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  • 116SG620M100TT
    116SG620M100TT

    在現代高速電路設計中,憑借經驗或簡單計算已無法設計出有效的超寬帶退耦網絡。必須借助先進的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導入實際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網絡(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優化電容的數量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發周期,降低風險。它能夠有效抑制電磁干擾(EMI),提升產品合規性。116SG620M100TT系統級封裝(SiP)是...

  • 116REC5R6M100TT
    116REC5R6M100TT

    航空航天與電子系統對超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環境適應性的要求。這些系統工作環境惡劣,包括巨大的溫度變化(-55℃至+125℃甚至更寬)、度振動、沖擊以及宇宙射線輻射。電容器必須采用高可靠性設計、特種介質材料和堅固封裝,確保性能在壽命期內絕不漂移或失效。同時,許多應用(如電子戰(EW)、雷達、衛星通信)需要處理極寬頻帶的信號,要求電容具備從基帶到毫米波的超寬帶性能。此類電容通常需遵循MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標準,經過嚴格的篩選和資格認證測試,以確保在關鍵的任務中萬無一失。通過創新設計極大降低等效串聯電感(ESL)和電阻(ESR)。116REC5R6M100TT...

  • 116TCC1R6C100TT
    116TCC1R6C100TT

    超寬帶電容,盡管多是固態的MLCC,仍需經過嚴格的可靠性測試以確保其長期穩定性。關鍵測試包括:高溫高濕負荷測試(HAST)、溫度循環測試(TCT)、高溫壽命測試(HTOL)、機械沖擊和振動測試等。失效模式包括陶瓷介質開裂(機械應力導致)、電極遷移(高溫高濕下)、性能退化等。通過加速壽命測試數據,可以建立模型來預測電容在正常工作條件下的壽命和失效率(FIT)。高可靠性的超寬帶電容是通信基礎設施、汽車和航空航天等領域應用的基石,其可靠性是系統級可靠性的前提。在醫療成像設備(如MRI)中要求極低的噪聲和失真。116TCC1R6C100TT 材料科學與技術創新。超寬帶電容的重心突破在于材料科學的創新...

  • 111TBB0R5B100TT
    111TBB0R5B100TT

    在現代高速電路設計中,憑借經驗或簡單計算已無法設計出有效的超寬帶退耦網絡。必須借助先進的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導入實際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網絡(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優化電容的數量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發周期,降低風險。嵌入式電容技術將電容埋入PCB板層,徹底消除安裝電感。111TBB0R5B100TT全球主要的被動元...

  • 118FHC8R2M100TT
    118FHC8R2M100TT

    5G通信系統中的關鍵作用5G技術推動了對超寬帶電容的需求激增。在 Massive MIMO 天線系統中,每個天線單元都需要的射頻通道,超寬帶電容用于天線調諧、阻抗匹配和信號耦合。毫米波頻段的應用尤其挑戰性,要求電容在28/39GHz等頻段保持穩定性能。新型超寬帶電容采用低溫共燒陶瓷技術,實現精確的尺寸控制和優異的高頻特性。在5G基站設備中,這些電容還用于功率放大器的輸出匹配網絡,幫助提高能效和線性度。 航空航天與應用航空航天和領域對電子元件的可靠性和性能有極端要求。超寬帶電容在這些應用中用于雷達系統、電子戰設備和衛星通信系統。特殊的設計使其能夠承受極端溫度變化、劇烈振動和度輻射環境。...

  • 111TEC160K100TT
    111TEC160K100TT

    在現代高速電路設計中,憑借經驗或簡單計算已無法設計出有效的超寬帶退耦網絡。必須借助先進的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導入實際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網絡(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優化電容的數量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發周期,降低風險。它是應對電子系統時鐘速度不斷提升的關鍵組件。111TEC160K100TT全球主要的被動元件供應商(...

