熱敏電阻材料分類(lèi)：

半導(dǎo)體熱敏電阻材料這類(lèi)材料有單晶半導(dǎo)體、多晶半導(dǎo)體、玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體以及金屬氧化物等。它們均具有非常大的電阻溫度系數(shù)和高的電阻率，用其制成的傳感器的靈敏度也相當(dāng)高。按電阻溫度系數(shù)也可分為負(fù)電阻溫度系數(shù)材料和正電阻溫度系數(shù)材料.在有限的溫度范圍內(nèi)，負(fù)電阻溫度系數(shù)材料a可達(dá)-6*10-2/℃，正電阻溫度系數(shù)材料a可高達(dá)-60*10-2/℃以上。如飲酸鋇陶瓷就是一種理想的正電阻溫度系數(shù)的半導(dǎo)體材料。上述兩種材料均***用于溫度測(cè)量、溫度控制、溫度補(bǔ)瞬、開(kāi)關(guān)電路、過(guò)載保護(hù)以及時(shí)間延遲等方面，如分別用子制作熱敏電阻溫度計(jì)、熱敏電阻開(kāi)關(guān)和熱敏電阻溫度計(jì)、熱敏電阻開(kāi)關(guān)和熱敏電阻延遲繼電錯(cuò)等 。這類(lèi)材料由于電阻和流度呈**關(guān)系，因此測(cè)溫范圍狹窄、均勻性也差。 熱敏電阻合金一般均具有較高的電阻率和電阻溫度系數(shù)，因此可以制成小型化的高靈敏度的測(cè)溫傳感器。浙江熱敏電阻解決方案

熱敏電阻的主要分類(lèi)：

臨界溫度熱敏電阻CTR（CritiCal Temperature Resistor）若進(jìn)一步還原為三氧化二釩，則急變消失．產(chǎn)生電阻急變的溫度對(duì)應(yīng)于半玻璃半導(dǎo)體物性急變的位置，因此產(chǎn)生半導(dǎo)體-金屬相移．CTR能夠作為控溫報(bào)警等應(yīng)用．熱敏電阻的理論研究和應(yīng)用開(kāi)發(fā)已取得了引人注目的成果．隨著高、精、尖科技的應(yīng)用，對(duì)熱敏電阻的導(dǎo)電機(jī)理和應(yīng)用的更深層次的探索，以及對(duì)性能優(yōu)良的新材料的深入研究，將會(huì)取得迅速發(fā)展．后期會(huì)逐漸和大家進(jìn)行分享； 山東水加熱熱敏電阻銷(xiāo)售價(jià)格半導(dǎo)體熱敏電阻材料均具有非常大的電阻溫度系數(shù)和高的電阻率，用其制成的傳感器的靈敏度也相當(dāng)高。

檢測(cè)時(shí)，用萬(wàn)用表歐姆檔（視標(biāo)稱(chēng)電阻值確定檔位，一般為R×1擋），具體可分兩步操作：首先常溫檢測(cè)（室內(nèi)溫度接近25℃），用鱷魚(yú)夾代替表筆分別夾住PTC熱敏電阻的兩引腳測(cè)出其實(shí)際阻值，并與標(biāo)稱(chēng)阻值相對(duì)比，二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實(shí)際阻值若與標(biāo)稱(chēng)阻值相差過(guò)大，則說(shuō)明其性能不良或已損壞。其次加溫檢測(cè)，在常溫測(cè)試正常的基礎(chǔ)上，即可進(jìn)行第二步測(cè)試—加溫檢測(cè)，將一熱源（例如電烙鐵）靠近熱敏電阻對(duì)其加熱，觀察萬(wàn)用表示數(shù)。

基本特性：熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：溫度T(K）時(shí)的電阻值、Ro：溫度T0、（K）時(shí)的電阻值、B:B值、*T(K)=t(ºC)+273.15。實(shí)際上，熱敏電阻的B值并非是恒定的，其變化大小因材料構(gòu)成而異，比較大甚至可達(dá)5K/°C。因此在較大的溫度范圍內(nèi)應(yīng)用式1時(shí)，將與實(shí)測(cè)值之間存在一定誤差。此處，若將式1中的B值用式2所示的作為溫度的函數(shù)計(jì)算時(shí)，則可降低與實(shí)測(cè)值之間的誤差，可認(rèn)為近似相等。熱敏電阻在環(huán)境溫度相同時(shí)，動(dòng)作時(shí)間隨著電流的增加而急劇縮短。

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鈦酸鋇晶體屬于鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)，是一種鐵電材料，純鈦酸鋇是一種絕緣材料．在鈦酸鋇材料中加入微量稀土元素，進(jìn)行適當(dāng)熱處理后，在居里溫度附近，電阻率陡增幾個(gè)數(shù)量級(jí)，產(chǎn)生PTC效應(yīng)，此效應(yīng)與BaTiO3晶體的鐵電性及其在居里溫度附近材料的相變有關(guān)．鈦酸鋇半導(dǎo)瓷是一種多晶材料，晶粒之間存在著晶粒間界面．該半導(dǎo)瓷當(dāng)達(dá)到某一特定溫度或電壓，晶體粒界就發(fā)生變化，從而電阻急劇變化． 黃浦區(qū)液體加熱熱敏電阻產(chǎn)品介紹。福建空氣加熱熱敏電阻價(jià)格

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鈦酸鋇半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)起因于粒界（晶粒間界）．對(duì)于導(dǎo)電電子來(lái)說(shuō)，晶粒間界面相當(dāng)于一個(gè)勢(shì)壘．當(dāng)溫度低時(shí)，由于鈦酸鋇內(nèi)電場(chǎng)的作用，導(dǎo)致電子極容易越過(guò)勢(shì)壘，則電阻值較小．當(dāng)溫度升高到居里點(diǎn)溫度（即臨界溫度）附近時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)受到破壞，它不能幫助導(dǎo)電電子越過(guò)勢(shì)壘．這相當(dāng)于勢(shì)壘升高，電阻值突然增大，產(chǎn)生PTC效應(yīng)．鈦酸鋇半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)的物理模型有海望表面勢(shì)壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢(shì)壘模型，它們分別從不同方面對(duì)PTC效應(yīng)作出了合理解釋?zhuān)憬瓱崦綦娮杞鉀Q方案

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