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ATC芯片電容的額定電壓范圍寬廣，從低電壓的幾伏特到高電壓的數千伏特（如B系列），可滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理，有效消除了電場集中效應，從而顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW）。這種穩健的耐壓性能，使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中，成為保障系統安全、防止短路失效的關鍵元件。很好的高溫性能是ATC芯片電容的核心競爭力之一。其特種陶瓷介質和電極系統能夠承受高達+200°C甚至+250°C的持續工作溫度，而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優異水平。產生噪聲極低，適合傳感器信號調理和微弱信號檢測。...

針對高頻應用中的寄生效應，ATC芯片電容進行了性的電極結構優化。其采用的三維多層電極設計，通過精細控制金屬層（通常為賤金屬鎳或銅，或貴金屬銀鈀）的厚度、平整度及疊層結構，比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設計將等效串聯電感（ESL）和等效串聯電阻（ESR）降至很好，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。在GHz頻段的射頻電路中，這種低ESL/ESR特性意味著信號路徑上的阻抗幾乎為純容性，極大地降低了插入損耗和能量反射，保證了信號傳輸的完整性與效率。通過激光微調技術實現±0.05pF的容值精度，滿足相位敏感型射頻電路的苛刻匹配需求。CDR11AG3R9KBNM出色的抗老化特性是ATC電容長...

優異的直流偏壓特性表現為容值對施加直流電壓的極低敏感性。普通高介電常數電容（如X7R）在直流偏壓下容值會大幅下降（可達50%甚至更多），而ATC的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容（其工作于直流偏壓狀態）至關重要，它確保了電源環路在不同負載下的穩定性，避免了因容值變化而引發的振蕩問題。在阻抗匹配網絡中，ATC電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。無論是基站天線的饋電網絡還是射頻功放的輸出匹配，ATC電容微小的容值公差（可至±0.1pF）和近乎為零的溫度系數，確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性。這意味著天線駐波比（VSWR）始終保持在比較好狀態，功放的能...

其材料系統和制造工藝確保產品具有高度的一致性，批次間容值分布集中，便于自動化生產中的貼裝和調測，減少在線調整工序，提高大規模生產效率。在射頻識別（RFID）系統中，ATC電容用于標簽天線匹配和讀寫器濾波電路，其高Q值和穩定的溫度特性可提高讀取距離和抗環境干擾能力。該類電容的無磁性系列采用非鐵磁性電極材料，適用于MRI系統、高精度傳感器和量子計算設備中對磁場敏感的應用場景，避免引入額外磁噪聲或場失真。通過引入三維電極結構和高k介質材料，ATC可在微小尺寸內實現μF級容值，為芯片級電源模塊和便攜設備中的大電流瞬態響應提供解決方案。寬溫工作能力（-55℃至+250℃）使其適用于航空航天等極端環境。1...

很好的高溫存儲和操作壽命性能使得ATC電容能夠應對嚴酷的環境。其產品可在+250°C的高溫環境下持續工作數千小時，而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統汽車和航空航天，更在深井鉆探、地熱發電等超高溫工業應用以及新一代高溫電子產品中，成為不可多得的關鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩定的介質結構和優異的絕緣性能。其介質內部幾乎不存在會隨機產生電荷陷阱和釋放的缺陷，因此其產生的1/f噪聲和爆米花噪聲（PopcornNoise）水平極低。在低噪聲放大器（LNA）、高精度傳感器信號調理電路和微弱信號檢測設備的前端，使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲，保證系統能夠提取出...

在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優異，即使在連續波或脈沖功率應用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時極大節省了PCB空間，為可穿戴設備、微型傳感器節點及高密度系統級封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產品符合AEC-Q200車規標準，可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環試驗，完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求，廣泛應用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統。內部采用銅銀復合電極結構，在高溫高濕環境下仍保持優異的導電性和抗遷移...

優異的直流偏壓特性表現為容值對施加直流電壓的極低敏感性。普通高介電常數電容（如X7R）在直流偏壓下容值會大幅下降（可達50%甚至更多），而ATC的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容（其工作于直流偏壓狀態）至關重要，它確保了電源環路在不同負載下的穩定性，避免了因容值變化而引發的振蕩問題。在阻抗匹配網絡中，ATC電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。無論是基站天線的饋電網絡還是射頻功放的輸出匹配，ATC電容微小的容值公差（可至±0.1pF）和近乎為零的溫度系數，確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性。這意味著天線駐波比（VSWR）始終保持在比較好狀態，功放的能...