  • 116SDB1R6D100TT
    116SDB1R6D100TT

    全球主要的被動元件供應商(如Murata, TDK, Samsung Electro-Mechanics, Taiyo Yuden, AVX)都提供豐富的超寬帶電容產品線。選型時需綜合考慮:一是頻率范圍和要求阻抗,確定需要的容值和SRF;二是介質材料類型(COG vs. X7R),根據對穩定性、容差和溫度系數的要求選擇;三是直流偏壓特性,確保在工作電壓下容值滿足要求;四是封裝尺寸和高度,符合PCB空間限制;五是可靠性等級,是否滿足車規、工規或軍規要求;六是成本與供貨情況。通常需要仔細研讀各家的數據手冊并進行實際測試驗證。為FPGA和ASIC芯片內部不同電壓域提供高效退耦。116SDB1R6D1...

  • 116THC4R3M100TT
    116THC4R3M100TT

    單一電容器無法在超寬頻帶內始終保持低阻抗。因此,在實際電路中,需要構建一個由多個不同容值電容器組成的退耦網絡。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負責濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF)或電解電容負責濾除低頻紋波和提供電荷儲備。這些電容并聯后,它們的阻抗曲線相互疊加,從而在從低頻到極高頻的整個范圍內形成一條平坦的低阻抗路徑。PCB上的電源分配網絡(PDN)設計就是基于此原理,通過精心選擇不同容值、不同封裝的電容并合理布局,來實現超寬帶的低阻抗目標,確保電源完整性。是5G基站、雷達等射頻微波電路中不可或缺的元件。116T...

  • 111UA0R5C100TT
    111UA0R5C100TT

    系統級封裝(SiP)是電子 miniaturization 的重要方向。在其中,嵌入式電容技術扮演了關鍵角色。該技術將電容介質材料(如聚合物-陶瓷復合材料)以薄膜形式直接沉積在SiP基板(如硅中介層、陶瓷基板、有機基板)的電源層和地層面之間,形成分布式的去耦電容。這種結構的比較大優勢是幾乎消除了所有封裝和安裝電感(ESL極低),提供了近乎理想的超寬帶去耦性能,同時極大節省了空間。這對于芯片間距極小、功耗巨大且噪聲敏感的2.5D/3D IC封裝(如HBM內存與GPU的集成)至關重要,是解決未來高性能計算電源完整性的終方案之一。為自動駕駛汽車的毫米波雷達提供清潔的電源環境。111UA0R5C100...

  • 118GHC100K100TT
    118GHC100K100TT

    高性能的測試與測量設備(如高級示波器、頻譜分析儀、網絡分析儀)本身就是對信號保真度要求比較高的電子系統。它們的模擬前端、采樣電路、時鐘系統和數據處理單元必須具有極低的噪聲和失真。超寬帶電容在這些設備中無處不在,用于穩定電源、過濾噪聲、耦合信號以及構建內部高頻電路。它們的性能直接影響到設備的基線噪聲、動態范圍、測量精度和帶寬指標??梢哉f,沒有高性能的超寬帶電容,就無法制造出能夠精確測量GHz信號的前列測試設備。PCB布局需優化,過孔和走線會引入額外安裝電感。118GHC100K100TT 可靠性工程與質量控制超寬帶電容的可靠性通過多重措施保證。加速壽命測試在高溫高壓條件下進行,驗證產品的長期穩...

  • 116RJ5R6M100TT
    116RJ5R6M100TT

    超寬帶電容并非指單一類型的電容器,而是一種設計理念和技術追求,旨在讓單個電容器或電容網絡在極其寬廣的頻率范圍內(通常從幾Hz或幾十Hz的低頻一直覆蓋到數GHz甚至數十GHz的高頻)保持穩定、一致且優異的性能。其重心價值在于解決現代復雜電子系統,尤其是高頻和高速系統中,傳統電容器因寄生參數(如ESL-等效串聯電感和ESR-等效串聯電阻)影響而導致的頻域性能急劇退化問題。它通過創新的材料學、結構設計和封裝技術,比較大限度地壓制寄生效應,確保從直流到微波頻段的低阻抗特性,為高速集成電路、射頻模塊和微波設備提供跨越多個數量級頻段的純凈能量供應和高效噪聲抑制。在高速內存(如DDR5)系統中保障數據傳輸穩...

