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  • DLC70C250JRR252X
    DLC70C250JRR252X

    電動汽車的OBC(車載充電機)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電樁都充滿了Dalicap電容的身影。在這些應(yīng)用中,電容器需在緊湊空間內(nèi)處理高電壓、大電流,并承受劇烈的溫度變化和振動。Dalicap的汽車級電容采用特殊結(jié)構(gòu)和材料,滿足AEC-Q200等車規(guī)認(rèn)證,具有更高的...

    2025-11-03
  • DLC75A221FW151NT
    DLC75A221FW151NT

    在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中,Dalicap電容承擔(dān)著儲能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(nèi)(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達(dá)系統(tǒng)的需求。Dalicap電容的定...

    2025-11-03
  • 116UHC180M100TT
    116UHC180M100TT

    實現(xiàn)超寬帶性能面臨著多重嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)。首要挑戰(zhàn)是寄生電感(ESL),任何電容器都存在由內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引線帶來的固有電感,其阻抗隨頻率升高而增加(ZL=2πfL),在某個自諧振頻率(SRF)后,電容器會呈現(xiàn)出電感特性,失去退耦和濾波功能。其次,是寄生電阻(ESR)...

    2025-11-03
  • 116UCC5R1C100TT
    116UCC5R1C100TT

    寄生參數(shù)是理解電容器頻率響應(yīng)的關(guān)鍵。一個非理想電容器的簡化模型是電容(C)、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)的串聯(lián)。其總阻抗Z = √(R2 + (2πfL - 1/(2πfC))2)。在低頻時,容抗(1/ωC)主導(dǎo),阻抗隨頻率升高而下降,表現(xiàn)出...

    2025-11-03
  • DLC75P820FW251NT
    DLC75P820FW251NT

    在高級音頻設(shè)備中,電容的選擇直接影響音質(zhì)表現(xiàn)。Dalicap電容雖然以鋁電解電容見長,但其在音頻電路電源濾波部分的應(yīng)用同樣關(guān)鍵。低ESR特性有助于提供充沛且純凈的電流,低漏電流保證了信號的準(zhǔn)確還原,而良好的頻率特性則有助于展現(xiàn)音樂的細(xì)節(jié)和動態(tài)。設(shè)計師會精心挑選...

    2025-11-03
  • 111ZDA430K100TT
    111ZDA430K100TT

    可靠性工程與質(zhì)量控制超寬帶電容的可靠性通過多重措施保證。加速壽命測試在高溫高壓條件下進(jìn)行,驗證產(chǎn)品的長期穩(wěn)定性。溫度循環(huán)測試驗證產(chǎn)品在-55℃到+125℃范圍內(nèi)的性能一致性。采用掃描聲學(xué)顯微鏡檢查內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整性,X射線檢測確保層間對齊精度。每個生產(chǎn)批次都進(jìn)...

    2025-11-02
  • 111UDB5R1K100TT
    111UDB5R1K100TT

    在現(xiàn)代高速電路設(shè)計中,憑借經(jīng)驗或簡單計算已無法設(shè)計出有效的超寬帶退耦網(wǎng)絡(luò)。必須借助先進(jìn)的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導(dǎo)入實際的PCB和封裝布局模型,并加載電...

    2025-11-02
  • 116SECA6R2D100TT
    116SECA6R2D100TT

    低ESL設(shè)計是超寬帶電容技術(shù)的重中之重。結(jié)構(gòu)創(chuàng)新包括采用多端電極設(shè)計,如三端電容或帶翼電極電容,將傳統(tǒng)的兩端子“進(jìn)-出”電流路徑,改為“穿心”式或更低回路的路徑,從而抵消磁場、減小凈電感。內(nèi)部電極采用交錯堆疊和優(yōu)化布局,盡可能縮短內(nèi)部電流通路。在端電極方面,摒...

    2025-11-02
  • 116RF150K100TT
    116RF150K100TT

    超寬帶電容并非指單一類型的電容器,而是一種設(shè)計理念和技術(shù)追求,旨在讓單個電容器或電容網(wǎng)絡(luò)在極其寬廣的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz或幾十Hz的低頻一直覆蓋到數(shù)GHz甚至數(shù)十GHz的高頻)保持穩(wěn)定、一致且優(yōu)異的性能。其重心價值在于解決現(xiàn)代復(fù)雜電子系統(tǒng),尤其是高頻和高速...

