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  • DLC75P1R1BW251NT
    DLC75P1R1BW251NT

    Dalicap秉承 “重研發、重質量”的經營理念,建立了完善的質量管理體系,自主完成從關鍵材料研發、產品設計、工藝實現到設備保證和產品測試評估的全過程。公司率先在國內建立了全制程高Q電容器生產線,實現了研發、生產、銷售和服務的自主可控,可以根據客戶的不同需求提供工業級以及更高等級的產品。產品通過了嚴峻的環境可靠性測試,包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗,能夠承受高達20000g的機械沖擊和強烈的振動。這種“級”的品質,使其在關乎生命安全的醫療植入設備、關乎任務成敗的航天衛星以及惡劣的工業環境中,成為工程師們的優先。適用于服務器電源,提供穩定高效的輸出濾波。D...

  • DLC70B121JW102XT
    DLC70B121JW102XT

    Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣,從低壓幾伏特到高壓數千伏特,能滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW),保障了工業電機驅動和新能源汽車電控系統等高壓應用的安全。在微型化方面,Dalicap提供了0402(1.0mm x 0.5mm)、0201(0.6mm x 0.3mm)等超小尺寸封裝,滿足現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的很好追求。盡管體積微小,但其性能并未妥協,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。在能源管理系...

  • DLC70A560GW151NT
    DLC70A560GW151NT

    Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環境下的長期穩定性。這種封裝不僅提供了極高的機械強度和抗沖擊能力(可承受高達50G的機械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環境,延長了設備的使用壽命。應用領域與市場表現在5G通信基站領域,Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠為功耗數百瓦的AAU(有源天線單元)和BBU(基帶處理單元)提供瞬時的大電流響應,有效抑制電源噪聲和紋波,為高速SerDes和DSP芯片提供穩定潔凈的電源,是維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)的基石。在音頻設備中,提供純凈電源,有助于提升音質表現。DLC...

  • DLC75D3R0DW251NT
    DLC75D3R0DW251NT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求,為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL) 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構,其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放...

  • DLC70A431FW151NT
    DLC70A431FW151NT

    在阻抗匹配網絡中,Dalicap電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。其微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性,優化了天線駐波比和功放效率。Dalicap電容符合RoHS和REACH等環保法規,其生產流程綠色化,產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求,也體現了公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當。公司匯聚了來自三星、村田、ATC和英特爾等世界企業的技術人才,形成了強大的研發團隊。這種人才優勢為公司的持續創新和技術突破提供了不竭動力,奠定了其在行業中的地位。適用于高海拔等特殊環境,性能穩定不易失效。DLC70...

  • DLC70E102FW102XT
    DLC70E102FW102XT

    在阻抗匹配網絡中,Dalicap電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。其微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性,優化了天線駐波比和功放效率。Dalicap電容符合RoHS和REACH等環保法規,其生產流程綠色化,產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求,也體現了公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當。公司匯聚了來自三星、村田、ATC和英特爾等世界企業的技術人才,形成了強大的研發團隊。這種人才優勢為公司的持續創新和技術突破提供了不竭動力,奠定了其在行業中的地位。全球多個市場設有服務網點,支持便捷高效。DLC70E...

  • DLC75B301GW201XT
    DLC75B301GW201XT

    作為醫療影像設備(如MRI核磁共振) 的重心供應商,其產品的高可靠性、高穩定性和生物兼容性得到了GE醫療、西門子醫療、聯影醫療等全球巨頭的認可。在千萬級別的設備中,電容器的成本占比雖小,但其品質直接決定了整個設備的成像質量和運行穩定性,一旦失效將導致巨大的維護成本和停機損失。在航空航天與領域,Dalicap產品能夠承受極端溫度、輻射和劇烈振動,滿足MIL-PRF-55681等嚴格標準。其產品應用于雷達系統的脈沖形成網絡、衛星通信的射頻前端以及飛行控制系統中,承擔著儲能、濾波和信號處理的關鍵任務,確保了關鍵系統的可靠運行。它專注于鋁電解電容的研發與制造,產品應用寬泛,品質出眾。DLC75B301...