  • 111SJ110M100TT
    111SJ110M100TT

    微波電路應用在微波領域,超寬帶電容發揮著關鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調諧電容廣泛應用于雷達系統、衛星通信設備和微波收發模塊中。在這些應用中,電容器需要處理GHz頻率的信號,傳統電容由于寄生參數的影響會導致信號失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結構設計,采用共面電極和分布式電容結構,比較大限度地減少了寄生效應。例如在微波功率放大器中,超寬帶電容用作偏置網絡的一部分,能夠有效隔離直流同時為射頻信號提供低阻抗通路。符合RoHS等環保指令,滿足全球市場準入要求。111SJ110M100TT高性能的測試與測量設備(如高級示波器、頻譜分析儀、網絡分析儀)本身就是對信號保真度要求比較高的電子系統。它...

  • 116UEA270M100TT
    116UEA270M100TT

    醫療電子設備應用在醫療電子領域,超寬帶電容主要用于高級成像設備和診斷儀器。MRI核磁共振系統需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質量。醫療應用的超寬帶電容還采用生物兼容性材料和特殊封裝,滿足嚴格的醫療安全標準。這些電容幫助醫療設備實現更高的分辨率和更準確的診斷結果。 汽車電子創新應用現代汽車電子系統日益復雜,超寬帶電容在高級駕駛輔助系統、車載雷達和車載信息娛樂系統中發揮重要作用。77GHz汽車雷達系統使用超寬帶電容進行信號處理和天線調諧。電動汽車的動力系統中,超寬帶電容用于電池...

  • 118HBB1R6C100TT
    118HBB1R6C100TT

    單一電容器無法在超寬頻帶內始終保持低阻抗。因此,在實際電路中,需要構建一個由多個不同容值電容器組成的退耦網絡。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負責濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF)或電解電容負責濾除低頻紋波和提供電荷儲備。這些電容并聯后,它們的阻抗曲線相互疊加,從而在從低頻到極高頻的整個范圍內形成一條平坦的低阻抗路徑。PCB上的電源分配網絡(PDN)設計就是基于此原理,通過精心選擇不同容值、不同封裝的電容并合理布局,來實現超寬帶的低阻抗目標,確保電源完整性。通過創新設計極大降低等效串聯電感(ESL)和電阻(ESR...

  • 118JG331M100TT
    118JG331M100TT

    醫療電子設備應用在醫療電子領域,超寬帶電容主要用于高級成像設備和診斷儀器。MRI核磁共振系統需要電容器在高壓和高頻條件下工作,超寬帶電容提供穩定的性能和極高的可靠性。在超聲成像設備中,用于探頭和信號處理電路的電容需要寬頻帶特性以確保圖像質量。醫療應用的超寬帶電容還采用生物兼容性材料和特殊封裝,滿足嚴格的醫療安全標準。這些電容幫助醫療設備實現更高的分辨率和更準確的診斷結果。 汽車電子創新應用現代汽車電子系統日益復雜,超寬帶電容在高級駕駛輔助系統、車載雷達和車載信息娛樂系統中發揮重要作用。77GHz汽車雷達系統使用超寬帶電容進行信號處理和天線調諧。電動汽車的動力系統中,超寬帶電容用于電池...