    2025-11-02
  • 111XEC470J100TT
    111XEC470J100TT

    在現(xiàn)代高速數(shù)字集成電路(如CPU, GPU, FPGA)中,時鐘頻率高達(dá)數(shù)GHz,電流切換速率極快(納秒甚至皮秒級),會產(chǎn)生極其豐富的高次諧波噪聲。同時,芯片內(nèi)核電壓不斷降低(<1V),而對噪聲的容限也隨之變小。這意味著電源軌上任何微小的電壓波動(電源噪聲)都...

    2025-11-02
  • 111XJ111J100TT
    111XJ111J100TT

    高頻特性分析。超寬帶電容的高頻性能是其明顯的特征。通過優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),將寄生電感降低到pH級別,等效串聯(lián)電阻控制在毫歐姆量級。這種設(shè)計使得電容器的自諧振頻率顯著提高,在GHz頻段仍能保持容性特性。采用三維電磁場仿真軟件進(jìn)行建模分析,精確預(yù)測和優(yōu)化高頻響應(yīng)。實際測...

    2025-11-02
  • DLC70B512FW101XT
    DLC70B512FW101XT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料,通過獨特的配方和燒結(jié)工藝,實現(xiàn)了極高的介電常數(shù)和穩(wěn)定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達(dá)200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產(chǎn)品甚至能在+250℃高溫下穩(wěn)定運行。這種寬泛的參數(shù)...

    2025-11-02
  • 111TEA100M100TT
    111TEA100M100TT

    低ESL設(shè)計是超寬帶電容技術(shù)的重中之重。結(jié)構(gòu)創(chuàng)新包括采用多端電極設(shè)計,如三端電容或帶翼電極電容,將傳統(tǒng)的兩端子“進(jìn)-出”電流路徑,改為“穿心”式或更低回路的路徑,從而抵消磁場、減小凈電感。內(nèi)部電極采用交錯堆疊和優(yōu)化布局,盡可能縮短內(nèi)部電流通路。在端電極方面,摒...

    2025-11-02
  • DLC70G180JAR802XC
    DLC70G180JAR802XC

    工業(yè)環(huán)境往往伴隨著高溫、高濕及強烈的電磁干擾,這對電子元件的可靠性提出了很好要求。Dalicap電容憑借其優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和長壽命特性,成為PLC(可編程邏輯控制器)、伺服驅(qū)動器、工業(yè)電源等設(shè)備中不可或缺的組件。它們主要用于電源濾波、能量緩沖和信號耦合,能有效...

    2025-11-02
  • 118FCC3R0D100TT
    118FCC3R0D100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內(nèi)部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達(dá)到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦...

    2025-11-02
  • 111YCA6R8K100TT
    111YCA6R8K100TT

    微波電路應(yīng)用在微波領(lǐng)域,超寬帶電容發(fā)揮著關(guān)鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調(diào)諧電容廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信設(shè)備和微波收發(fā)模塊中。在這些應(yīng)用中,電容器需要處理GHz頻率的信號,傳統(tǒng)電容由于寄生參數(shù)的影響會導(dǎo)致信號失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計,...

    2025-11-02
  • 118GCC4R3M100TT
    118GCC4R3M100TT

    寄生參數(shù)是理解電容器頻率響應(yīng)的關(guān)鍵。一個非理想電容器的簡化模型是電容(C)、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)的串聯(lián)。其總阻抗Z = √(R2 + (2πfL - 1/(2πfC))2)。在低頻時,容抗(1/ωC)主導(dǎo),阻抗隨頻率升高而下降,表現(xiàn)出...

    2025-11-02
  • DLC70G301JAR302XC
    DLC70G301JAR302XC

    汽車電子化趨勢,尤其是新能源汽車的智能駕駛和電控系統(tǒng),為Dalicap帶來了新機遇。其產(chǎn)品符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),能夠承受發(fā)動機艙的高溫、高濕和振動,應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)(BMS)、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS(高級駕駛輔助系統(tǒng))等領(lǐng)域,提供了高可靠性和長壽命。...

    2025-11-02
  • DLC70B160JW501XT
    DLC70B160JW501XT

    Dalicap電容在5G基站中的應(yīng)用表現(xiàn)很好,其高Q值、低ESR特性顯著提高了信號放大效率和通信質(zhì)量。在基站功率放大器和濾波器等重心模塊中,有效降低了插入損耗,提高了基站覆蓋范圍和信號穩(wěn)定性,成為多家5G通信頭部廠商的合格供應(yīng)商。公司建立了全制程高Q電容器生產(chǎn)...