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質與精密電極設計，在1MHz至10GHz頻段內保持穩定的容值，Q值高達10000以上。例如，100B系列在5GHz時ESR低至0.01Ω，有效減少信號衰減，適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率（SRF）可達數十GHz，遠超普通MLCC電容，確保高頻信號完整性，基于NPO/C0G介質材料，ATC電容在-55℃至+175℃范圍內容值漂移小于±0.3%，溫度系數（TCC）±30ppm/℃。在航天設備中，如衛星通信載荷的振蕩器電路，即便遭遇極端溫差，仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz，保障信號傳輸穩定性。高電容密度設計在有限空間內實現更大容值，優化電路...

ATC芯片電容具備很好的高頻響應特性，其等效串聯電感（ESL）極低，自諧振頻率可延伸至數十GHz，特別適用于5G通信、毫米波雷達及衛星通信系統。該特性有效抑制了高頻信號傳輸中的相位失真和信號衰減，確保系統在復雜電磁環境下仍能維持優異的信號完整性，為高級射頻前端模塊的設計提供了關鍵支持。在溫度穩定性方面，采用C0G/NP0介質的ATC電容溫度系數低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內，其容值漂移仍遠低于常規MLCC，這一特性使其非常適用于航空航天設備中的溫補電路、汽車發動機控制單元及高溫工業傳感器等場景。采用端電極銀鈀合金鍍層，實現優異的可焊性同時有效抑制硫化現象的發生...

ATC芯片電容具備很好的高頻響應特性，其等效串聯電感（ESL）極低，自諧振頻率可延伸至數十GHz，特別適用于5G通信、毫米波雷達及衛星通信系統。該特性有效抑制了高頻信號傳輸中的相位失真和信號衰減，確保系統在復雜電磁環境下仍能維持優異的信號完整性，為高級射頻前端模塊的設計提供了關鍵支持。在溫度穩定性方面，采用C0G/NP0介質的ATC電容溫度系數低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內，其容值漂移仍遠低于常規MLCC，這一特性使其非常適用于航空航天設備中的溫補電路、汽車發動機控制單元及高溫工業傳感器等場景。微波頻段表現很好，適合毫米波通信和雷達系統。700B150JW50...

通過MIL-STD-883HMethod2007機械沖擊測試，采用氣炮加速實驗驗證可承受100,000g加速度沖擊（相當于撞擊的瞬間過載）。實際應用于裝甲車輛火控系統時，在12.7mm機射擊產生的5-2000Hz寬頻振動環境下，其電極焊接點仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極（Ag-Pd70/30配比）與三維立體堆疊結構，其斷裂韌性值(KIC)達到8MPa·m1/2，是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰地報告顯示，配備ATC電容的"標"反坦克導彈制導系統，在沙漠風暴行動中的戰場故障率為0.2/百萬發。通過激光微調技術實現±0.05pF的容值精度，滿足相位敏感型射頻電路的苛...

在測試與測量設備中，ATC電容用于示波器探頭補償、頻譜分析儀輸入電路及信號發生器的濾波網絡，其高精度和低溫漂特性有助于保持儀器的長期測量準確性。通過激光調阻和精密修刻工藝，可提供容值精確匹配的電容陣列或配對電容，用于差分信號處理、平衡混頻器和推挽功率放大器中的對稱電路設計。在物聯網設備中，其低功耗特性與微型化尺寸相得益彰，為藍牙模塊、LoRa節點及能量采集系統的電源管理和信號處理提供高效可靠的電容解決方案。微波頻段表現很好，適合毫米波通信和雷達系統。CDR14BP3R0EBSM針對高頻應用中的寄生效應，ATC芯片電容進行了性的電極結構優化。其采用的三維多層電極設計，通過精細控制金屬層（通常為賤...

在微型化方面，ATC芯片電容同樣帶領技術潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封裝，滿足了現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP（系統級封裝）對PCB空間很好的追求。盡管體積微小，但ATC通過先進的流延成型和共燒技術，確保了內部多層介質與電極結構的完整性與可靠性，避免了因尺寸縮小而導致的性能妥協。這種“小而強”的特性，為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性，在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規X7R/X5R類電容，這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關重要。高達數千伏的額定電壓范圍，確保在高壓應用中具備出色的絕緣可靠性。11...