  • DLC75B391FW201XT
    DLC75B391FW201XT

    通過半導體級的精密制造工藝,Dalicap實現了對介質層厚度和電極結構的納米級控制。其介質薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言,確保了系統性能的均一與穩定,減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產品的另一亮點。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩健的耐壓性能,使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中,成為保障系統安全、防止...

  • DLC75P180FW251NT
    DLC75P180FW251NT

    工業環境往往伴隨著高溫、高濕及強烈的電磁干擾,這對電子元件的可靠性提出了很好要求。Dalicap電容憑借其優異的溫度穩定性和長壽命特性,成為PLC(可編程邏輯控制器)、伺服驅動器、工業電源等設備中不可或缺的組件。它們主要用于電源濾波、能量緩沖和信號耦合,能有效平滑電壓波動,抑制噪聲,確保控制信號的精確傳輸和執行機構的穩定運行。其 robust 的設計保證了即使在7x24小時不間斷運行的惡劣條件下,也能比較大限度地減少故障率,保障生產線的連續與安全。為家用電器提供安全、穩定、長壽命的電容解決方案。DLC75P180FW251NT對于工業激光器與半導體設備,Dalicap電容的高功率處理能力、高耐...

  • DLC70C911JW102XT
    DLC70C911JW102XT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過精密的摻雜和燒結工藝,形成了極其穩定的晶體結構。這種材料基礎賦予了電容極高的介電常數和很低的介質損耗,使其在高頻環境下仍能保持穩定的容值表現。其介質配方完全自主可控,避免了國內外材料供應鏈波動的風險,為國產化替代提供了堅實的材料基礎,確保了產品批次間的高度一致性。在射頻微波應用中,Dalicap電容展現出極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL)。其三維多層電極設計優化了電流路徑,將寄生參數降至比較低,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中,能有效降低信號傳輸的插入損耗和能量反射,保證信號完整性...

  • DLC70C0R9CW252XT
    DLC70C0R9CW252XT

    Dalicap電容展現出很好的容值穩定性,其采用的C0G(NP0)介質材料具有極低的溫度系數(TCC),典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內,容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數定律,每十年變化小于1%,表現出驚人的長期穩定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業控制和基礎設施應用尤為重要。高Q值(品質因數)特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數千量級,遠高于普通MLCC,這使得由其構建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應用中,高Q值確保了信號的高純凈度和頻...

  • DLC75P1R7CW251NT
    DLC75P1R7CW251NT

    在高級音頻設備中,電容的選擇直接影響音質表現。Dalicap電容雖然以鋁電解電容見長,但其在音頻電路電源濾波部分的應用同樣關鍵。低ESR特性有助于提供充沛且純凈的電流,低漏電流保證了信號的準確還原,而良好的頻率特性則有助于展現音樂的細節和動態。設計師會精心挑選不同系列的Dalicap電容,用于前置放大器、功率放大器等不同部位,以追求更低的底噪和更出色的聽感。在PFC電路中,電容器主要用于緩沖和存儲能量,幫助整形輸入電流波形,使其與電壓波形同相,從而提高功率因數,減少對電網的諧波污染。Dalicap為此應用開發的電容,具有高耐壓、高紋波電流、高可靠性等特點,能承受PFC電路中的高頻(通常幾十kH...

  • DLC75B0R8AW501XT
    DLC75B0R8AW501XT

    在高頻開關電源中的應用現關電源朝著高頻化、高效率發展,這對輸出濾波電容提出了嚴峻挑戰。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯電感),能夠有效應對數百kHz甚至MHz級的開關頻率。它們能快速響應負載的瞬態變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰,確保電源輸出的穩定性和潔凈度。無論是服務器電源、通信電源還是PC主板上的VRM(電壓調節模塊),Dalicap電容都是提升整體電源模組效率和功率密度的關鍵所在。在光伏逆變器中,電容器扮演著DC-Link支撐、濾波和能量緩沖的重心角色。Dalicap為新能源應用開發的電容,具有高耐壓、高紋波電流承受能力、很好的溫度特性及長壽命。它們必須承...

