隨著3D NAND堆疊層數突破500層，深孔刻蝕后的殘留物清洗成為技術瓶頸。RPS遠程等離子源利用其優異的自由基擴散能力，可有效清理 深寬比超過60:1結構底部的聚合物殘留。通過優化遠程等離子體參數，在保持刻蝕選擇比大于100:1的同時，將晶圓損傷深度控制在2nm以內。某存儲芯片制造商在引入RPS遠程等離子源后，將深孔清洗工序的良品率從87%提升至96%，單 wafer 處理成本降低30%。RPS遠程等離子源在化合物半導體工藝中的優勢在GaN、SiC等寬禁帶半導體制造中，RPS遠程等離子源展現出獨特價值。其低溫處理特性（<150℃）有效避免了化合物材料的熱分解風險。通過采用Cl2/BCl3混合氣體的遠程等離子體刻蝕，實現了GaN材料的各向異性刻蝕，側壁垂直度達89±1°。在HEMT器件制造中，RPS遠程等離子源將界面態密度控制在1010/cm2·eV量級，明顯 提升了器件跨導和截止頻率。晟鼎RPS腔體可以損耗監測，實時檢測參數變動趨勢。江蘇半導體設備RPS定制

顯示面板制造（如OLED或LCD）涉及多層薄膜沉積，腔室污染會直接影響像素均勻性和亮度。RPS遠程等離子源通過非接觸式清洗，有效去除有機和無機殘留物，確保沉積工藝的重復性。其高均勻性特性特別適用于大尺寸基板處理，避免了邊緣與中心的清潔差異。同時，RPS遠程等離子源的低熱負荷設計防止了對溫度敏感材料的損傷。在柔性顯示領域，該技術還能用于表面活化，提升涂層附著力。通過整合RPS遠程等離子源，面板制造商能夠降低缺陷率，提高產品性能。河南遠程等離子源RPS石墨舟腔體清洗適用于特種材料科研開發的超真空表面處理。

在PECVD、LPCVD等薄膜沉積設備中，腔室內壁積累的非晶硅、氮化硅等沉積物會降低熱傳導效率，導致工藝漂移。RPS遠程等離子源通過定制化的氣體配方（如NF3/O2混合氣體），在200-400℃溫度范圍內實現高效腔室清洗。其中氟基自由基與硅基沉積物反應生成揮發性SiF4，清洗速率可達5-10μm/min。實際應用數據顯示，采用RPS遠程等離子源進行預防性維護，可將CVD設備的平均故障間隔延長至1500工藝小時以上，顆粒污染控制水平提升兩個數量級。

RPS遠程等離子源在先進封裝中的解決方案針對2.5D/3D封裝中的硅通孔（TSV）工藝，RPS遠程等離子源提供了完整的清洗方案。在深硅刻蝕后，采用SF6/O2遠程等離子體去除側壁鈍化層，同時保持銅導線的完整性。在芯片堆疊鍵合前，通過H2/N2遠程等離子體處理，將晶圓表面氧含量降至0.5at%以下，明顯 改善了銅-銅鍵合強度。某封測廠應用數據顯示，RPS遠程等離子源將TSV結構的接觸電阻波動范圍從±15%收窄至±5%。RPS遠程等離子源在MEMS器件釋放工藝中的突破MEMS器件無償 層釋放是制造過程中的關鍵挑戰。RPS遠程等離子源采用交替脈沖模式，先通過CF4/O2遠程等離子體刻蝕氧化硅無償 層，再采用H2/N2遠程等離子體鈍化結構層。這種時序控制將結構粘附發生率從傳統工藝的12%降至0.5%以下。在慣性傳感器制造中，RPS遠程等離子源實現了200:1的高深寬比結構釋放，確保了微機械結構的運動自由度。RPS是一種用于產生等離子體的裝置，它通常被用于在真空環境中進行表面處理、材料改性、薄膜沉積等工藝。

三維NAND閃存堆疊層數的不斷增加，對刻蝕后高深寬比結構的清洗帶來了巨大挑戰。其深孔或深溝槽底部的刻蝕殘留物（如聚合物）若不能徹底清理 ，將嚴重影響后續多晶硅或鎢填充的質量，導致電荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS遠程等離子源應用領域展現出其獨特優勢。由于等離子體在遠程生成，其主要產物是電中性的自由基，這些自由基具有較好的擴散能力，能夠無阻礙地深入深寬比超過60:1的結構底部，與殘留物發生化學反應并將其轉化為揮發性氣體排出。相較于直接等離子體，RPS技術避免了因離子鞘層效應導致的清洗不均勻問題，確保了從結構頂部到底部的均勻清潔，且不會因離子轟擊造成結構側壁的物理損傷。這使得RPS遠程等離子源應用領域成為3D NAND制造中實現高良率、高可靠性的主要 技術之一。在半導體前道制程中確保柵極界面質量。湖南推薦RPS技術指導

用于超硬涂層沉積前的表面活化。江蘇半導體設備RPS定制

RPS遠程等離子源應用領域在半導體前道制程中尤為關鍵，特別是在高級 邏輯芯片和存儲芯片的晶圓清洗環節。隨著技術節點向5納米乃至更小尺寸邁進，任何微小的污染和物理損傷都可能導致器件失效。傳統的濕法清洗或直接等離子體清洗難以避免圖案傾倒、關鍵尺寸改變或材料損傷等問題。而RPS遠程等離子源通過物理分離等離子體產生區與處理區，只將高活性的氧自由基、氫自由基等中性粒子輸送到晶圓表面，能夠在不施加物理轟擊的情況下，高效去除光刻膠殘留、有機污染物和金屬氧化物。這種溫和的非接觸式處理方式，能將對脆弱的FinFET結構或柵極氧化層的損傷降至比較低，確保了器件的電學性能和良率。因此，在先進制程的預擴散清洗、預柵極清洗以及刻蝕后殘留物去除等關鍵步驟中，RPS遠程等離子源應用領域已成為不可或缺的工藝選擇，為摩爾定律的持續推進提供了可靠的表面處理保障。江蘇半導體設備RPS定制