為提升芯片產(chǎn)出量,中清航科通過刀片動(dòng)態(tài)平衡控制+激光輔助定位,將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi),使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%,明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級(jí)粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置,在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場(chǎng),配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒,潔凈度達(dá)Class1標(biāo)準(zhǔn)(>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺)。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI(自動(dòng)光學(xué)檢測(cè))模塊,采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識(shí)別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級(jí)判定,不良品自動(dòng)標(biāo)記,避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi),每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬(wàn)。晶圓切割機(jī)預(yù)防性維護(hù)中清航科定制套餐,設(shè)備壽命延長(zhǎng)5年。徐州碳化硅線晶圓切割劃片

半導(dǎo)體晶圓是一種薄而平的半導(dǎo)體材料圓片,組成通常為硅,主要用于制造集成電路(IC)和其他電子器件的基板。晶圓是構(gòu)建單個(gè)電子組件和電路的基礎(chǔ),各種材料和圖案層在晶圓上逐層堆疊形成。由于優(yōu)異的電子特性,硅成為了常用的半導(dǎo)體晶圓材料。根據(jù)摻雜物的添加,硅可以作為良好的絕緣體或?qū)w。此外,硅的儲(chǔ)量也十分豐富,上述這些特性都使其成為半導(dǎo)體行業(yè)的成本效益選擇。其他材料如鍺、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和碳化硅(SiC)也具有一定的適用場(chǎng)景,但它們的市場(chǎng)份額遠(yuǎn)小于硅。溫州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠中清航科推出切割機(jī)租賃服務(wù),降低客戶初期投入成本。

在晶圓切割的邊緣檢測(cè)精度提升上,中清航科創(chuàng)新采用雙攝像頭立體視覺技術(shù)。通過兩個(gè)高分辨率工業(yè)相機(jī)從不同角度采集晶圓邊緣圖像,經(jīng)三維重建算法精確計(jì)算邊緣位置,即使晶圓存在微小翹曲,也能確保切割路徑的精確定位,邊緣檢測(cè)誤差控制在1μm以內(nèi),大幅提升切割良率。為適應(yīng)半導(dǎo)體工廠的能源管理需求,中清航科的切割設(shè)備配備能源監(jiān)控與分析系統(tǒng)。實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)設(shè)備的電壓、電流、功率等能源參數(shù),生成能耗分析報(bào)表,識(shí)別能源浪費(fèi)點(diǎn)并提供優(yōu)化建議。同時(shí)支持峰谷用電策略,可根據(jù)工廠電價(jià)時(shí)段自動(dòng)調(diào)整運(yùn)行計(jì)劃,降低能源支出。
針對(duì)晶圓切割產(chǎn)生的廢料處理難題,中清航科創(chuàng)新設(shè)計(jì)了閉環(huán)回收系統(tǒng)。切割過程中產(chǎn)生的硅渣、切割液等廢料,通過管道收集后進(jìn)行分離處理,硅材料回收率達(dá)到95%以上,切割液可循環(huán)使用,不僅降低了危廢處理成本,還減少了對(duì)環(huán)境的污染,符合半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的綠色發(fā)展理念。在晶圓切割的精度校準(zhǔn)方面,中清航科引入了先進(jìn)的激光干涉測(cè)量技術(shù)。設(shè)備出廠前,會(huì)通過高精度激光干涉儀對(duì)所有運(yùn)動(dòng)軸進(jìn)行全行程校準(zhǔn),生成誤差補(bǔ)償表,確保設(shè)備在全工作范圍內(nèi)的定位精度一致。同時(shí)提供定期校準(zhǔn)服務(wù),配備便攜式校準(zhǔn)工具,客戶可自行完成日常精度核查,保證設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。中清航科晶圓切割代工廠通過ISO14644潔凈認(rèn)證,量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)足。

在碳化硅晶圓切割領(lǐng)域,由于材料硬度高達(dá)莫氏9級(jí),傳統(tǒng)切割方式面臨效率低下的問題。中清航科創(chuàng)新采用超高壓水射流與激光復(fù)合切割技術(shù),利用水射流的冷卻作用抑制激光切割產(chǎn)生的熱影響區(qū),同時(shí)借助激光的預(yù)熱作用降低材料強(qiáng)度,使碳化硅晶圓的切割效率提升3倍,熱影響區(qū)控制在10μm以內(nèi)。晶圓切割設(shè)備的可靠性是大規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)保障。中清航科對(duì)中心部件進(jìn)行嚴(yán)格的可靠性測(cè)試,其中激光振蕩器經(jīng)過10萬(wàn)小時(shí)連續(xù)運(yùn)行驗(yàn)證,機(jī)械導(dǎo)軌的壽命測(cè)試達(dá)到200萬(wàn)次往復(fù)運(yùn)動(dòng)無故障。設(shè)備平均無故障時(shí)間(MTBF)突破1000小時(shí),遠(yuǎn)超行業(yè)800小時(shí)的平均水平,為客戶提供穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)保障。MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護(hù)層技術(shù),結(jié)構(gòu)完整率99%。溫州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割劃片廠
晶圓切割粉塵控制選中清航科靜電吸附系統(tǒng),潔凈度達(dá)標(biāo)Class1。徐州碳化硅線晶圓切割劃片
隨著芯片輕薄化趨勢(shì),中清航科DBG(先切割后研磨)與SDBG(半切割后研磨)設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù),切割階段只切入晶圓1/3厚度,經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%,已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒,配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑,減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定,延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。徐州碳化硅線晶圓切割劃片