優異的頻率響應特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內保持穩定的容值。其容值對頻率的變化曲線極為平坦，即便在微波頻段，衰減也微乎其微。這一特性對于寬帶應用如軟件定義無線電（SDR）、電子戰（EW）系統中的寬帶濾波器和匹配網絡至關重要。它保證了系統在整個工作頻帶內都能獲得一致且可預測的性能，避免了因電容頻響不均而導致的信號失真或增益波動。多樣化的封裝形式是ATC滿足全球客戶不同需求的關鍵。除了標準的表面貼裝（SMD）chip型號，ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線（Microstrip）封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝（Flip-Chip）技術產品。這種靈活性允許工程師根據電路的頻率、...

優異的直流偏壓特性表現為容值對施加直流電壓的極低敏感性。普通高介電常數電容（如X7R）在直流偏壓下容值會大幅下降（可達50%甚至更多），而ATC的C0G電容容值變化通常小于5%。這一特性對于開關電源的輸出濾波電容（其工作于直流偏壓狀態）至關重要，它確保了電源環路在不同負載下的穩定性，避免了因容值變化而引發的振蕩問題。在阻抗匹配網絡中，ATC電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。無論是基站天線的饋電網絡還是射頻功放的輸出匹配，ATC電容微小的容值公差（可至±0.1pF）和近乎為零的溫度系數，確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性。這意味著天線駐波比（VSWR）始終保持在比較好狀態，功放的能...

優異的頻率響應特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內保持穩定的容值。其容值對頻率的變化曲線極為平坦，即便在微波頻段，衰減也微乎其微。這一特性對于寬帶應用如軟件定義無線電（SDR）、電子戰（EW）系統中的寬帶濾波器和匹配網絡至關重要。它保證了系統在整個工作頻帶內都能獲得一致且可預測的性能，避免了因電容頻響不均而導致的信號失真或增益波動。多樣化的封裝形式是ATC滿足全球客戶不同需求的關鍵。除了標準的表面貼裝（SMD）chip型號，ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線（Microstrip）封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝（Flip-Chip）技術產品。這種靈活性允許工程師根據電路的頻率、...

ＡＴＣ芯片電容的多層陶瓷結構設計使其具備高電容密度，在小型封裝中實現了較大的容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）。這種高密度設計滿足了現代電子產品對元件小型化和高性能的雙重需求，特別是在空間受限的應用中。其優異的頻率響應特性使得ＡＴＣ芯片電容在高頻電路中能夠保持穩定容值，避免了因頻率變化導致的性能衰減。這一特性在射頻匹配網絡和天線調諧電路中尤為重要，確保了信號傳輸的效率和準確性。ＡＴＣ芯片電容的封裝形式多樣，包括貼片式、插入式、軸向和徑向等，滿足了不同電路設計和安裝需求。例如，其微帶封裝和軸向引線封裝適用于高頻模塊和定制化電路設計，提供了靈活的選擇。直流偏壓特性穩定，容值變化率小于5%，保證電...

在脈沖應用場景中，ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯電阻，可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌，為激光驅動器、雷達調制器和電磁發射裝置提供穩定的能量存儲和釋放功能。其介質材料具有極低的電介質吸收率（通常低于0.1%），在采樣保持電路、積分器和精密模擬計算電路中可明顯減小誤差，提高系統精度，適用于高級測試儀器和醫療成像設備。通過優化內部結構和電極布局，ATC電容在高頻段的Q值（品質因數）極高，特別適用于低相位噪聲振蕩器、高頻濾波器和諧振電路，有助于提升通信系統的頻率穩定性和信號純度。容值老化率極低，十年變化小于1%，確保長期使用穩定性。800B1R9BT500XTＡＴＣ芯片電容的無壓電效應特性消...