  • DLC70B4R3CW501XT
    DLC70B4R3CW501XT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求,為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL) 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構,其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放...

  • DLC75D1R2CW251NT
    DLC75D1R2CW251NT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求,為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL) 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構,其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放...

  • DLC75D560GW251NT
    DLC75D560GW251NT

    Dalicap電容的微型化能力突出,其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現代消費電子、可穿戴設備及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的追求,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。產品具有很好的抗老化特性,其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律,確保了設備在十年甚至二十年的使用壽命內關鍵電路參數的穩定。完全無壓電效應的特性使其區別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲,適合高保真音頻應用。交期穩定,能夠滿足客戶...

  • DLC75D180JW251NT
    DLC75D180JW251NT

    Dalicap電容表現出的高溫性能。其特種陶瓷介質和電極系統能夠承受高達+200°C甚至+250°C的持續工作溫度,而容值漂移和絕緣電阻仍保持在優異水平。這使得它們能夠被直接安裝在汽車發動機控制單元(ECU)、渦輪增壓器附近等高溫區域,無需復雜的冷卻系統,簡化了設計并提高了系統的整體可靠性。極低的電介質吸收(Dielectric Absorption, DA) 特性使其在精密模擬電路中表現出色。DA效應猶如電容的“記憶效應”,會在快速充放電后產生殘余電壓。Dalicap電容的DA典型值可低至0.1%,遠低于普通陶瓷電容,這使其成為構建高精度采樣保持電路(SHA)、積分器和精密ADC/DAC的理...

  • DLC70C100GW252XT
    DLC70C100GW252XT

    Dalicap秉承 “重研發、重質量”的經營理念,建立了完善的質量管理體系,自主完成從關鍵材料研發、產品設計、工藝實現到設備保證和產品測試評估的全過程。公司率先在國內建立了全制程高Q電容器生產線,實現了研發、生產、銷售和服務的自主可控,可以根據客戶的不同需求提供工業級以及更高等級的產品。產品通過了嚴峻的環境可靠性測試,包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗,能夠承受高達20000g的機械沖擊和強烈的振動。這種“級”的品質,使其在關乎生命安全的醫療植入設備、關乎任務成敗的航天衛星以及惡劣的工業環境中,成為工程師們的優先。廣泛應用于UPS不同斷電源中,提供能量儲備。...

  • DLC75P560JW251NT
    DLC75P560JW251NT

    公司產品遠銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家,服務千余家客戶,成為西門子醫療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫療、三星等全球有名企業的很好供應商。這體現了其產品品質得到了國際市場的寬泛認可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現出高Q值(品質因數)特性,通常在數千量級。這使得由其構建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力,振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩定性,提升了系統整體性能。公司投入大量資源進行研發創新,其高Q值、射頻微波多層瓷介電容器項目獲第七屆中國創新創業大賽全國總決賽電子信息行業成長組一等獎,高Q/高功率型多層片式瓷介電容器關鍵技術開發與產業化項目獲遼寧省...

  • DLC70A6R8DW151NT
    DLC70A6R8DW151NT

    在阻抗匹配網絡中,Dalicap電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。其微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性,優化了天線駐波比和功放效率。Dalicap電容符合RoHS和REACH等環保法規,其生產流程綠色化,產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求,也體現了公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當。公司匯聚了來自三星、村田、ATC和英特爾等世界企業的技術人才,形成了強大的研發團隊。這種人才優勢為公司的持續創新和技術突破提供了不竭動力,奠定了其在行業中的地位。高性價比使其成為眾多廠商的頭部電容品牌之一。DLC7...

  • DLC70A621FW151NT
    DLC70A621FW151NT

    Dalicap電容通過了很全的可靠性測試,包括MIL-STD-202等標準下的溫度循環、機械沖擊、振動、耐濕等測試。其產品符合AEC-Q200汽車電子標準,能夠承受汽車環境的嚴苛要求,如高溫、高濕和振動,適用于發動機ECU電源濾波、車載信息娛樂系統和ADAS等領域。在電源分配網絡(PDN)中,Dalicap電容的低阻抗特性發揮了關鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關噪聲(SSN),為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩定的電壓,防止系統時序錯誤和數據損壞。品牌信譽卓著,是工程師和采購商信賴的合作伙伴。D...