  • 113JGA510M100TT
    113JGA510M100TT

    現代汽車電子,特別是自動駕駛系統和ADAS(高級駕駛輔助系統),高度依賴各種傳感器(攝像頭、激光雷達、毫米波雷達)和高速數據處理單元。車載毫米波雷達工作在24GHz和77GHz頻段,其射頻前端需要超寬帶電容進行退耦和隔直,以確保探測精度和距離分辨率。域控制器和高速網關對數據處理能力要求極高,需要超寬帶退耦技術來保障處理器和存儲器的穩定運行。此外,汽車電子對元器件的壽命、可靠性、耐溫性和抗振動性要求極高,車規級AEC-Q200認證的超寬帶電容成為不可或缺的重心組件。小型化封裝(如0201)固有電感更低,高頻性能更優異。113JGA510M100TT實現超寬帶性能面臨著多重嚴峻的技術挑戰。首要挑戰...

  • 111TGA910M100TT
    111TGA910M100TT

    在射頻和微波系統中,超寬帶電容的應用至關重要且多樣。它們用于RF模塊的電源退耦,防止功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、混頻器和頻率合成器的噪聲通過電源線相互串擾,確保信號純凈度和系統靈敏度。它們也作為隔直電容(DC Block),在傳輸線中阻斷直流分量同時允許射頻信號無損通過,要求極低的插入損耗和優異的回波損耗(即良好的阻抗匹配)。此外,在阻抗匹配網絡、濾波器、巴倫(Balun)等無源電路中,高Q值、高穩定性的COG電容是確保電路性能(如帶寬、中心頻率、插損)精確無誤的關鍵元件,廣泛應用于5G基站、衛星通信、雷達等設備中。工作溫度范圍寬廣,能滿足工業及汽車電子的需求。111TGA91...

  • 111UEC360K100TT
    111UEC360K100TT

    現代汽車電子,特別是自動駕駛系統和ADAS(高級駕駛輔助系統),高度依賴各種傳感器(攝像頭、激光雷達、毫米波雷達)和高速數據處理單元。車載毫米波雷達工作在24GHz和77GHz頻段,其射頻前端需要超寬帶電容進行退耦和隔直,以確保探測精度和距離分辨率。域控制器和高速網關對數據處理能力要求極高,需要超寬帶退耦技術來保障處理器和存儲器的穩定運行。此外,汽車電子對元器件的壽命、可靠性、耐溫性和抗振動性要求極高,車規級AEC-Q200認證的超寬帶電容成為不可或缺的重心組件。在醫療成像設備(如MRI)中要求極低的噪聲和失真。111UEC360K100TT低ESL設計是超寬帶電容技術的重中之重。結構創新包括...

  • 116TJ150K100TT
    116TJ150K100TT

    設計完成后,必須對實際的PCB進行測量驗證。矢量網絡分析儀(VNA)是測量電容器及其網絡阻抗特性的關鍵工具。通過單端口測量,可以獲取電容器的S11參數,并將其轉換為阻抗隨頻率變化的曲線(Zvs.f),從而直觀地看到其自諧振頻率、小阻抗點以及在高頻下的表現。對于在板PDN阻抗的測量,則通常使用雙端口方法。這些實測數據用于與仿真結果進行對比,驗證設計的正確性,并診斷任何由制造或安裝引入的異常。而已普及到高級消費電子產品中。高級智能手機的5G/4G射頻前端模塊(FEM)、應用處理器(AP)和內存的電源管理,都極度依賴大量的超小型超寬帶MLCC。手機的有限空間和極高的工作頻率,要求電容必須兼具微小尺寸...

  • 118JEC560K100TT
    118JEC560K100TT

    自諧振頻率(SRF)是衡量電容器有效工作頻率上限的重心指標。對于超寬帶應用,必須要求電容器的SRF遠高于系統的工作頻率,否則其電感特性將無法有效抑制高頻噪聲。提升SRF的策略主要圍繞降低ESL和減小電容值。根據fSRF = 1/(2π√(LC)),減小L或C都能提高fSRF。因此,超寬帶電容常采用以下方法:一是優化內部結構和端電極設計以小化ESL;二是使用小尺寸封裝(如0201比0805的ESL小得多);三是對于極高頻率的退耦,會故意選用較小容值的電容(如100pF, 1nF),因為其SRF更高,專門用于濾除特定高頻噪聲,與較大容值的電容配合使用以覆蓋全頻段,形成協同效應。汽車電子系統依賴其保...

