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  • 100E161MW3600X
    100E161MW3600X

    ATC芯片電容具備很好的高頻響應特性,其等效串聯電感(ESL)極低,自諧振頻率可延伸至數十GHz,特別適用于5G通信、毫米波雷達及衛星通信系統。該特性有效抑制了高頻信號傳輸中的相位失真和信號衰減,確保系統在復雜電磁環境下仍能維持優異的信號完整性,為高級射頻前端...

    2025-12-11
  • 100E681MW2500X
    100E681MW2500X

    ATC芯片電容在高頻應用中的低損耗特性使其成為射頻和微波電路的理想選擇。其損耗因數(DF)低于2.5%,在高頻范圍內仍能保持低能耗和高效率,明顯降低了電路的發熱和能量損失。這一特性在5G基站、雷達系統和高速通信設備中尤為重要,確保了信號傳輸的純凈性和整體系統的...

    2025-12-11
  • 800A4R3BT250XT
    800A4R3BT250XT

    在智能電網和電力監控設備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質量分析儀的采樣電路和繼電保護裝置的信號調理回路,提高電網監測的準確性和可靠性。產品符合RoHS、REACH等環保法規,全系列采用無鉛無鹵素材料,滿足全球主要市場對電子產品的環保要求,支持綠色電子制造和...

    2025-12-11
  • 111ZBB120D100TT
    111ZBB120D100TT

    產品系列中包括具有三明治結構及定制化電極設計的型號,可實現極低的ESL和ESR,用于高速數字電路的電源分配網絡(PDN)中能有效抑制同步開關噪聲,提升處理器和FPGA的運行穩定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足...

    2025-12-10
  • 800B0R5BT500XT
    800B0R5BT500XT

    每一顆電容都歷經了嚴格的內部檢驗,包括100%的電氣性能測試。此外,產品還需通過如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標準的一系列環境應力篩選(ESS)試驗,如溫度循環(-55°C至+125°C,多次循環)、機械沖擊(1500G)、振動、耐濕、...

    2025-12-10
  • CDR11AG111KJNM
    CDR11AG111KJNM

    雖然單顆ATC100B系列電容價格是普通電容的8-10倍(2023年市場報價$18.5/顆),但在5G基站功率放大器模塊中,其平均無故障時間(MTBF)達25萬小時,超過設備廠商10年設計壽命要求。華為的實測數據顯示,采用ATC電容的AAU模塊10年運維成本降...

    2025-12-10
  • CDR13BG161DGSM
    CDR13BG161DGSM

    在物聯網設備中,ATC芯片電容的小尺寸和低功耗特性促進了設備微型化和能效優化,支持了物聯網技術的發展。其高頻率穩定性(可達GHz級別)使得ATC芯片電容在5G/6G通信和毫米波電路中成為關鍵元件,確保了高頻信號的完整性。ATC芯片電容的低成本效益(通過高可靠性...

    2025-12-10
  • 700A101JW150XT
    700A101JW150XT

    在高頻微波電路中,ATC電容可用于實現低插損的直流阻斷、阻抗變換和射頻耦合功能,其性能穩定性明顯優于分立傳輸線結構,有助于簡化電路設計并提高系統一致性。在電力電子領域,其高絕緣電阻(通常超過10GΩ)和低泄漏電流特性,使ATC電容適用于電能計量芯片的參考電容、...

    2025-12-10
  • 116YA2R1C100TT
    116YA2R1C100TT

    ATC芯片電容符合RoHS(有害物質限制指令)和REACH(化學品注冊、評估、許可和限制)等環保法規,其生產流程綠色化,產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求,也體現了ATC公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當,使得客戶的產品能夠無憂...

    2025-12-10
  • 118CF120M100T
    118CF120M100T

    該類電容具有較好的抗直流偏壓特性,即使在較高直流電壓疊加情況下,電容值仍保持高度穩定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉換器輸出濾波及新能源車電控系統中的直流鏈路電容,有效避免了因電壓波動引發的系統性能退化。憑借半導體級制造工藝和精密電極成型技術,A...

