(guò)放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過(guò)放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出芯納科技經(jīng)銷賽芯微 ic，MOS 管性能穩(wěn)定，為電源電路提供可靠開關(guān)支持。深圳XBM3204JFG賽芯現(xiàn)貨

保護(hù)IC應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來(lái)做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通常可接芯片GND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。深圳XBM3214DGB賽芯代理芯納科技提供賽芯微 ic 定制適配服務(wù)，電源管理 IC 按需選型，滿足個(gè)性化需求。

賽芯  3-4串鋰電池的保護(hù)芯片，XBM5244   芯片內(nèi)置高精度電壓檢測(cè)電路和電流檢測(cè)電路，支持電池過(guò)充電、過(guò)放電、充電過(guò)電流、放電過(guò)電流和短路保護(hù)功能，具備25mV過(guò)充電檢測(cè)精度，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16概述鋰電池具備電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，在各種需要儲(chǔ)能的場(chǎng)景都有廣泛應(yīng)用。但對(duì)于鋰電池而言，過(guò)充、過(guò)放、過(guò)壓、過(guò)流等情況都會(huì)導(dǎo)致電池異常，影響電池使用壽命。因此，多串鋰電池需要保護(hù)IC來(lái)監(jiān)控和保護(hù)電池，避免出現(xiàn)危險(xiǎn)狀況

芯納科技還配備專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，針對(duì)智能穿戴設(shè)備的特殊需求，能為客戶提供從產(chǎn)品選型到方案優(yōu)化的全流程技術(shù)支持，比如協(xié)助客戶解決 IC 與設(shè)備主板的兼容性問(wèn)題、優(yōu)化充電效率參數(shù)等。同時(shí)，在供貨周期上，芯納科技憑借與原廠的深度合作關(guān)系，可實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)，客戶下單后 48 小時(shí)內(nèi)即可安排發(fā)貨，大幅縮短客戶的采購(gòu)周期，幫助客戶加快產(chǎn)品上市節(jié)奏，在激烈的智能穿戴設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。 IC 集成過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫等多重保護(hù)機(jī)制，可有效保障醫(yī)療設(shè)備在充電過(guò)程中的安全，符合醫(yī)療行業(yè)的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。作為代理商，深圳市芯納科技的優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步強(qiáng)化了客戶合作信心。首先，芯納科技擁有完善的品質(zhì)管控體系，所有賽芯 XR4981A 均直接從原廠采購(gòu)，每一批次產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)，確保產(chǎn)品 100% 質(zhì)量且性能達(dá)標(biāo)，為醫(yī)療設(shè)備的安全運(yùn)行筑牢道防線。芯納科技供應(yīng)賽芯微 ic，電池充放電管理芯片，智能調(diào)控電池工作狀態(tài)。

PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無(wú)需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒(méi)有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過(guò)電阻后，先經(jīng)過(guò)電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。高耐壓理電保護(hù)產(chǎn)品、具有低功耗、高過(guò)流精度、小封裝、無(wú)管壓降等特點(diǎn)、支持4.2V~4.5V電芯平臺(tái)；深圳6096J9j賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 鋰電池保護(hù)IC.深圳XBM3204JFG賽芯現(xiàn)貨

手持終端設(shè)備如POS機(jī)、手持掃碼槍、工業(yè)手持平板等，在零售、物流、工業(yè)等領(lǐng)域應(yīng)用，這些設(shè)備對(duì)充電IC的可靠性、充電速度和抗干擾能力要求較高，深圳市芯納科技代理的賽芯XR4981A完美契合這些需求，同時(shí)芯納科技的代理優(yōu)勢(shì)為客戶提供了有力支撐。賽芯XR4981A支持大電流充電，能縮短手持終端的充電時(shí)間，滿足用戶對(duì)設(shè)備快速補(bǔ)電的需求，同時(shí)其具備的抗電磁干擾特性，可確保手持終端在復(fù)雜的電磁環(huán)境下仍能穩(wěn)定充電，避免因干擾導(dǎo)致充電中斷。作為代理商，深圳市芯納科技的核心競(jìng)爭(zhēng)力不容小覷。首先，芯納科技是賽芯官方認(rèn)證的代理商，擁有正規(guī)的代理資質(zhì)，所有賽芯XR4981A均為原廠質(zhì)量，可提供完整的產(chǎn)品溯源信息，讓客戶采購(gòu)無(wú)后顧之憂。深圳XBM3204JFG賽芯現(xiàn)貨