    2025-11-02
  • DLC70E272GW501XT
    DLC70E272GW501XT

    Dalicap的市場地位明顯,根據(jù)《2023年版中國MLCC市場競爭研究報告》,其2022年在全球射頻微波MLCC市場中占有率位列全球第五、很好,成為國內(nèi)該領(lǐng)域的靠前,并且是少數(shù)能參與國際競爭、打破國外巨頭壟斷的中國企業(yè)。公司客戶遍及全球,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷美國、日本、...

    2025-11-02
  • 111UK391M100TT
    111UK391M100TT

    與傳統(tǒng)電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優(yōu)勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達(dá)GHz級別。此外,ML...

    2025-11-01
  • DLC75B6R8CW501XT
    DLC75B6R8CW501XT

    在光通信模塊(如400G/800G光收發(fā)器)中,Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦,抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性,確保了射頻驅(qū)動電路的性能,對于維持高信噪比和低誤碼率至關(guān)重要。Dalicap電容的無壓電...

    2025-11-01
  • DLC75D1R8DW251NT
    DLC75D1R8DW251NT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料,通過精密的摻雜和燒結(jié)工藝,形成了極其穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。這種材料基礎(chǔ)賦予了電容極高的介電常數(shù)和很低的介質(zhì)損耗,使其在高頻環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的容值表現(xiàn)。其介質(zhì)配方完全自主可控,避免了國內(nèi)外材料供應(yīng)鏈波動的風(fēng)險,為國產(chǎn)化...

    2025-11-01
  • 111YCA160K100TT
    111YCA160K100TT

    高頻特性分析。超寬帶電容的高頻性能是其明顯的特征。通過優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu),將寄生電感降低到pH級別,等效串聯(lián)電阻控制在毫歐姆量級。這種設(shè)計使得電容器的自諧振頻率顯著提高,在GHz頻段仍能保持容性特性。采用三維電磁場仿真軟件進(jìn)行建模分析,精確預(yù)測和優(yōu)化高頻響應(yīng)。實際測...

    2025-11-01
  • DLC75D750JW251NT
    DLC75D750JW251NT

    在高頻開關(guān)電源中的應(yīng)用現(xiàn)關(guān)電源朝著高頻化、高效率發(fā)展,這對輸出濾波電容提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯(lián)電感),能夠有效應(yīng)對數(shù)百kHz甚至MHz級的開關(guān)頻率。它們能快速響應(yīng)負(fù)載的瞬態(tài)變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰...

    2025-11-01
  • 111SHC2R4K100TT
    111SHC2R4K100TT

    醫(yī)療電子設(shè)備應(yīng)用在醫(yī)療電子領(lǐng)域,超寬帶電容主要用于高級成像設(shè)備和診斷儀器。MRI核磁共振系統(tǒng)需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩(wěn)定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設(shè)備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質(zhì)量。醫(yī)療應(yīng)用的超寬...

    2025-11-01
  • 118EG910M100TT
    118EG910M100TT

    即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來自電容焊盤到電源/地平面之間的過孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個緊鄰的、低電感的過孔(...

    2025-11-01
  • DLC75D2R0AW251NT
    DLC75D2R0AW251NT

    全球射頻微波MLCC市場規(guī)模持續(xù)增長,預(yù)計到2027年將達(dá)到77.7億元,年均復(fù)合增長率達(dá)8.56%,高于普通MLCC市場。下游5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,為Dalicap的未來增長提供了廣闊的市場空間。公司于2023年12月成功在創(chuàng)業(yè)板上市,獲...

    2025-11-01
  • 113GDB2R4D100TT
    113GDB2R4D100TT

    材料科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新。超寬帶電容的重心突破在于材料科學(xué)的創(chuàng)新。采用納米級陶瓷粉末制備的介質(zhì)材料,通過精確控制晶粒尺寸和分布,實現(xiàn)了介電常數(shù)的穩(wěn)定性和一致性。電極材料則選用高導(dǎo)電率的銅銀合金或金基材料,通過真空鍍膜技術(shù)形成均勻的薄膜電極。近的技術(shù)發(fā)展還包括采用...

    2025-11-01
  • 116UHC200J100TT
    116UHC200J100TT

    超寬帶電容是一種專為在極其寬廣的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz的低頻一直覆蓋到數(shù)GHz甚至數(shù)十GHz的高頻)保持穩(wěn)定、一致且優(yōu)異性能而設(shè)計的電子元件。其重心價值在于解決現(xiàn)代復(fù)雜電子系統(tǒng),尤其是高頻和高速系統(tǒng)中,傳統(tǒng)電容器因寄生參數(shù)(如ESL-等效串聯(lián)電感和ESR-等...

    2025-11-01
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