電解拋光腐蝕后面板上面前面一個為電源總開關；下排左起前面一個為電源輸入插座；下排左起第二個：插座的開/關與工作電流輸出同步；下排左起第三、四個和電源的總電源同步。注意事項：開機前將電壓、電流調節電位器逆時針調到底；空栽或輕負載時輸出電壓由高處至低端時，動作不宜過快以免失控；面板輸出接線柱不可當輸入接線柱使用；對穩壓電源進行維修時，必須將輸入電壓斷開；輸入電源線的保護接地端，必須可靠接地，以確保使用安全。電解拋光腐蝕，實時測量。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高

晶間腐蝕涌入，主要由于晶粒表面和內部間化學成分的差異以及晶界雜質或內應力的存在。晶間腐蝕破壞晶粒間的結合，降低金屬的機械強度。而且腐蝕發生后金屬和合金的表面仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象，但晶粒間結合力明顯減弱，力學性能惡化, 不能經受敲擊，所以是一種很危險的腐蝕。通常出現于黃銅、硬鋁合金和一些不銹鋼、鎳基合金中。不銹鋼焊縫的晶間腐蝕是化學工業的一個重大問題。不銹鋼在腐蝕介質作用下，在晶粒之間產生的一種腐蝕現象稱為晶間腐蝕。海南金屬拋光腐蝕公司晶間腐蝕，腐蝕發生后，金屬和合金的表面雖然仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象。

電解拋光腐蝕參考資料

晶間腐蝕，GB/T3246.1-2002 鋁及鋁合金加工制品顯微組織檢驗方法，GB/T3246.2-2002 鋁及鋁合金加工制品低倍組織檢驗方法，GB/T7998-87 鋁合金晶間腐蝕測定法， GB/T7998-2005 鋁合金晶間腐蝕測定法生產中主要是過燒檢驗，特征為：復熔球、晶界三角、晶界加寬。晶粒度也是很重要的檢驗項目，經覆膜處理后在偏光下觀察。請查閱GB/T3246-2000 由國家標準的。可以用NaOH溶液80~100g/L,室溫下浸蝕3~30分鐘。可以看到組織缺陷。軟合金制品及鑄軋板帶浸蝕檢測晶粒度：42%的HF5ml37%的HC175ml65%~68%的HNO3 25ml適當時間立即用水清洗。反復多次至晶粒清楚為止。低倍加熱腐蝕樣品托盤可完全取出，清洗容易。

晶間腐蝕常用的試驗方法：硫酸-硫酸銅-銅屑法。適用于檢驗幾乎所有類型的不銹鋼和某些鎳基合金因碳、氮化物析出引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于活化-鈍化區。試驗結果采用彎曲試樣放大鏡下觀察裂紋或金相法評定。此法腐蝕輕微，試驗條件穩定，但判定裂紋需有-定經驗；硝酸法。適用于檢驗不銹鋼、鎳基合金等因碳化物、o相析出或溶質偏析引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于鈍化-過鈍化區。試驗結果采用腐蝕率評定。此法試驗周期長；硝酸-氫氟酸法。適用于檢驗含鉬奧氏體不銹鋼因碳化物析出引起的晶問腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于活化-鈍化區。此法試驗周期短，但腐蝕嚴重。試驗結果須采用同種材料敏化和固溶試樣的腐蝕率比值評定。低倍加熱腐蝕溫度控制精度：誤差±1℃。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高

電解拋光腐蝕，電信號低紋波，穩定性高。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高

低倍組織熱腐蝕，項目介紹：低倍組織檢驗是用肉眼或放大適當的倍數來觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測方法。低倍檢驗常用的方法有酸蝕、斷口形貌、硫印、塔形發紋等，其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法，如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗所需設備簡單，操作簡便迅速結果直觀，易于掌握。它是鑒定制品品質的一種重要方法，也是研究工藝制造以及對制品進行品質分析時普遍采用的一種手段。低倍檢驗時試樣的粗糙度要保證，不得有油污和加工傷痕；酸洗時的溫度和時間要適宜；清洗時試樣表面的腐蝕產物要刷干凈，并及時吹干；酸洗后需立即評定。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高