    2025-12-10
  • CDR14BP0R7EBSM
    CDR14BP0R7EBSM

    在微型化方面,ATC芯片電容同樣帶領技術潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封裝,滿足了現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間很好的追求。盡管體積微小,但ATC通過先進...

    2025-12-10
  • 600F200JT250T
    600F200JT250T

    通過MIL-STD-883HMethod2007機械沖擊測試,采用氣炮加速實驗驗證可承受100,000g加速度沖擊(相當于撞擊的瞬間過載)。實際應用于裝甲車輛火控系統時,在12.7mm機射擊產生的5-2000Hz寬頻振動環境下,其電極焊接點仍保持零斷裂記錄。這...

    2025-12-10
  • 100E910KW3600X
    100E910KW3600X

    ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質與精密電極設計,在1MHz至10GHz頻段內保持穩定的容值,Q值高達10000以上。例如,100B系列在5GHz時ESR低至0.01Ω,有效減少信號衰減,適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率(SRF)可達數十GHz...

    2025-12-10
  • 116YEA620K100TT
    116YEA620K100TT

    醫療電子,特別是植入式醫療設備(如起搏器、神經刺激器),對元件的可靠性和生物兼容性要求極高。ATC芯片電容的陶瓷氣密封裝本身具有極高的惰性,不會與體液發生反應。其很好的長期穩定性和可靠性,確保了這些“生命攸關”的設備在人體內能夠持續、穩定地工作數十年,無需因元...

    2025-12-09
  • 100A2R4DW150XT
    100A2R4DW150XT

    ATC芯片電容的額定電壓范圍寬廣,從低電壓的幾伏特到高電壓的數千伏特(如B系列),可滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這...

    2025-12-09
  • CDR14BP240EJSM
    CDR14BP240EJSM

    在阻抗匹配網絡中,ATC芯片電容的高精度和穩定性確保了匹配的準確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標準的環境友好設計,使得ATC芯片電容適用于全球市場的電子產品,滿足了環保法規和可持續發展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應用...

    2025-12-09
  • 116YF221M100TT
    116YF221M100TT

    ATC芯片電容符合RoHS(有害物質限制指令)和REACH(化學品注冊、評估、許可和限制)等環保法規,其生產流程綠色化,產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求,也體現了ATC公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當,使得客戶的產品能夠無憂...

    2025-12-09
  • 116XJ121K100TT
    116XJ121K100TT

    ATC芯片電容的無壓電效應特性消除了傳統MLCC因電壓變化產生的振動和嘯叫問題,適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。在光通信領域,ATC芯片電容的低ESL和ESR特性確保了高速收發模塊(如DSP、SerDes)的信號完整性,減少了噪...

    2025-12-09
  • 116ZHC101G100TT
    116ZHC101G100TT

    ATC芯片電容的無壓電效應特性消除了傳統MLCC因電壓變化產生的振動和嘯叫問題,適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。在光通信領域,ATC芯片電容的低ESL和ESR特性確保了高速收發模塊(如DSP、SerDes)的信號完整性,減少了噪...

    2025-12-09
  • 700E122JW1000X
    700E122JW1000X

    在高頻特性方面,ATC的芯片電容表現出色,具有極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL)。這一特性使得它在高頻范圍內損耗極低,能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號,提供穩定可靠的高頻性能。例如,可以射頻功率放大器和微波電路中,這種低ESR/ESL設計明顯降...

    2025-12-09
  • 600F0R7AT250T
    600F0R7AT250T

    每一顆電容都歷經了嚴格的內部檢驗,包括100%的電氣性能測試。此外,產品還需通過如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標準的一系列環境應力篩選(ESS)試驗,如溫度循環(-55°C至+125°C,多次循環)、機械沖擊(1500G)、振動、耐濕、...

