針對高粘度晶圓切割液的回收處理，中清航科研發了離心式過濾凈化系統。該系統通過三級過濾工藝，可去除切割液中99.9%的固體顆粒雜質，使切割液循環利用率提升至80%以上，不只降低耗材成本，還減少廢液排放。同時配備濃度自動調節功能，確保切割液性能穩定，保障切割質量一致性。在晶圓切割設備的維護便捷性設計上，中清航科秉持“易維護”理念。設備關鍵部件采用模塊化設計，更換激光頭、切割刀片等中心組件只需15分鐘，較傳統設備縮短70%維護時間。同時配備維護指引系統，通過AR技術直觀展示維護步驟，降低對專業維護人員的依賴，減少客戶運維壓力。中清航科切割耗材全球供應鏈，保障客戶生產連續性。南京砷化鎵晶圓切割代工廠

半導體晶圓的制造過程制造過程始于一個大型單晶硅的生產（晶錠），制造方法包括直拉法與區熔法，這兩種方法都涉及從高純度硅熔池中控制硅晶體的生長。一旦晶錠生產出來，就需要用精密金剛石鋸將其切成薄片狀晶圓。隨后晶圓被拋光以達到鏡面般的光滑，確保在后續制造工藝中表面無缺陷。接著，晶圓會經歷一系列復雜的制造步驟，包括光刻、蝕刻和摻雜，這些步驟在晶圓表面上形成晶體管、電阻、電容和互連的復雜圖案。這些圖案在多個層上形成，每一層在電子器件中都有特定的功能。制造過程完成后，晶圓經過晶圓切割分離出單個芯片，芯片會被封裝并測試，集成到電子器件和系統中。泰州碳化硅半導體晶圓切割劃片廠5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝，金線偏移量＜0.8μm。

中清航科設備搭載AI參數推薦引擎，通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續優化，將工藝調試時間從48小時縮短至2小時，快速響應客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術（LIPS），通過精確控制激光熱影響區引發材料沿晶向解理，切割速度達200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯動精度±5μm，兼容SECS/GEM協議實現MES系統對接。模塊化設計支持產能彈性擴展，單線UPH（每小時產能）提升至120片，人力成本降低70%。

針對航天電子需求，中清航科在屏蔽室內完成切割（防宇宙射線干擾）。采用低介電刀具材料，避免靜電放電損傷，芯片單粒子翻轉率降至10??errors/bit-day。中清航科提供IATF16949認證切割參數包：包含200+測試報告（剪切力/熱沖擊/HAST等），加速客戶車規芯片認證流程，平均縮短上市時間6個月。中清航科殘渣圖譜數據庫：通過質譜分析切割碎屑成分，溯源工藝缺陷。每年幫助客戶解決15%的隱性良率問題，挽回損失超$300萬。中清航科氣動懸浮切割頭：根據晶圓厚度自動調節壓力（范圍0.1-5N，精度±0.01N）。OLED顯示面板切割良率提升至99.8%，邊緣像素損壞率<0.01%。中清航科納米涂層刀片壽命延長3倍，單刀切割達500片。

在晶圓切割的邊緣檢測精度提升上，中清航科創新采用雙攝像頭立體視覺技術。通過兩個高分辨率工業相機從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經三維重建算法精確計算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測誤差控制在1μm以內，大幅提升切割良率。為適應半導體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設備配備能源監控與分析系統。實時監測設備的電壓、電流、功率等能源參數，生成能耗分析報表，識別能源浪費點并提供優化建議。同時支持峰谷用電策略，可根據工廠電價時段自動調整運行計劃，降低能源支出。切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發，雜質濃度自動控制＜1ppm。浙江碳化硅陶瓷晶圓切割企業

中清航科提供切割工藝認證服務，助客戶通過車規級標準。南京砷化鎵晶圓切割代工廠

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設備采用漸進式壓力控制技術，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應用于5G射頻模塊量產線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩定，延長刀片壽命200小時以上呢。南京砷化鎵晶圓切割代工廠