  • DLC70B0R3AW501XT
    DLC70B0R3AW501XT

    面對蓬勃發展的物聯網(IoT)和邊緣計算,Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節點和通信模塊節省了寶貴空間,低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命,而高穩定性則確保了設備在各種環境下的長期可靠運行。創新研發與智能制造Dalicap始終堅持強大度的研發投入,至2019年累計投入已超5000萬元,并連續多年保持增長。通過深反應離子刻蝕(DRIE)、原子層沉積(ALD)等半導體前列工藝,實現了電容內部三維微結構的精確控制和超薄介質層的制備,構筑了堅實的技術壁壘。具備優異的高溫性能,可在105℃高溫下長時間穩定工作。DLC70B0R3AW501X...

  • DLC70A241GW151NT
    DLC70A241GW151NT

    Dalicap電容的微型化能力突出,其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現代消費電子、可穿戴設備及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的追求,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。產品具有很好的抗老化特性,其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律,確保了設備在十年甚至二十年的使用壽命內關鍵電路參數的穩定。完全無壓電效應的特性使其區別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲,適合高保真音頻應用。啟動速度快,能快速響應...

  • DLC70A1R7DW151NT
    DLC70A1R7DW151NT

    Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣,從低壓幾伏特到高壓數千伏特,能滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW),保障了工業電機驅動和新能源汽車電控系統等高壓應用的安全。在微型化方面,Dalicap提供了0402(1.0mm x 0.5mm)、0201(0.6mm x 0.3mm)等超小尺寸封裝,滿足現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的很好追求。盡管體積微小,但其性能并未妥協,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。專為光伏逆變...

  • DLC70P0R2AW251NT
    DLC70P0R2AW251NT

    Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣,從低壓幾伏特到高壓數千伏特,能滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW),保障了工業電機驅動和新能源汽車電控系統等高壓應用的安全。在微型化方面,Dalicap提供了0402(1.0mm x 0.5mm)、0201(0.6mm x 0.3mm)等超小尺寸封裝,滿足現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的很好追求。盡管體積微小,但其性能并未妥協,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。具備優異的高...

  • DLC75D8R2CW251NT
    DLC75D8R2CW251NT

    在脈沖形成網絡中,Dalicap電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達系統的需求。Dalicap電容的定制化能力強大,可根據客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數和封裝形式的產品。這種“量體裁衣”式的服務解決了客戶在前列產品研發中遇到的特種元件需求,加速了創新技術的商業化進程。通過深耕射頻微波MLCC行業,Dalicap產品型號和性能日臻完善,逐步實現對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產品領域的對標和覆蓋。2022年,其全...

  • DLC70E1R0BRR362X
    DLC70E1R0BRR362X

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求,為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL) 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構,其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放...

  • DLC70A0R9DW151NT
    DLC70A0R9DW151NT

    在光通信模塊(如400G/800G光收發器)中,Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦,抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩定的介電特性,確保了射頻驅動電路的性能,對于維持高信噪比和低誤碼率至關重要。Dalicap電容的無壓電效應特性徹底消除了傳統II類陶瓷電容因電壓變化產生的振動和嘯叫問題。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。持續的技術創新確保其產品性能處于行業頭部水平。DLC70A0R9DW151NTDalicap電容在軌道交通信號設備領域發揮著關鍵作用,其高可靠...

  • DLC70E362GW501XT
    DLC70E362GW501XT

    Dalicap電容的微型化能力突出,其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現代消費電子、可穿戴設備及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的追求,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。產品具有很好的抗老化特性,其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律,確保了設備在十年甚至二十年的使用壽命內關鍵電路參數的穩定。完全無壓電效應的特性使其區別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲,適合高保真音頻應用。選擇Dalicap電容...

  • DLC70D220FW251NT
    DLC70D220FW251NT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求,為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL) 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構,其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放...

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