針對高粘度晶圓切割液的回收處理，中清航科研發了離心式過濾凈化系統。該系統通過三級過濾工藝，可去除切割液中99.9%的固體顆粒雜質，使切割液循環利用率提升至80%以上，不只降低耗材成本，還減少廢液排放。同時配備濃度自動調節功能，確保切割液性能穩定，保障切割質量一致性。在晶圓切割設備的維護便捷性設計上，中清航科秉持“易維護”理念。設備關鍵部件采用模塊化設計，更換激光頭、切割刀片等中心組件只需15分鐘，較傳統設備縮短70%維護時間。同時配備維護指引系統，通過AR技術直觀展示維護步驟，降低對專業維護人員的依賴，減少客戶運維壓力。晶圓切割培訓課程中清航科每月開放，已認證工程師超800名。杭州砷化鎵晶圓切割代工廠

隨著Chiplet技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續的異構集成。中清航科開發的納米級定位切割系統，采用氣浮導軌與光柵尺閉環控制，定位精度達到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規格、材料特性與產能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業完成定制化項目交付。南京晶圓切割針對柔性晶圓，中清航科開發低溫切割工藝避免材料變性。

面向磁傳感器制造，中清航科開發超導磁懸浮切割臺。晶圓在強磁場（0.5T）下懸浮，消除機械接觸應力，切割后磁疇結構畸變率<0.3%，靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬，純度達99.95%。單條產線年回收貴金屬價值超$80萬，回收水符合SEMIF78標準，實現零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層，中清航科采用熱激光控制技術（LCT）。紅外激光精確加熱切割區至200℃，降低材料脆性，電池效率損失<0.1%，碎片率控制在0.2%以內。

晶圓切割作為半導體制造流程中的關鍵環節，直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業積淀，研發出高精度激光切割設備，可實現小切割道寬達20μm，滿足5G芯片、車規級半導體等領域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統，能實時校準晶圓位置偏差，將切割精度控制在±1μm以內，為客戶提升30%以上的生產效率。在半導體產業快速迭代的當下，晶圓材料呈現多元化趨勢，從傳統硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體，切割工藝面臨更大挑戰。中清航科針對性開發多材料適配切割方案，通過可調諧激光波長與動態功率控制技術，完美解決硬脆材料切割時的崩邊問題，崩邊尺寸可控制在5μm以下，助力第三代半導體器件的規模化生產。中清航科切割工藝白皮書下載量超10萬次，成行業參考標準。

當晶圓切割面臨復雜圖形切割需求時，中清航科的矢量切割技術展現出獨特優勢。該技術可精確識別任意復雜切割路徑，包括圓弧、曲線及異形圖案，通過分段速度調節確保每一段切割的平滑過渡，切割軌跡誤差控制在2μm以內。目前已成功應用于光電子芯片的精密切割，為AR/VR設備中心器件生產提供有力支持。半導體生產車間的設備協同運作對通信兼容性要求極高，中清航科的晶圓切割設備多方面支持OPCUA通信協議，可與主流MES系統實現實時數據交互。通過標準化數據接口，將切割進度、設備狀態、質量數據等信息實時上傳至管理平臺，助力客戶實現生產過程的數字化管控與智能決策。超窄街切割方案中清航科實現30μm道寬，芯片數量提升18%。紹興碳化硅晶圓切割

切割機預測性維護平臺中清航科上線，關鍵部件壽命預警準確率99%。杭州砷化鎵晶圓切割代工廠

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩定，延長刀片壽命200小時以上呢。杭州砷化鎵晶圓切割代工廠