遠程等離子體源（RPS）是一種用于產生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環境中進行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。如在CVD等薄膜設備中，RPS與設備腔體連接，進行分子級的清洗。在晶圓制造過程中，即使微米級的灰塵也會造成晶體管污染，導致晶圓廢片，因此RPS的清潔性能尤為重要。RPS不僅避免了傳統等離子體源直接接觸處理表面可能帶來的熱和化學損傷，還因其高度的集成性和靈活性，成為現代真空處理系統中不可或缺的一部分。晟鼎RPS自研PEO表面處理工藝，增加PEO膜層使用壽命，降低維護成本。安徽晟鼎RPS電源

RPS遠程等離子源在汽車電子中的可靠性保障針對汽車電子功率模塊的散熱需求，RPS遠程等離子源優化了界面處理工藝。通過N2/H2遠程等離子體活化氮化鋁基板，將熱阻從1.2K/W降至0.8K/W。在傳感器封裝中，采用O2/Ar遠程等離子體清洗焊盤，將焊點抗拉強度提升至45MPa，使器件通過3000次溫度循環測試（-40℃至125℃）。RPS遠程等離子源在航空航天電子中的特殊應用為滿足航空航天電子器件的極端可靠性要求，RPS遠程等離子源開發了高真空兼容工藝。在SiC功率器件制造中，通過He/O2遠程等離子體在10-6Pa真空環境下進行表面處理，將柵氧擊穿電場強度提升至12MV/cm。在輻射加固電路中，RPS遠程等離子源將界面態密度控制在5×109/cm2·eV以下，確保器件在100krad總劑量輻射下保持正常工作。海南遠程等離子體源RPS價格RPS利用原子的高活性強氧化特性，達到清洗CVD或其他腔室后生產工藝的目的。

RPS遠程等離子源采用獨特的空間分離設計，將等離子體激發區與工藝處理區物理隔離。在激發腔內通過射頻電源將工藝氣體（如O2、CF4、N2等）電離形成高密度等離子體，而長壽命的活性自由基則通過輸運系統進入反應腔室。這種設計使得RPS遠程等離子源能夠在不直接接觸工件的情況下，實現表面清洗、刻蝕和活化等工藝。在半導體前端制造中，RPS遠程等離子源特別適用于柵極氧化前的晶圓清洗，能有效去除有機殘留和金屬污染物，同時避免柵氧層損傷。其自由基濃度可穩定控制在1010-1012/cm3范圍，確保工藝重復性優于±2%。

RPS遠程等離子源在功率器件制造中的可靠性提升：功率器件（如GaN或SiC半導體）對界面質量極為敏感。污染會導致漏電流或擊穿電壓下降。RPS遠程等離子源提供了一種溫和的清潔方法，去除表面氧化物和金屬雜質，而不引入缺陷。其均勻的處理確保了整個晶圓上的電性能一致性。在高溫工藝中，RPS遠程等離子源還能用于鈍化層沉積前的表面準備。隨著電動汽車和可再生能源的普及，RPS遠程等離子源幫助提高功率器件的可靠性和壽命。納米材料（如石墨烯或量子點）對表面污染極為敏感。RPS遠程等離子源可用于制備超潔凈基板，或對納米結構進行精確修飾。其可控的化學特性允許選擇性去除特定材料，而不損壞底層結構。在催化研究中，RPS遠程等離子源還能活化納米顆粒表面，增強其反應性。通過提供原子級清潔環境，RPS遠程等離子源推動了納米科技的前沿研究。適用于生物芯片微流道表面的親水化改性處理。

在PECVD、LPCVD等薄膜沉積設備中，腔室內壁積累的非晶硅、氮化硅等沉積物會降低熱傳導效率，導致工藝漂移。RPS遠程等離子源通過定制化的氣體配方（如NF3/O2混合氣體），在200-400℃溫度范圍內實現高效腔室清洗。其中氟基自由基與硅基沉積物反應生成揮發性SiF4，清洗速率可達5-10μm/min。實際應用數據顯示，采用RPS遠程等離子源進行預防性維護，可將CVD設備的平均故障間隔延長至1500工藝小時以上，顆粒污染控制水平提升兩個數量級。為納米壓印模板提供深度清潔。廣東RPS遠程等離子體源

遠程等離子工作時，本身的鍍膜工藝是不工作的，沒有直接接觸有機發光材料，就不會對有機發光材質造成損傷。安徽晟鼎RPS電源

RPS遠程等離子源在熱電材料制備中的創新應用在碲化鉍熱電材料圖案化中，RPS遠程等離子源通過Cl2/Ar遠程等離子體實現各向異性刻蝕，將側壁角度控制在88±1°。通過優化工藝參數，將材料ZT值提升至1.8，轉換效率達12%。在器件集成中，RPS遠程等離子源實現的界面熱阻<10mm2·K/W，使溫差發電功率密度達到1.2W/cm2。RPS遠程等離子源在超表面制造中的精密加工在光學超表面制造中，RPS遠程等離子源通過SF6/C4F8遠程等離子體刻蝕氮化硅納米柱，將尺寸偏差控制在±2nm以內。通過優化刻蝕選擇比，將深寬比提升至20:1，使超表面工作效率達到80%。實驗結果顯示，經RPS遠程等離子源加工的超透鏡，數值孔徑達0.9，衍射極限分辨率優于200nm。安徽晟鼎RPS電源