在物聯網設備中，ＡＴＣ芯片電容的小尺寸和低功耗特性促進了設備微型化和能效優化，支持了物聯網技術的發展。其高頻率穩定性（可達ＧＨｚ級別）使得ＡＴＣ芯片電容在５Ｇ／６Ｇ通信和毫米波電路中成為關鍵元件，確保了高頻信號的完整性。ＡＴＣ芯片電容的低成本效益（通過高可靠性和長壽命降低總擁有成本）使其在工業大批量應用中具有經濟性，受到了寬泛歡迎。在高性能計算（ＨＰＣ）中，ＡＴＣ芯片電容的電源去耦特性確保了ＣＰＵ／ＧＰＵ的穩定供電，提高了計算效率和可靠性。在阻抗匹配網絡中提供精確的容值控制，優化功率傳輸。CDR14BG201DJSM雖然單顆ATC100B系列電容價格是普通電容的8-10倍（2023年市場報價$...

其高容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆蓋了從高頻信號處理到電源管理的多種應用，提供了寬泛的設計靈活性。ＡＴＣ芯片電容的自諧振頻率高，避免了在高頻應用中的容值衰減，確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領域，ＡＴＣ芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動，確保了關鍵系統的可靠運行，滿足了和航天標準的要求。其優化電極設計降低了寄生參數，提高了高頻性能，使得ＡＴＣ芯片電容在高速數字電路和高頻模擬電路中表現很好。損耗角正切值低至0.1%，特別適合高Q值諧振電路和濾波應用。700C4R3BW2500X在高頻特性方面，AＴＣ的芯片電容表現出色，具有極低的等效串聯電阻（ＥＳＲ）和等效串聯電感（ＥＳＬ）...

很好的高溫存儲和操作壽命性能使得ATC電容能夠應對嚴酷的環境。其產品可在+250°C的高溫環境下持續工作數千小時，而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統汽車和航空航天，更在深井鉆探、地熱發電等超高溫工業應用以及新一代高溫電子產品中，成為不可多得的關鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩定的介質結構和優異的絕緣性能。其介質內部幾乎不存在會隨機產生電荷陷阱和釋放的缺陷，因此其產生的1/f噪聲和爆米花噪聲（PopcornNoise）水平極低。在低噪聲放大器（LNA）、高精度傳感器信號調理電路和微弱信號檢測設備的前端，使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲，保證系統能夠提取出...

ＡＴＣ芯片電容的耐壓能力非常突出，能夠承受較高的工作電壓（如２００ＶＤＣ或更高），確保電路的安全運行。其介質材料和結構設計經過優化，提供了高擊穿電壓和低泄漏電流，避免了在高電壓應用中的失效風險。這種高耐壓特性使得它在電源管理、工業控制和汽車電子等領域中成為理想選擇，尤其是在需要高可靠性和安全性的場景中。溫度穩定性是ＡＴＣ芯片電容的關鍵優勢之一。其采用的材料和工藝確保了在寬溫范圍內（如－５５℃至＋１２５℃）容值變化極小，例如Ｃ０Ｇ／ＮＰ０介質的電容溫度系數可低至±３０ｐｐｍ／℃。這種特性使得它在極端環境（如汽車發動機艙或航空航天設備）中仍能保持穩定性能，避免了因溫度波動導致的電路故障通過MIL-...

在抗老化性能方面，ATC電容的容值隨時間變化率極低，十年老化率可控制在1%以內。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎設施、醫療成像設備等要求高可靠性和長期穩定性的領域。其極低的噪聲特性源于介質材料的均勻結構和優化的電極界面設計，在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號調理電路中表現出色，有助于提高系統的信噪比和測量精度。具備優異的抗硫化性能，采用特殊端電極材料和保護涂層，可有效抵御含硫環境對電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設備、油氣勘探儀器及某些特殊工業環境中的電子系統。高達數千伏的額定電壓范圍，確保在高壓應用中具備出色的絕緣可靠性。CDR14BG300EJS...

ATC芯片電容采用的鈦酸鍶鋇(BST)陶瓷配方，通過納米級晶界工程實現了介電常數的溫度補償特性。在40GHz毫米波頻段下仍能保持±2%容值偏差，這一指標達到國際電信聯盟(ITU)對6G候選頻段的元件要求。例如在衛控陣雷達中，其群延遲波動小于0.1ps（相當于信號傳輸路徑差0.03mm），相較普通MLCC的5%容差優勢明顯。NASA的LEO環境測試數據顯示，在-65℃至+125℃的極端溫度循環中，其介電損耗角正切值(tanδ)始終維持在0.0001以下，這一特性使其成為深空探測器電源管理模塊的優先元件。日本Murata的對比實驗表明，在28GHz5G基站場景下，ATC電容的諧波失真比傳統元件降低...