  • 111ZJ390K100TT
    111ZJ390K100TT

    介質材料的選擇直接決定了電容器的基本頻率和溫度特性。Class I類材料,如COG(NPO)特性,具有比較高的穩定性:其介電常數隨溫度、頻率和電壓的變化微乎其微,損耗角正切(tanδ)極低,非常適合用于要求高Q值、低損耗和超穩定性的超寬帶高頻電路、諧振器和濾波器中。但其相對介電常數較低,因此難以在小體積內實現高容值。Class II類材料,如X7R、X5R特性,具有高介電常數,能在小尺寸下實現高容值,常用于電源退耦和通用濾波。但其容值會隨溫度、頻率和直流偏壓明顯變化,損耗也較高,在高頻高性能應用中受限。超寬帶應用會根據具體頻段和功能需求混合使用這兩類材料。通過嚴格的溫度循環、壽命測試等可靠性驗...

  • 111SEC7R5M100TT
    111SEC7R5M100TT

    可靠性工程與質量控制超寬帶電容的可靠性通過多重措施保證。加速壽命測試在高溫高壓條件下進行,驗證產品的長期穩定性。溫度循環測試驗證產品在-55℃到+125℃范圍內的性能一致性。采用掃描聲學顯微鏡檢查內部結構完整性,X射線檢測確保層間對齊精度。每個生產批次都進行抽樣測試,包括高溫負載壽命測試、可焊性測試和機械強度測試。這些嚴格的質量控制措施確保超寬帶電容在各種惡劣環境下都能可靠工作。 未來發展趨勢超寬帶電容技術繼續向更高頻率、更小尺寸和更好性能發展。新材料如氮化鋁和氧化鉭正在研究應用中,有望提供更高的介電常數和更低的損耗。三維集成技術將多個電容集成在單一封裝內,提供更優的電氣性能和空間利...

  • 111ZCC510D100TT
    111ZCC510D100TT

    即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來自電容焊盤到電源/地平面之間的過孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個緊鄰的、低電感的過孔(via)將電容的兩個端直接連接到近的電源層和地層;三是采用對稱的布局設計。對于比較高頻的應用,甚至需要采用嵌入式電容技術,將電容介質材料直接制作在PCB的電源-地平面之間,實現近乎理想的平板電容結構,將寄生電感降至幾乎為零,這是實現超寬帶性能在系統級上的手段之一。通過嚴格的溫度循環、壽命測試等可靠性驗證。111ZCC510D100TT實現...

  • 111YJ151J100TT
    111YJ151J100TT

    與傳統電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達GHz級別。此外,MLCC沒有極性,更安全(無?電容的燃爆風險),壽命更長(無電解液干涸問題),溫度范圍更寬。當然,電解電容在單位體積容量和成本上仍有優勢,因此在實際系統中,它們常與超寬帶MLCC搭配使用,分別負責低頻和高頻部分。PCB布局需優化,過孔和走線會引入額外安裝電感。111YJ151J100TT現代汽車電子,特別是自動駕駛系統和ADAS(高級駕駛輔助...

  • 111TDA2R4K100TT
    111TDA2R4K100TT

    微波電路應用在微波領域,超寬帶電容發揮著關鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調諧電容廣泛應用于雷達系統、衛星通信設備和微波收發模塊中。在這些應用中,電容器需要處理GHz頻率的信號,傳統電容由于寄生參數的影響會導致信號失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結構設計,采用共面電極和分布式電容結構,比較大限度地減少了寄生效應。例如在微波功率放大器中,超寬帶電容用作偏置網絡的一部分,能夠有效隔離直流同時為射頻信號提供低阻抗通路。需關注其直流偏壓特性,尤其在低電壓大電流應用中。111TDA2R4K100TT 超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(通常從幾Hz到數十GHz)...

