針對半導(dǎo)體制造中的高真空工藝需求，國瑞熱控開發(fā)**真空密封組件，確保加熱盤在真空環(huán)境下穩(wěn)定運行。組件采用氟橡膠與金屬骨架復(fù)合結(jié)構(gòu)，耐溫范圍覆蓋 - 50℃至 200℃，可長期在 10??Pa 真空環(huán)境下使用無泄漏。密封件與加熱盤接口精細(xì)匹配，通過多道密封設(shè)計提升真空密封性，避免反應(yīng)腔體內(nèi)真空度下降影響工藝質(zhì)量。組件安裝過程簡單，無需特殊工具，且具備良好的耐磨性與抗老化性能，使用壽命超 5000 次拆裝循環(huán)。適配 CVD、PVD 等真空工藝用加熱盤，與國產(chǎn)真空設(shè)備廠商的反應(yīng)腔體兼容，為半導(dǎo)體制造中的高真空環(huán)境提供可靠密封保障，助力提升工藝穩(wěn)定性與產(chǎn)品良率。模塊化設(shè)計理念，維護(hù)更換簡單快捷，大幅降低運維成本。重慶晶圓級陶瓷加熱盤

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求。其熱導(dǎo)率可達(dá) 220W/mK，熱膨脹系數(shù)* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。內(nèi)部嵌入鎢制加熱元件，經(jīng)共燒工藝實現(xiàn)緊密結(jié)合，加熱面溫度均勻性控制在 ±1℃以內(nèi)，工作溫度上限提升至 800℃，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)鋁合金加熱盤的 450℃極限。表面經(jīng)精密研磨拋光處理，平面度誤差小于 0.01mm，可耐受等離子體長期轟擊無損傷，在晶圓退火、氧化等高溫工藝中表現(xiàn)穩(wěn)定，為國產(chǎn)替代提供高性能材質(zhì)解決方案。湖南陶瓷加熱盤嚴(yán)格老化測試性能檢驗，確保產(chǎn)品零缺陷，品質(zhì)有保障。

針對 12 英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計實現(xiàn)高效溫控。產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá) 1500cm2，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求。每個模塊配備**溫控單元，通過**控制系統(tǒng)協(xié)同工作，確保整個加熱面溫度均勻性控制在 ±1.5℃以內(nèi)。采用輕量化**度基材，在保證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的同時降低設(shè)備重量，便于安裝與維護(hù)。表面經(jīng)精密加工確保平整度，與大尺寸晶圓完美貼合，減少熱傳導(dǎo)損耗，為先進(jìn)制程中大規(guī)模晶圓的均勻加熱提供可靠解決方案。

國瑞熱控薄膜沉積**加熱盤以精細(xì)溫控助力半導(dǎo)體涂層質(zhì)量提升，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 控制在 0.08μm 以內(nèi)，減少薄膜沉積過程中的界面缺陷。加熱元件采用螺旋狀分布設(shè)計，配合均溫層優(yōu)化，使加熱面溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，確保薄膜厚度偏差小于 5%。設(shè)備支持溫度階梯式調(diào)節(jié)功能，可根據(jù)沉積材料特性設(shè)定多段溫度曲線，適配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生長需求。工作溫度范圍覆蓋 100℃至 500℃，升溫速率 12℃/ 分鐘，且具備快速冷卻通道，縮短工藝間隔時間。通過與拓荊科技、北方華創(chuàng)等設(shè)備廠商的聯(lián)合調(diào)試，已實現(xiàn)與國產(chǎn)薄膜沉積設(shè)備的完美適配，為半導(dǎo)體器件的絕緣層、鈍化層制備提供穩(wěn)定加熱環(huán)境。模塊化設(shè)計，便于維護(hù)更換，減少停機提升產(chǎn)能。

國瑞熱控 12 英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現(xiàn) ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴(yán)苛要求。設(shè)備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達(dá) 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關(guān)鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲等企業(yè)的深度合作，已實現(xiàn)與國產(chǎn) 12 英寸晶圓生產(chǎn)線的無縫對接，為先進(jìn)制程規(guī)模化生產(chǎn)提供穩(wěn)定溫控支撐。無錫國瑞熱控科技，專注加熱盤研發(fā)制造，是您值得信賴的合作伙伴。蘇州探針測試加熱盤生產(chǎn)廠家

低熱容設(shè)計升溫降溫快，實現(xiàn)高效熱循環(huán)，適合快速變溫工藝。重慶晶圓級陶瓷加熱盤

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計，測溫精度達(dá) ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤的校準(zhǔn)需求。配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實時顯示溫度分布曲線與偏差分析，數(shù)據(jù)可通過 USB 導(dǎo)出形成校準(zhǔn)報告。校準(zhǔn)過程無需拆卸加熱盤，通過磁吸式貼合加熱面即可完成檢測，單臺設(shè)備校準(zhǔn)時間縮短至 30 分鐘以內(nèi)。適配國瑞全系列半導(dǎo)體加熱盤，同時兼容 Kyocera、CoorsTek 等國際品牌產(chǎn)品，幫助企業(yè)建立完善的溫度校準(zhǔn)體系，確保工藝參數(shù)的一致性與可追溯性。重慶晶圓級陶瓷加熱盤

無錫市國瑞熱控科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中，一直處在一個不斷銳意進(jìn)取，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進(jìn)取的無限潛力，無錫市國瑞熱控科技供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，要不畏困難，激流勇進(jìn)，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！