高自諧振頻率（SRF）是ATC電容適用于現代高速電路的前提。由于其極低的寄生電感，其SRF可達數十GHz。這意味著在當今主流的高速數字和射頻電路工作頻段內，ATC電容仍然表現為一個純電容，發揮著預期的去耦、濾波作用，而不會因進入感性區域而失效，這是普通電容無法做到的。航空航天與應用要求元件能承受極端的環境應力，包括寬溫范圍（-55°C至+125°C及以上）、度振動、沖擊、真空輻射環境等。ATC芯片電容的設計和測試標準源自需求，其產品在此類極端條件下表現出的堅固性和性能穩定性，是雷達系統、衛星通信、導航設備和飛行控制系統中受信賴的元件之一。通過MIL-STD-883加速度測試，在20000g沖擊...

在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優異，即使在連續波或脈沖功率應用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發生器和工業加熱系統。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時極大節省了PCB空間，為可穿戴設備、微型傳感器節點及高密度系統級封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產品符合AEC-Q200車規標準，可承受1000小時以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環試驗，完全滿足汽車電子對元器件的嚴苛可靠性要求，廣泛應用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統。在脈沖應用場景中，ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯電阻，可...

ＡＴＣ芯片電容的可靠性經過嚴格測試和驗證，包括壽命測試、熱沖擊、防潮性等多項環境試驗。例如，其可承受ＭＩＬ－ＳＴＤ－２０２方法１０７的熱沖擊試驗和方法１０６的防潮試驗，確保了在惡劣環境下的長期穩定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫療設備等關鍵領域中得到廣泛應用。在電源管理應用中，ＡＴＣ芯片電容的低ＥＳＲ特性顯著提高了電源濾波和去耦效果。其能夠有效抑制電源噪聲和紋波，提供穩定潔凈的電源輸出，適用于高性能處理器、ＡＩ加速器和數據中心電源分配網絡（ＰＤＮ）。例如，在ＡＩ服務器的ＰＤＮ設計中，這種電容確保了高功耗芯片的電源完整性，避免了因電壓波動導致的性能下降。脈沖放電特性很好，適合雷達系統能量存...

ATC電容憑借其極低的ESL和ESR，能在極寬的頻帶內（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開關噪聲（SSN），確保為芯片重點提供純凈、穩定的電壓。這對于防止系統時序錯誤、數據損壞和性能下降至關重要。ATC芯片電容實現了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數介質材料和增加疊層數量，其在單位體積內存儲的電荷量（電容值）很好提升。然而，與普通高介電常數材料往往溫度穩定性不同，ATC通過復雜的材料改性技術，在獲得高電容密度的同時，依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設計者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍，為空間受限的高性能應用提供了理想解決方案。...

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質與精密電極設計，在1MHz至10GHz頻段內保持穩定的容值，Q值高達10000以上。例如，100B系列在5GHz時ESR低至0.01Ω，有效減少信號衰減，適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率（SRF）可達數十GHz，遠超普通MLCC電容，確保高頻信號完整性，基于NPO/C0G介質材料，ATC電容在-55℃至+175℃范圍內容值漂移小于±0.3%，溫度系數（TCC）±30ppm/℃。在航天設備中，如衛星通信載荷的振蕩器電路，即便遭遇極端溫差，仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz，保障信號傳輸穩定性。綜合性能好，成為很好的電子系統設計的選擇元件。1...

ＡＴＣ芯片電容的多層陶瓷結構設計使其具備高電容密度，在小型封裝中實現了較大的容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）。這種高密度設計滿足了現代電子產品對元件小型化和高性能的雙重需求，特別是在空間受限的應用中。其優異的頻率響應特性使得ＡＴＣ芯片電容在高頻電路中能夠保持穩定容值，避免了因頻率變化導致的性能衰減。這一特性在射頻匹配網絡和天線調諧電路中尤為重要，確保了信號傳輸的效率和準確性。ＡＴＣ芯片電容的封裝形式多樣，包括貼片式、插入式、軸向和徑向等，滿足了不同電路設計和安裝需求。例如，其微帶封裝和軸向引線封裝適用于高頻模塊和定制化電路設計，提供了靈活的選擇。寬頻帶內保持穩定容值特性，適合寬帶射頻系統應...