臺(tái)積電赴日本投資正式拍板定案，董事會(huì)早前通過(guò)以約1.86億美元金額在日本茨城縣筑波市設(shè)立材料研發(fā)中心，加強(qiáng)和日本生態(tài)系伙伴在三維芯片（3DIC）材料方面開(kāi)發(fā)。美中摩擦與情況蔓延，更加確立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地緣上的戰(zhàn)略性地位，市場(chǎng)已多次傳出日本頻頻揮手，希望臺(tái)積電赴日投資合作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。事實(shí)上，臺(tái)積電赴日投資材料研發(fā)中心，也有不得不然的必要。工研院產(chǎn)科國(guó)際所研究總監(jiān)楊瑞臨分析，隨著半導(dǎo)體制程微縮技術(shù)難度越來(lái)越高，即將遭遇瓶頸，加上效能與成本的考量，三維芯片（3DIC）重要性與日俱增，其中與散熱密切相關(guān)的材料非常關(guān)鍵。查找國(guó)產(chǎn)替代芯片，就上用芯盒子。品質(zhì)電子元器件質(zhì)量保證
與傳統(tǒng)Si材料相比，基于氮化鎵材料制備的功率器件具有功率密度高、能量轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì)，能夠減輕電子電力元件的體積和重量，使電子系統(tǒng)更加微小、更加輕便，從而極降系統(tǒng)制作及生產(chǎn)成本。氮化鎵材料在射頻器件和電力電子器件兩個(gè)領(lǐng)域放異彩。射頻器件產(chǎn)品包括功率放器（PA）、噪聲放器（LNA）、射頻開(kāi)關(guān)器、單片微波集成芯片（MMIC）等，在5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)和通信設(shè)備等領(lǐng)域應(yīng)用。未來(lái)碳化硅器件的應(yīng)用將會(huì)更加，市場(chǎng)的發(fā)展也會(huì)更加迅速，主要應(yīng)用集中在5G基建、好能源汽車、充電樁、特高壓、城際高鐵交通等方面。浙江優(yōu)勢(shì)電子元器件聯(lián)系方式電子元件尋找替代不方便，上用芯盒子，一站式查詢。
2月19日從中國(guó)科獲悉，近日，中國(guó)科國(guó)家示范性微電子學(xué)院程林教授課題組在全集成隔離電源芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要成果。研究者提出了一種基于玻璃扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）的全集成隔離電源芯片。所提出的架構(gòu)通過(guò)在單個(gè)玻璃襯底上利用三層再布線層（RDL）實(shí)現(xiàn)了高性能微型變壓器的繞制，并完成與發(fā)射和接收芯片的互聯(lián)，有效地提高了芯片轉(zhuǎn)換效率和功率密度，為今后隔離電源芯片的設(shè)計(jì)提供一個(gè)好的解決方案。受情況影響，會(huì)議于2021年2月13日至22日在線上舉行，該成果還被入選在該會(huì)議上進(jìn)行DEMO演示。
恩智浦首席執(zhí)行官庫(kù)爾特·西弗斯（KurtSievers）去年年底告訴德國(guó)媒體，它看到汽車客戶的訂單突然激增，這導(dǎo)致了供應(yīng)瓶頸。但是，由于恩智浦約一半的業(yè)務(wù)與汽車行業(yè)有關(guān)，因此面臨的挑戰(zhàn)是訂單通常需要三個(gè)月才能交付，而不是將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移給其他客戶。Sievers先生告訴FAZ，一些客戶訂購(gòu)“太遲了”，這給其供應(yīng)鏈帶來(lái)了“巨壓力”。瑞薩電子（Renesas）表示，已經(jīng)通過(guò)提高產(chǎn)量來(lái)解決汽車芯片需求的急劇反彈。但行業(yè)官員表示，某些芯片外包給中國(guó)供應(yīng)商的短缺，以及由于材料成本的急劇上漲而造成了瓶頸。如果想要查詢國(guó)產(chǎn)替代方案，建議上用芯盒子官網(wǎng)。
美光近的技術(shù)成就是杰出的。該公司于2021年1月完成了世界上之一個(gè)1αnmDRAM的開(kāi)發(fā)。它還在2020年11月推出了世界上之一個(gè)176層3DNAND。與過(guò)去相比，美光曾經(jīng)在DRAM和NAND市場(chǎng)上排名第二或第三，這與過(guò)去形成了鮮明的對(duì)比。這與近擁有佳技術(shù)的家用存儲(chǔ)器半導(dǎo)體廠商的研發(fā)能力下降相反。就該行業(yè)的相對(duì)回報(bào)而言，美光有望在未來(lái)發(fā)揮領(lǐng)導(dǎo)作用。該公司的技術(shù)成就之所以得以實(shí)現(xiàn)，有以下幾個(gè)原因：如果我們認(rèn)為IoT或MCU是真實(shí)的，但由于過(guò)于分散而無(wú)法帶來(lái)同樣的巨大機(jī)遇，那么我們認(rèn)為ARM的下一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)將是汽車，數(shù)據(jù)中心或AI。ARM管理層花了一些時(shí)間才得出這個(gè)結(jié)論，這也許就是他們將IoTARM轉(zhuǎn)移到Softbank的原因。為此他推出了全新的基于Arm架構(gòu)打造的CPUGrace，希望借助這個(gè)新處理器以及自有的NVlink來(lái)解決這個(gè)數(shù)據(jù)瓶頸問(wèn)題。用芯盒子不僅有一站式查詢功能，還有工程師在線解答。浙江優(yōu)勢(shì)電子元器件聯(lián)系方式
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高通有意在2022年切換到臺(tái)積電的4nm工藝，其設(shè)計(jì)跟5nm是兼容的，EUV光罩層會(huì)更多，不過(guò)具體性能、功耗有多變化一直也沒(méi)公布。高通2月初發(fā)布的X65和X625G基帶就是4nm下的產(chǎn)物，但外界普遍猜測(cè)對(duì)應(yīng)的是三星4nmLPE。當(dāng)時(shí)的Q&A環(huán)節(jié)中，高通官員也被問(wèn)及4nm是否將用于驍龍移動(dòng)SoC，但對(duì)方表示涉及保密產(chǎn)品，恕難回答。盡管三星的5nm、7nm的確不如同期的臺(tái)積電，但對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō)也不用過(guò)于糾結(jié)，別忘了當(dāng)年驍龍810可是臺(tái)積電代工。數(shù)據(jù)中心目前幾乎都是X86架構(gòu)的至強(qiáng)處理器的市場(chǎng)。然而黃仁勛指出，正是因?yàn)檫@樣的配置，影響了整個(gè)數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)傳輸。“現(xiàn)在CPU的存儲(chǔ)和PCIE帶寬，嚴(yán)重影響了GPU能力的釋放”。品質(zhì)電子元器件質(zhì)量保證