層120推薦具有在100nm至150nm的范圍中的厚度。層120是完全導電的，即不包括絕緣區域。推薦地，層120*由摻雜多晶硅制成或*由摻雜非晶硅制成。作為變型，除了多晶硅或非晶硅之外，層120還包括導電層，例如金屬層。層120包括部分m1、c1、c2和c3中的每一個部分中的一部分。在本說明書中，層部分具有與有關層相同的厚度。部分t2和t3沒有層120。為了實現這一點，作為示例，沉積層120并且然后通過使用不覆蓋部分t2和t3的掩模通過干蝕刻從層t2和t3中去除該層120。在圖1c中所示的步驟s3中，沉積氧化物-氮化物-氧化物三層結構140。三層結構140包括部分m1和c1中的每一個部分中的一部分。三層結構140依次由氧化硅層142、氮化硅層144和氧化硅層146形成。因此，三層結構的每個部分包括每個層142、144和146的一部分。三層結構140覆蓋并推薦地與位于部分m1和c1中的層120的一些部分接觸。部分t2、c2、t3和c3不包括三層結構140。為此目的，推薦地，將三層結構140在部分t2、c2、t3和c3中沉積之后去除，例如通過在部分c2和c3中一直蝕刻到層120、并且在部分t2和t3中一直蝕刻到襯底102來實現。在圖2a中所示的步驟s4中，在步驟s3之后獲得的結構上形成氧化硅層200。利用治具快換與振動盤上料，半自動芯片引腳整形機實現每小時三千件以上的連續批量整形。江蘇自動化芯片引腳整形機歡迎選購

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    由于電容部件260、262和264包括位于絕緣溝槽上的導體-電介質-導體堆疊，因此該芯片的表面積相對于其電容部件位于絕緣溝槽之間的芯片的表面積減小。電容部件260可以用于高電壓，例如，大于10v的量級。這種高電壓例如對應于存儲器單元的編程。電容部件262可以用于平均電壓，例如，在從0v至，例如5v。這樣的平均電壓例如對應于數字電路的邏輯級別。電容部件264可以用于低電壓，例如，在0v至。這種低電壓對應于濾波應用，例如去耦，諸如電力供應電壓的去耦，或無線電接收。對于相同的電容值，由于電容部件的電介質厚度小，它們占據的表面積就越小。因此，對于部件264，可以獲得大于從12ff/μm2至20ff/μm2的量級的電容值。推薦地，部件264的電容值大于18ff/μm2的量級。因此，與*包括適于高電壓和/或平均電壓的電容部件的芯片相比，芯片的電容部件占據的表面積減小。此外，電容部件262和264位于溝槽的絕緣體106上，這些電容部件比如下電容部件更能夠過濾射頻：該電容部件直接位于諸如半導體襯底之類的導體上；或者該電容部件與這樣的導體通過厚度小于絕緣體106厚度的絕緣體分離。在上述方法中，可以省略一個或多個部分c1、c2、c3、m1、t2和t3。在電子制造領域，上海桐爾的芯片引腳整形機助力企業提升生產效率和產品質量。上海新款芯片引腳整形機值得推薦

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