國瑞熱控 8 英寸半導體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價比與穩定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內部采用螺旋狀鎳鉻加熱絲，熱效率達 85% 以上，升溫速率 15℃/ 分鐘，工作溫度上限 450℃，適配 CVD、PVD 等常規工藝。設備配備標準真空吸附接口與溫控信號端口，可直接替換 ULVAC、Evatec 等國際品牌同規格產品，安裝無需調整現有生產線布局。通過 1000 小時高溫老化測試，故障率低于 0.1%，為功率器件、傳感器等成熟制程芯片制造提供穩定支持。模塊化設計，便于維護更換，減少停機提升產能。陜西半導體加熱盤供應商

面向柔性半導體基板（如聚酰亞胺基板）加工需求，國瑞熱控**加熱盤以柔性貼合設計適配彎曲基板。采用薄型不銹鋼加熱片（厚度 0.2mm）與硅膠導熱層復合結構，可隨柔性基板彎曲（彎曲半徑**小 5mm）而無結構損壞，加熱面溫度均勻性達 ±1.5℃，溫度調節范圍 50℃-250℃，適配柔性基板鍍膜、光刻膠烘烤等工藝。配備真空吸附槽道，可牢固固定柔性基板，避免加熱過程中褶皺導致的工藝缺陷。與維信諾、柔宇科技等柔性顯示廠商合作，支持柔性 OLED 驅動芯片的制程加工，為柔性電子設備的輕量化、可彎曲特性提供制程保障。寶山區高精度均溫加熱盤定制模塊化設計理念，維護更換簡單快捷，大幅降低運維成本。

國瑞熱控薄膜沉積**加熱盤以精細溫控助力半導體涂層質量提升，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復合結構，表面粗糙度 Ra 控制在 0.08μm 以內，減少薄膜沉積過程中的界面缺陷。加熱元件采用螺旋狀分布設計，配合均溫層優化，使加熱面溫度均勻性達 ±0.5℃，確保薄膜厚度偏差小于 5%。設備支持溫度階梯式調節功能，可根據沉積材料特性設定多段溫度曲線，適配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生長需求。工作溫度范圍覆蓋 100℃至 500℃，升溫速率 12℃/ 分鐘，且具備快速冷卻通道，縮短工藝間隔時間。通過與拓荊科技、北方華創等設備廠商的聯合調試，已實現與國產薄膜沉積設備的完美適配，為半導體器件的絕緣層、鈍化層制備提供穩定加熱環境。

面向深紫外光刻工藝對晶圓預處理的需求，國瑞熱控配套加熱盤以微米級溫控助力圖形精度提升。采用鋁合金基體與石英玻璃復合結構，加熱面平面度誤差小于 0.01mm，確保晶圓與光刻掩膜緊密貼合。通過紅外加熱與接觸式導熱協同技術，升溫速率達 15℃/ 分鐘，溫度調節范圍 60℃-120℃，控溫精度 ±0.3℃，適配光刻膠軟烘、堅膜等預處理環節。表面經防反射涂層處理，減少深紫外光反射干擾，且具備快速冷卻功能，從 120℃降至室溫*需 8 分鐘，縮短工藝間隔。與上海微電子光刻機適配，使光刻圖形線寬偏差控制在 5nm 以內，滿足 90nm 至 28nm 制程的精密圖形定義需求。寬泛工作溫度范圍，滿足低溫烘烤到高溫燒結不同需求。

針對半導體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質，經電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長期浸泡無腐蝕。加熱盤內置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風險，同時具備 1500V/1min 的電氣強度，使用安全可靠。通過底部加熱與側面保溫設計，使溶液溫度均勻性控制在 ±1℃以內，溫度調節范圍覆蓋 25℃至 100℃，滿足濕法刻蝕、清洗等工藝的溫度要求。配備高精度溫度傳感器，實時監測溶液溫度，當溫度超出設定范圍時自動啟動加熱或冷卻調節，確保化學反應平穩進行。設備適配不同規格的濕法工藝槽體，可根據槽體尺寸定制加熱盤形狀與功率，為半導體濕法工藝的穩定性與重復性提供保障。密封式設計防潮防塵耐腐蝕，適用于復雜環境特殊氣氛。吉林陶瓷加熱盤定制

多種規格形狀靈活定制，滿足特殊需求，無錫國瑞是您可靠合作伙伴。陜西半導體加熱盤供應商

國瑞熱控半導體測試用加熱盤，專為芯片性能測試環節的溫度環境模擬設計，可精細復現芯片工作時的溫度條件。設備溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達 25℃/ 分鐘和 20℃/ 分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化。加熱盤表面采用柔性導熱墊層，適配不同厚度的測試芯片，確保熱量均勻傳遞至芯片表面，溫度控制精度達 ±0.5℃。配備可編程溫度控制系統，可預設多段溫度曲線，滿足長時間穩定性測試需求。設備運行時無電磁場干擾，避免對測試數據產生影響，同時具備過溫、過流雙重保護功能，為半導體芯片的性能驗證與質量檢測提供專業溫度環境。陜西半導體加熱盤供應商

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