晶圓切割是半導體封裝的中心環節，傳統刀片切割通過金剛石砂輪實現材料分離。中清航科研發的超薄刀片（厚度15-20μm）結合主動冷卻系統，將切割道寬度壓縮至30μm以內，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經濟高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統采用紅外脈沖激光在晶圓內部形成改性層，通過擴張膜實現無應力分離。該技術消除機械切割導致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。晶圓切割全流程追溯系統中清航科開發，實現單芯片級質量管理。碳化硅切割

中清航科注重與科研機構的合作創新，與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發明專利 50 余項，其中 “一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法” 獲得國家發明專利金獎，推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心，中清航科自主開發了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。無錫碳化硅線晶圓切割代工廠選擇中清航科切割代工服務，復雜圖形晶圓損耗降低27%。

在碳化硅晶圓切割領域，由于材料硬度高達莫氏 9 級，傳統切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創新采用超高壓水射流與激光復合切割技術，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產生的熱影響區，同時借助激光的預熱作用降低材料強度，使碳化硅晶圓的切割效率提升 3 倍，熱影響區控制在 10μm 以內。晶圓切割設備的可靠性是大規模生產的基礎保障。中清航科對中心部件進行嚴格的可靠性測試，其中激光振蕩器經過 10 萬小時連續運行驗證，機械導軌的壽命測試達到 200 萬次往復運動無故障。設備平均無故障時間（MTBF）突破 1000 小時，遠超行業 800 小時的平均水平，為客戶提供穩定可靠的生產保障。

為提升芯片產出量，中清航科通過刀片動態平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導槽設計減少材料浪費，使12英寸晶圓有效芯片數增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點10mm范圍內形成負壓場，配合離子風刀清理殘留顆粒，潔凈度達Class 1標準（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設備內置AOI（自動光學檢測）模塊，采用多光譜成像技術實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內完成芯片級判定，不良品自動標記，避免后續封裝資源浪費，每年可為客戶節省品質成本超百萬。復合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設備，兼容激光與刀片。

中清航科為晶圓切割設備提供全生命周期的服務支持，從設備安裝調試、操作人員培訓、工藝優化指導到設備升級改造，形成完整的服務鏈條。建立客戶服務檔案，定期進行設備巡檢與性能評估，根據客戶的生產需求變化提供定制化的升級方案，確保設備始終保持先進的技術水平。隨著半導體技術向更多新興領域滲透，晶圓切割的應用場景不斷拓展。中清航科積極布局新興市場，開發適用于可穿戴設備芯片、柔性電子、生物芯片等領域的切割設備。例如，針對柔性晶圓的切割，采用低溫冷凍切割技術，解決柔性材料切割時的拉伸變形問題，為新興半導體應用提供可靠的制造保障。中清航科定制刀輪應對超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。衢州sic晶圓切割測試

中清航科等離子切割技術處理氮化鎵晶圓，熱影響區減少60%。碳化硅切割

面對高溫高濕等惡劣生產環境，中清航科對晶圓切割設備進行了特殊環境適應性改造。設備電氣系統采用三防設計（防潮濕、防霉菌、防鹽霧），機械結構采用耐腐蝕材料，可在溫度 30-40℃、濕度 60-85% 的環境下穩定運行，特別適用于熱帶地區半導體工廠及特殊工業場景。晶圓切割的刀具損耗是影響成本的重要因素，中清航科開發的刀具壽命預測系統，通過振動傳感器與 AI 算法實時監測刀具磨損狀態，提前 2 小時預警刀具更換需求，并自動推送比較好的更換時間窗口，避免因刀具突然失效導致的產品報廢，使刀具消耗成本降低 25%。碳化硅切割