    2025-12-09
  • 501S42E0R8BV4E
    501S42E0R8BV4E

    ATC芯片電容在高頻應用中的低損耗特性使其成為射頻和微波電路的理想選擇。其損耗因數(DF)低于2.5%,在高頻范圍內仍能保持低能耗和高效率,明顯降低了電路的發熱和能量損失。這一特性在5G基站、雷達系統和高速通信設備中尤為重要,確保了信號傳輸的純凈性和整體系統的...

    2025-12-09
  • CDR13BP750EJSM
    CDR13BP750EJSM

    100E系列支持500V額定電壓,通過100%高壓老化測試,可在250%耐壓下持續工作5秒不擊穿。醫療設備如MRI系統的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風險,符合AEC-Q200車規認證。在5GMassiveMIMO天...

    2025-12-09
  • CDR14BG0R3EBSM
    CDR14BG0R3EBSM

    ATC芯片電容的制造過程秉承了半導體級別的精密工藝。從納米級陶瓷粉末的制備、流延成膜的厚度控制,到電極圖案的精細印刷和層壓對位,每一步都處于微米級的精度控制之下。這種近乎苛刻的工藝要求,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。對于需要大量配對使用的相位陣列...

    2025-12-09
  • CDR14BP241CJSM
    CDR14BP241CJSM

    ATC芯片電容在材料科學上取得了重大突破,其采用的超精細、高純度鈦酸鹽陶瓷介質體系是很好性能的基石。這種材料不僅具備極高的介電常數,允許在微小體積內實現更大的電容值,更重要的是,其晶體結構異常穩定。通過精密的摻雜和燒結工藝,ATC成功抑制了介質材料在電場和溫度...

    2025-12-09
  • 100C7R5CW2500X
    100C7R5CW2500X

    通過MIL-STD-883HMethod2007機械沖擊測試,采用氣炮加速實驗驗證可承受100,000g加速度沖擊(相當于撞擊的瞬間過載)。實際應用于裝甲車輛火控系統時,在12.7mm機射擊產生的5-2000Hz寬頻振動環境下,其電極焊接點仍保持零斷裂記錄。這...

    2025-12-09
  • 100B6R8BT500XT
    100B6R8BT500XT

    在阻抗匹配網絡中,ATC芯片電容的高精度和穩定性確保了匹配的準確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標準的環境友好設計,使得ATC芯片電容適用于全球市場的電子產品,滿足了環保法規和可持續發展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應用...

    2025-12-09
  • 116ZCC270M100TT
    116ZCC270M100TT

    ATC芯片電容的制造工藝采用了深槽刻蝕和薄膜沉積等半導體技術,實現了三維微結構和高純度電介質層,提供了很好的電氣性能和可靠性。在高溫應用中,ATC芯片電容能夠穩定工作于高達+250℃的環境,滿足了汽車電子和工業控制中的高溫需求,避免了因過熱導致的性能退化或失效...

    2025-12-09
  • 116XA0R6C100TT
    116XA0R6C100TT

    雖然單顆ATC100B系列電容價格是普通電容的8-10倍(2023年市場報價$18.5/顆),但在5G基站功率放大器模塊中,其平均無故障時間(MTBF)達25萬小時,超過設備廠商10年設計壽命要求。華為的實測數據顯示,采用ATC電容的AAU模塊10年運維成本降...

    2025-12-09
  • 100C8R2DW2500X
    100C8R2DW2500X

    ATC芯片電容的焊接工藝兼容性良好,可承受回流焊(峰值溫度≤260℃)和波峰焊,適用于標準SMT生產線,提高了制造效率。在雷達系統中,ATC芯片電容的高功率處理能力和低損耗特性確保了脈沖處理和信號傳輸的可靠性,提高了系統性能。其高絕緣電阻(如1000兆歐分鐘)...

    2025-12-09
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