使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。計算機集成電路，包括控制單元（CPU）、內存儲器、外存儲器、I/O控制電路等。蘇州質量集成電路市價

19、H-（with heat sink）表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。20、pin grid array（surface mount type）集成電路表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數比插裝型多（250～528），是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。徐州本地集成電路生產廠家集成電路發明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

模擬集成電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數字集成電路用來產生、放大和處理各種數字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如5G手機、數碼相機、電腦CPU、數字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號）。制作工藝集成電路按制作工藝可分為半導體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。

集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。 [6]模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。濱湖區好的集成電路廠家現貨

測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內阻大于20KΩ/V的萬用表，對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。蘇州質量集成電路市價

但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到100左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼（L）型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。蘇州質量集成電路市價

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