  • 111UEA330M100TT
    111UEA330M100TT

    超寬帶電容,盡管多是固態的MLCC,仍需經過嚴格的可靠性測試以確保其長期穩定性。關鍵測試包括:高溫高濕負荷測試(HAST)、溫度循環測試(TCT)、高溫壽命測試(HTOL)、機械沖擊和振動測試等。失效模式包括陶瓷介質開裂(機械應力導致)、電極遷移(高溫高濕下)、性能退化等。通過加速壽命測試數據,可以建立模型來預測電容在正常工作條件下的壽命和失效率(FIT)。高可靠性的超寬帶電容是通信基礎設施、汽車和航空航天等領域應用的基石,其可靠性是系統級可靠性的前提。在光模塊中用于高速驅動電路的電源濾波和信號耦合。111UEA330M100TT與傳統電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒...

  • 111XF241J100TT
    111XF241J100TT

    低ESL設計是超寬帶電容技術的重中之重。結構創新包括采用多端電極設計,如三端電容或帶翼電極電容,將傳統的兩端子“進-出”電流路徑,改為“穿心”式或更低回路的路徑,從而抵消磁場、減小凈電感。內部電極采用交錯堆疊和優化布局,盡可能縮短內部電流通路。在端電極方面,摒棄傳統的 wire-bond 或長引線,采用先進的倒裝芯片(Flip-Chip)或landing pad技術,使電容能以短的路徑直接貼裝在PCB的電源-地平面之間,比較大限度地減少由封裝和安裝引入的額外電感。這些結構上的精妙設計是達成皮亨利(pH)級別很低ESL的關鍵,是實現超寬帶性能的物理基礎。PCB布局需優化,過孔和走線會引入額外安裝...

  • 118GGA201K100TT
    118GGA201K100TT

    微波電路應用在微波領域,超寬帶電容發揮著關鍵作用。作為耦合電容、旁路電容和調諧電容廣泛應用于雷達系統、衛星通信設備和微波收發模塊中。在這些應用中,電容器需要處理GHz頻率的信號,傳統電容由于寄生參數的影響會導致信號失真和效率下降。超寬帶電容通過精心的結構設計,采用共面電極和分布式電容結構,比較大限度地減少了寄生效應。例如在微波功率放大器中,超寬帶電容用作偏置網絡的一部分,能夠有效隔離直流同時為射頻信號提供低阻抗通路。它是應對電子系統時鐘速度不斷提升的關鍵組件。118GGA201K100TT介質材料的選擇直接決定了電容器的基本頻率和溫度特性。Class I類材料,如COG(NPO)特性,具有比較...

  • 113FHC4R7M100TT
    113FHC4R7M100TT

    即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來自電容焊盤到電源/地平面之間的過孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個緊鄰的、低電感的過孔(via)將電容的兩個端直接連接到近的電源層和地層;三是采用對稱的布局設計。對于比較高頻的應用,甚至需要采用嵌入式電容技術,將電容介質材料直接制作在PCB的電源-地平面之間,實現近乎理想的平板電容結構,將寄生電感降至幾乎為零,這是實現超寬帶性能在系統級上的手段之一。多層陶瓷(MLCC)技術是實現超寬帶特性的主流方案。113FHC4R7M10...

  • 111SEA5R6M100TT
    111SEA5R6M100TT

    封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦。然而,小型化也帶來了挑戰:更小的尺寸對制造精度、材料均勻性和貼裝工藝提出了更高要求;同時,容值通常較小。因此,在PCB設計中,通常采用“大小搭配”的策略,將超小封裝的電容盡可能靠近芯片的電源引腳放置,以應對比較高頻的噪聲,而稍大封裝的電容則負責稍低的頻段,共同構建一個從低頻到超高頻的全譜系退耦網絡。汽車電子系統依賴其保證ADAS傳感器數...

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