晶圓切割/裂片是芯片制造過(guò)程中的重要工序，屬于先進(jìn)封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個(gè)芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細(xì)結(jié)構(gòu)和電路的情況下分離單個(gè)芯片，成功與否取決于分離出來(lái)的芯片的質(zhì)量和產(chǎn)量，以及整個(gè)過(guò)程的效率。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種切割技術(shù)，每種技術(shù)都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。中清航科多軸聯(lián)動(dòng)切割頭，適應(yīng)曲面晶圓±15°傾角加工。上海半導(dǎo)體晶圓切割刀片

面對(duì)全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈的不確定性，中清航科構(gòu)建了多元化的供應(yīng)鏈體系。與國(guó)內(nèi)200余家質(zhì)優(yōu)供應(yīng)商建立長(zhǎng)期合作關(guān)系，關(guān)鍵部件實(shí)現(xiàn)多源供應(yīng)，同時(shí)在各地建立備件中心，儲(chǔ)備充足的易損件與中心部件，確保設(shè)備維修與升級(jí)時(shí)的備件及時(shí)供應(yīng)，縮短設(shè)備停機(jī)時(shí)間。晶圓切割設(shè)備的能耗成本在長(zhǎng)期運(yùn)行中占比較大，中清航科通過(guò)能效優(yōu)化設(shè)計(jì)，使設(shè)備的單位能耗降低至0.5kWh/片（12英寸晶圓），較行業(yè)平均水平降低35%。采用智能休眠技術(shù)，設(shè)備閑置時(shí)自動(dòng)進(jìn)入低功耗模式，進(jìn)一步節(jié)約能源消耗，為客戶降低長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)成本。揚(yáng)州半導(dǎo)體晶圓切割寬度中清航科定制刀輪應(yīng)對(duì)超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。

晶圓切割作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業(yè)積淀，研發(fā)出高精度激光切割設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)小切割道寬達(dá)20μm，滿足5G芯片、車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體等領(lǐng)域的加工需求。其搭載的智能視覺(jué)定位系統(tǒng)，能實(shí)時(shí)校準(zhǔn)晶圓位置偏差，將切割精度控制在±1μm以內(nèi)，為客戶提升30%以上的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的當(dāng)下，晶圓材料呈現(xiàn)多元化趨勢(shì)，從傳統(tǒng)硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體，切割工藝面臨更大挑戰(zhàn)。中清航科針對(duì)性開(kāi)發(fā)多材料適配切割方案，通過(guò)可調(diào)諧激光波長(zhǎng)與動(dòng)態(tài)功率控制技術(shù)，完美解決硬脆材料切割時(shí)的崩邊問(wèn)題，崩邊尺寸可控制在5μm以下，助力第三代半導(dǎo)體器件的規(guī)模化生產(chǎn)。

在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域，由于材料硬度高達(dá)莫氏9級(jí)，傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問(wèn)題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù)，利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū)，同時(shí)借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度，使碳化硅晶圓的切割效率提升3倍，熱影響區(qū)控制在10μm以內(nèi)。晶圓切割設(shè)備的可靠性是大規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)保障。中清航科對(duì)中心部件進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，其中激光振蕩器經(jīng)過(guò)10萬(wàn)小時(shí)連續(xù)運(yùn)行驗(yàn)證，機(jī)械導(dǎo)軌的壽命測(cè)試達(dá)到200萬(wàn)次往復(fù)運(yùn)動(dòng)無(wú)故障。設(shè)備平均無(wú)故障時(shí)間（MTBF）突破1000小時(shí)，遠(yuǎn)超行業(yè)800小時(shí)的平均水平，為客戶提供穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)保障。中清航科切割冷卻系統(tǒng)專利設(shè)計(jì)，溫差梯度控制在0.3℃/mm。

半導(dǎo)體晶圓是一種薄而平的半導(dǎo)體材料圓片，組成通常為硅，主要用于制造集成電路（IC）和其他電子器件的基板。晶圓是構(gòu)建單個(gè)電子組件和電路的基礎(chǔ)，各種材料和圖案層在晶圓上逐層堆疊形成。由于優(yōu)異的電子特性，硅成為了常用的半導(dǎo)體晶圓材料。根據(jù)摻雜物的添加，硅可以作為良好的絕緣體或?qū)w。此外，硅的儲(chǔ)量也十分豐富，上述這些特性都使其成為半導(dǎo)體行業(yè)的成本效益選擇。其他材料如鍺、氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和碳化硅（SiC）也具有一定的適用場(chǎng)景，但它們的市場(chǎng)份額遠(yuǎn)小于硅。針對(duì)柔性晶圓，中清航科開(kāi)發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。徐州藍(lán)寶石晶圓切割劃片廠

晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng)，潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。上海半導(dǎo)體晶圓切割刀片

中清航科開(kāi)放6條全自動(dòng)切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來(lái)料加工。云端訂單系統(tǒng)實(shí)時(shí)追蹤進(jìn)度，平均交貨周期48小時(shí)，良率承諾99.2%。先進(jìn)封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護(hù)，在銅-硅界面形成納米級(jí)熔融區(qū)，剝離強(qiáng)度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺(tái)，收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標(biāo)良率，自動(dòng)生成比較好參數(shù)包，工藝開(kāi)發(fā)周期縮短90%。上海半導(dǎo)體晶圓切割刀片